Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением на передаточной вольт-амперной характеристике
Автор: Новиков Сергей Геннадьевич, Гурин Нектарий Тимофеевич, Беринцев Алексей Валентинович, Родионов Вячеслав Александрович, Штанько Александр Алексеевич
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 6-1 т.15, 2013 года.
Бесплатный доступ
В работе рассмотрен новый класс полупроводниковых приборов-приборов с передаточными вольт-амперными характеристиками, содержащими участок отрицательной дифференциальной проводимости или отрицательного дифференциального сопротивления. Предложены способы описания и реализации приборов с передаточными S- и N-образными вольт-амперными характеристиками. Проведено моделирование передаточных характеристик рассмотренных приборов.
Отрицательное сопротивление, отрицательная проводимость, моделирование, передаточная вольт-амперная характеристика
Короткий адрес: https://sciup.org/148205674
IDR: 148205674
Список литературы Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением на передаточной вольт-амперной характеристике
- Гаряинов С.А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. -М.: Энергия, 1970. -С. 320.
- Гаряинов С. А., Тиходеев Ю. С. Физические модели полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением. -М.: Радио и связь, 1997. -С. 276.
- Полярно-чувствительные N-образные входные вольт-амперные характеристики симисторной структуры/С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин, Е. В. Лычагин и др.//Изв. вузов Электроника. -2003. -№ 6. -С. 17-21.
- Стафеев В. И., Ван-Шоу-Цзюе, Филина Л. В. Триоды с N-образной характеристикой//Радиотехн. и электрон. -1962. -Т. 7, № 8. -С. 1404-1408.
- Two-terminal negative resistance device employing bipolar-unipolar transistor combination: пат. 3670183:/Ager David Joseph,Stanley Ian William; опубл. June.1972.
- Многоустойчивый полупроводниковый прибор: пат. 1095409:/Корабельников А. Т. -№ 3503218; заявл. 14.10.1982; опубл. 30.05.1984, Бюл. №20.
- Многоустойчивый полупроводниковый прибор (его варианты): пат. 1129720:/Корабельников А. Т. -№ 3546515; заявл. 28.01.1983; опубл. 15.12.1984, Бюл. №46.
- Семёнов А. А., Усанов Д. А. Активный двухполюсник с S-и N-образной вольт-амперной характеристикой//Изв. вузов. Электроника. -2009. -№ 2. -С. 17-21.
- Chua L., Yu Juebang, Yu Youying. Bipolar -JFET -MOSFET negative resistance devices//IEEE Transactions on Circuits and Systems. -1985. -Vol. 32. -P. 46-61.
- Новиков С. Г., Гурин Н. Т., Корнеев И. В. Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной n-образной вольт-амперной характеристикой//Изв. вузов Электроника. -2010. -№ 4. -С. 14-19.
- Новиков С. Г., Гурин Н. Т., Корнеев И. В. Моделирование и исследование негатрона с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой//Нано-и микросиcтемная техника. -2010. -№ 4. -С. 17-24.
- Полупроводниковый прибор со встроенной защитой в цепях управления и нагрузки: пат. 2428765 Российская Федерация:/Новиков С. Г. Гурин Н. Т., Корнеев И. В.; заявитель и патентообладатель УлГУ. -№ 2010116561/28; заявл. 26.04.2010; опубл. 10.09.2011, Бюл. №25.
- Замятин В. Я., Кондратьев Б. В. Тиристоры. -М.: Сов. радио, 1980. -С. 64.
- Герлах В. Тиристоры/пер. с нем. -М.: Энергоатомиздат, 1985. -С. 328.
- Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров/пер. с англ. -М.: Энергоатомиздат, 1990. -С. 208.
