Получение варизонного твердого раствора Si1-xGex из жидкой фазы
Автор: Раззаков Алижон Шоназарович, Латипова Муборак Аманбаевна, Кадиров Алибек Хамраевич
Журнал: Бюллетень науки и практики @bulletennauki
Рубрика: Технические науки
Статья в выпуске: 3 т.7, 2021 года.
Бесплатный доступ
Приведены теоретические расчеты с использованием экспериментальных данных, а также результаты исследований зависимости состава растворов-расплавов ( Sn + Ge + Si , Ga + Ge + Si ) от температурного режима. Получены монокристаллические пленки варизонного твердого раствора Si1-xGex (0 методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного оловянного, галлиевого раствора-расплава. Найдены оптимальные технологические режимы роста, для получения кристаллических совершенных эпитаксиальных слоев и структур.
Дислокация, эпитаксия, кластер, твердый раствор, кристаллизация
Короткий адрес: https://sciup.org/14120467
IDR: 14120467 | DOI: 10.33619/2414-2948/64/20
Список литературы Получение варизонного твердого раствора Si1-xGex из жидкой фазы
- Fadaly E. M., Dijkstra A., Suckert J. R., Ziss D., van Tilburg M. A., Mao C.,.. Bakkers E. P. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys // Nature. 2020. V. 580. №7802. P. 205-209. DOI: 10.1038/s41586-020-2150-y
- Jo K. W. et al. Impact of SiGe layer thickness in starting substrates on strained Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge condensation method // Applied Physics Letters. 2019. V. 114. №6. P. 062101. DOI: 10.1063/1.5068713
- Saidov A. S., Usmonov S. N., Amonov K. A., Niyazov S., Khudayberdiyeva A. I. Photothermovoltaic Effect in p-Si- n-(Si 2) 1-x-y (Ge 2) x (ZnSe) y Structure // Applied Solar Energy. 2019. V. 55. №5. P. 265-268. DOI: 10.3103/S0003701X19050116
- Тимофеев В. А. Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100): дисс. … физ.-мат. наук. Новосибирск, 2014. 171 с.
- Сапаев Б., Саидов М. С., Саидов А. С., Каражанов С. Ж. Твердые растворы (C IV 2) 1-x (A III B V) x, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. №11. С. 1285-1293.
- Раззаков А. Ш., Курбанов Д. Ш. Зависимость дислокаций на твердом растворе Si1-xGex от температур роста на контактной фазе "твердое тело - жидкость" // РИАК-XII-2020: Республиканская конференция. 2020. С. 275-277.
- Боцелев С. П., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е. Кристаллизация эпитаксиальных слоев AlGaAs из ограниченного объема раствора-расплава // Неорганические материалы. 1977. Т. 13. №5. С. 769-772.
- Rudolph P., Jurisch M. Fundamental and technological aspects of Czochralski growth of high quality semi-insulating GaAs crystals // Crystal Growth Technology. 2003. P. 293-321. DOI: 10.1002/0470871687
