Примеси кремния в ОЦК-железе: ab-initio моделирование свойств и энергетических параметров
Автор: Ридный Ярослав Максимович, Мирзоев Александр Аминулаевич, Мирзаев Джалал Аминулович
Журнал: Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия: Металлургия @vestnik-susu-metallurgy
Рубрика: Физическая химия и физика металлургических систем
Статья в выпуске: 3 т.17, 2017 года.
Бесплатный доступ
В программном пакете WIEN2k проведено первопринципное моделирование равновесной структуры и свойств атомов кремния, растворенных в ОЦК-железе. Для расчетов использовался полнопотенциальный метод линейных присоединенных плоских волн LAPW, с учетом обобщенного градиентного приближения PBE-GGA, в суперячейке из 54 атомов железа с периодическими граничными условиями. Это наиболее точный метод, используемый в рамках теории функционала плотности. В работе определены оптимальные значения основных параметров моделирования, позволяющие рассчитывать энергетические характеристики системы с точностью не менее 0,01 эВ. Энергия растворения кремния в ферромагнитное ОЦК-железе составила -1,19 эВ. Атомы кремния испытывают сильное взаимное отталкивание в первых двух координационных сферах, которое далее является спадающим. После третей координационной сферы отталкивание атомов становится близким к нулю. При растворении кремний не изменяет параметр ОЦК-решетки и не влияет на решетку железа. Магнитный момент атомов железа в первом окружении с 2,23 µB, уменьшается до 2,045 µB. Растворение 1,85 ат. % кремния приводит к уменьшению среднего магнитного момента на атом железа на 0,02 μB и снижению объемного модуля сжатия.
Первопринципное моделирование, оцк-железо, примеси кремния
Короткий адрес: https://sciup.org/147157101
IDR: 147157101 | DOI: 10.14529/met170306
Текст научной статьи Примеси кремния в ОЦК-железе: ab-initio моделирование свойств и энергетических параметров
Сплавы на основе железа, несмотря на развитие производства других металлов, пластмасс, керамики, композитов, остаются основными конструкционными материалами. Исключительным достоинством черных металлов является, прежде всего, их дешевизна, а также универсальность – при помощи небольших добавок можно резко изменить свойства их сплавов. Бинарные сплавы железа Fe–C [1–3] и Fe–Si [4–6] методами компьютерного моделирования уже изучены довольно подробно. На данный момент представляют интерес расчеты тройных сплавов, например Fe–Si–C, используемые как конструкционные и как магнитомягкие материалы. Методами компьютерного моделирования для системы Fe–C [1–2] все оптимальные параметры уже установлены, необходимо провести оптимизацию параметров моделирования в системе Fe–Si.
Методика
В данной работе расчеты проводись пер-вопринципным полнопотенциальным методом LAPW [7], с учетом обобщенного градиентного приближения PBE-GGA в программном пакете WIEN2k [8]. ОЦК-железо моделирова- лось в суперячейке, состоящей из 54 атомов железа. Для расчетов использовался вычислительный комплекс ЮУрГУ-Торнадо [9]. Основные параметры моделирования были установлены в работе [1]: RmtKmax = 10, радиусы MT-сфер – Rmt(Fe) = 2,00 a.е., Ecut = –7 Рб, Gmax = 20 Рб0,5. Для интегрирования в обратном пространстве и вычисления электронной плотности использовалась схема Монхорста – Пака [10] с сеткой 4x4x4 к-точек в зоне Бриллюэна. Данные параметры моделирования обеспечили точность расчета энергии системы в 0,01 эВ.
Оптимизация параметров моделирования
Анализ работ других авторов, где моделировались эффекты добавления кремния в программном пакете WIEN2k [4,11–14], показал, что наблюдается определенный разброс значения R mt (Si), поэтому было выбрано несколько первоначальных радиусов R mt (Si) = 1,8; 1,9; 2,0; 2,1 a.е. Оптимизация параметра решетки с данными параметрами МТ-сфер Si позволила получить оптимальный параметр решетки (рис. 1) a = 2,835 Å, что совпадает с параметром решетки чистого ОЦК-железа. При изменении R mt (Si) происходило

Рис. 1. Зависимость полной энергии системы от параметра решетки

Рис. 2. Зависимость полной энергии системы от Rmt (Si)
незначительное увеличение параметра решетки в третьем знаке после запятой, что при округлении не повлияло на результат.
После получения оптимального параметра решетки была проведена оптимизация R mt (Si). Как видно из графика на рис. 2, в данном случае также не наблюдается минимум полной энергии, а лишь перегиб в районе 2,0 а.е. Так как по данным многих работ известно, что радиусы железа и кремния примерно равны, решено было выбрать R mt (Si) = = R mt (Fe) = 2,00 a.е.
Моделирование растворения кремния
При растворении кремний изменяет магнитные моменты атомов железа в своем окружении (рис. 3). Магнитный момент атомов железа в первом окружении с 2,23 µB, уменьшается до 2,045 µB. Растворение кремния не приводит к изменению параметра решетки системы и возникновению тетрагональности (рис. 4). Это неудивительно, поскольку кремний является примесью замещения, а не вне- дрения, и к тому же атомный радиус кремния близок к атомному радиусу железа.
Магнитный момент кремния составил μ Si = –0,09 µ B (знак минус означает, что магнитный момент атома кремния развернут противоположно магнитному моменту атомов железа). Сравнение рассчитанных нами полных и парциальных электронных плотностей на атомах железа первой и второй координационной сферы вблизи растворенного атома кремния с данными для чистого железа приведены в табл. 1 и на рис. 5.
Из анализа рис. 5 и табл. 1 видно, что серьезного изменения электронной плотности не произошло, потому что электроотрицательности кремния и железа близки. Однако наблюдается небольшая гибридизация p -орбиталей кремния с d -орбиталями t 2 g -типа атомов железа в первой координационной сфере.
Энтальпия растворения кремния в ОЦК-железе оценивалась по формуле
Δ H (Si) = E (Fe53Si) – (53/54)· E (Fe54) –
– (1/8)· E (Si8),
Физическая химия и физика металлургических систем
где E (Fe54) энергия отрелаксированной су-перячейки, состоящей из 54 атомов железа; E (Fe53Si) – энергия отрелаксированной су-перячейки, состоящей из 53 атомов железа и одного атома кремния; E (Si8) – энергия супер-ячейки из 8 атомов кремния. Кремний моделировался в решетке алмаза с параметром решетки, взятым из работы Окада [15] a = 5,43 Å.
Энтальпия растворения составила –1,19 эВ, что находится в хорошем согласии со значением –1,12 эВ, полученным в работе Винсента [5] и –1,2 эВ, полученным в работе Петрика [6].
Энергия взаимодействия между атомами кремния оценивалась по формуле
Δ E = E (Fe52Si2) – 2· E (Fe53Si) + E (Fe54),

Расстояние, А
Рис. 3. Зависимость магнитного момента на атоме железа от расстояния до атома кремния

Рис. 4. Зависимость полной энергии системы от тетрагональности c/a
Таблица 1
Значения валентной (для уровней выше 2 S ) электронной плотности для s , p , d , d-eg и d-t 2 g подуровней в атомах железа, находящихся в первой и второй координационных сферах от атома кремния
Первое окружение |
Второе окружение |
|||||||
Спин электронов |
Вверх |
Вниз |
Вверх |
Вниз |
||||
Суперячейка |
Fe54 |
Fe53Si |
Fe54 |
Fe53Si |
Fe54 |
Fe53Si |
Fe54 |
Fe53Si |
s |
1,12 |
1,11 |
1,11 |
1,12 |
1,12 |
1,12 |
1,11 |
1,12 |
p |
3,08 |
3,08 |
3,09 |
3,09 |
3,08 |
3,08 |
3,09 |
3,09 |
d |
3,97 |
3,89 |
1,72 |
1,83 |
3,97 |
3,97 |
1,72 |
1,72 |
d-e g |
1,68 |
1,68 |
0,46 |
0,5 |
1,68 |
1,7 |
0,46 |
0,43 |
d-t 2 g |
2,29 |
2,21 |
1,24 |
1,33 |
2,29 |
2,27 |
1,24 |
1,29 |

Рис. 5. Графики электронной плотности d-состояний атомов железа в первом окружении. Сверху электронная плотность d-eg состояний, снизу d-t2g
где E (Fe52Si2) – энергия отрелаксированной суперячейки, состоящей из 52 атомов железа и двух атомов кремния (рис. 6). Энергии взаим одействия между атомами кремния предста влены в табл. 2.
Как видно из табл. 2, атомы кремния сильно отталкиваются в первых двух координационных сферах. После третьей координационной сферы отталкивание становится близким к нулю. Наши данные близки к дан-

Рис. 6. Черные круги – атомы железа, белые круги – атомы кремния. Цифрами обозначены координационные сферы атома кремния. Отсчет идет от атома номер ноль
Таблица 2
Энергии взаимодействия между атомами кремния, растворенными в ОЦК-железе, эВ
Номер координационной сферы |
Данная работа |
Винсент [5] |
1 |
0,39 |
0,29 |
2 |
0,2 |
0,2 |
3 |
0,01 |
– |
4 |
0,03 |
— |
Физическая химия и физика металлургических систем

Рис. 7. Зависимость среднего магнитного момента на атоме железа от концентрации кремния в ат. %

Рис. 8. Зависимость объемного модуля B от концентрации кремния в ат. %
ным работы [5]; разница наблюдается для первой координационной сферы. Отличие энергий составляет 0,1 эВ. Причина этого – использование в работе [5] псевдопотенци-альных методов, которые являются менее точными, чем полнопотенциальные. Благодаря отталкиванию расстояние между атомами кремния, когда они находятся в первой координационной сфере, увеличилось на 0,21 Å, во второй координационной сфере оно увеличилось на 0,14 Å. В последующих координационных сферах не было изменения геометрической структуры.
При растворении кремния магнитный момент на атом железа в суперячейке уменьшается (рис. 7). Растворение 1,85 ат. % кремния (один атом кремния на суперячейку из
54 атомов железа) приводит к уменьшению среднего магнитного момента на атом железа на 0,02 μ B .
Одновременно с понижением средних магнитных моментов атомов железа было обнаружено уменьшение объемного модуля сплава. Полученные нами результаты приведены на рис. 8. При легировании кремнием в железе ослабевают силы межатомного отталкивания, что и приводит к снижению объемного модуля.
Заключение
Определены оптимальные значения основных параметров моделирования примесей кремния в ОЦК-железе, позволяющие рассчитывать энергетические характеристики систе- мы с точностью не менее 0,01 эВ в программном пакете WIEN2k. Показано, что:
-
1) оптимальный радиус МТ-сферы кремния равен R mt (Si) = 2,00 a.е.;
-
2) при растворении в пределах изученных концентраций кремний не изменяет параметр решетки и не влияет на решетку железа. Магнитный момент атомов железа в первом окружении с 2,23 µ B , уменьшается до 2,045 µ B . Растворение 1,85 ат. % кремния приводит к уменьшению среднего магнитного момента на атом железа на 0,02 μ B и объемного модуля сжатия. Происходит небольшая гибридизация p -орбиталей кремния с d -орбиталями t 2 g -типа атомов железа в первой координационной сфере;
-
3) с использованием найденных значений параметров моделирования проведено вычисление энергии растворения атома кремния в ферромагнитной фазе ОЦК-железа, которая составила –1,19 эВ, что находится в хорошем согласии с результатами эксперимента и других первопринципных расчетов;
-
4) атомы кремния испытывают сильное отталкивание в первых двух координационных сферах, которое является спадающим. После третьей координационной сферы отталкивание атомов становится близким к нулю.
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 16-19-10252.
Список литературы Примеси кремния в ОЦК-железе: ab-initio моделирование свойств и энергетических параметров
- Ридный, Я.М. Определение оптимальных параметров моделирования для максимально точных расчетов энергий в ОЦК-железе/Я.М. Ридный, А.А. Мирзоев, Д.А. Мирзаев//Вестник ЮУрГУ. Серия «Математика. Механика. Физика». -2016. -Т. 8, № 4. -С. 63-69.
- Ридный, Я.М. Ab-initio моделирование влияния ближнего окружения примесей углерода на энергию их растворения в ГЦК-железе/Я.М. Ридный, А.А. Мирзоев, Д.А. Мирзаев//Вестник ЮУрГУ. Серия «Математика. Механика. Физика». -2013. -Т. 5, № 2. -С. 108-116.
- Чирков, П.В. Межчастичный потенциал в системе железо-углерод и проблема мартенситного перехода/П.В. Чирков, А.А. Мирзоев//Вестник ЮУрГУ. Серия «Математика. Механика. Физика». -2013. -Т. 5, № 1. -С. 114-118.
- Pan, Z.J. First-principles study of electronic and geometrical structures of semiconducting B-FeSi2 with doping./Z.J. Pan, L.T. Zhang, J.S. Wu//Materials Science and Engineering B. -2006. -Vol. 131. -P. 121-126 DOI: 10.1016/j.mseb.2006.04.002
- Vincent, E. Ab initio calculations of vacancy interections with solute atoms in bcc Fe/E. Vincent, C.S. Becquart, C. Domain//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. -2005. -Vol. 228. -P. 137-141 DOI: 10.1016/j.nimb.2004.10.035
- Петрик, М.В. Влияние магнетизма на энергию растворения 3p(Al, Si) и 4p(Ga, Ge) элементов в железе./М.В. Петрик, О.И. Горбатов, Ю.Н. Горностырев//Физика металлов и металловедение. -2013. -Vol. 114. -P. 963-970 DOI: 10.1134/S0031918X13110094
- Cottenier, S. Density Functional Theory and the family of (L)APW-methods: a step-by-step introduction/S. Cottenier. -2004. -http://www.wien2k.at/reg_user/textbooks/DFT_and_ LAPW-2_cottenier.pdf.
- Schwarz, К. Electronic structure calculations of solids using the WIEN2k package for material science/K. Schwarz, P. Blaha, G.K.H. Madsen//Computer Physics Communications. -2002. -Vol. 147. -P. 71-76 DOI: 10.1016/S0010-4655(02)00206-0
- Kostenetskiy, P.S. SUSU Supercomputer Resources/P.S. Kostenetskiy, A.Y. Safonov//Proceedings of the 10th Annual International Scientific Conference on Parallel Computing Technologies (PCT 2016). Arkhangelsk, Russia, March 29-31, 2016. CEUR Workshop Proceedings. -2016. -Vol. 1576. -P. 561-573.
- Monkhorst, H.J. Special points for Brillouin-zone integrations/H.J. Monkhorst, J.D. Pack//Physical Review B. -1976. -Vol. 13, no. 12. -P. 5188-5192 DOI: 10.1103/PhysRevB.13.5188
- Kervan, N. Half-metallic properties of Ti2FeSi full-Heusler compound/N. Kervan, S. Kervan//Journal of Physics and Chemistry of Solids. -2011. -Vol. 72. -P. 1358-1361 DOI: 10.1016/j.jpcs.2011.08.017
- High-pressure experimental and computational XANES studies of (Mg,Fe)(Si,Al)O3 perovskite and (Mg,Fe)O ferropericlase as in the Earth’s lower mantle/O. Narygina, M. Mattesini, I. Kantor et. al.//Physical Review B. -2009. -Vol. 79. -P. 174115 DOI: 10.1103/PhysRevB.79.174115
- Fujii, S. Electronic and Magnetic Properties of Thin (111) Films of Fe2CrSi./S. Fujii, S. Ishida, S. Asano//Journal of the Physical Society of Japan. -2012. -Vol. 81. -P. 094702 DOI: 10.1143/JPSJ.81.094702
- Tokunaga, T. Thermodynamic evaluation of the phase equilibria and glass-forming ability of the Fe-Si-B system/T. Tokunaga, H. Ohtani, M. Hasebe//Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry. -2004. -Vol. 28. -P. 354-362 DOI: 10.1016/j.calphad.2004.11.004
- Okada, Y. Precise determination of lattice parameter and thermal expansion coefficient of silicon between 300 and 1500./Y. Okada, Y. Tokumaru//Journal of Applied Physics. -1984. -Vol. 56, no. 2. -P. 314-320 DOI: 10.1063/1.333965