Построение устойчивой обратной связи для молекулярно-электронного датчика с малым демпфированием
Автор: Агафонов В.М., Горчаков И.В., Гордеев Я.А., Ронжин А.Л.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Физика
Статья в выпуске: 2 (66) т.17, 2025 года.
Бесплатный доступ
Проведено моделирование контура обратной связи для молекулярно-электронного сейсмического датчика с низким демпфированием и собственной частотой механической системы, находящейся в рабочем частотном диапазоне. Установлено, что устойчивость контура обратной связи в этом случае гарантированно может быть достигнута при использовании двух корректирующих дифференцирующих звеньев, а практически достигаемый таким образом верхний предел рабочего частотного диапазона может на порядок превышать резонансную частоту механической системы датчика. Эксперимент хорошо согласуется с результатами моделирования. Практически полученная рабочая полоса частот датчика, охваченного обратной связью, составляет 1–400 Гц, а уровень шума заведомо не превышает 10−6 𝑔/ √ Гц.
Молекулярно-электронный датчик, дополнительная инерционная масса, глубокая обратная связь, устойчивость системы, электродинамическая калибровка, годограф обратной связи
Короткий адрес: https://sciup.org/142245017
IDR: 142245017