Проектирование и испытания pHEMT GaAs МИС коммутируемого по входу мшу собственного производства для аппаратуры автономной радионавигации КА
Автор: Школьный В.Н., Сунцов С.Б., Кондратенко А.В., Шишкин Д.А., Алексеев К.А., Карабан В.М.
Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии @technologies-sfu
Статья в выпуске: 2 т.9, 2016 года.
Бесплатный доступ
Представлены результаты проектирования и натурных испытаний электрических характеристик монолитно-интегральной схемы (МИС) коммутируемого по входу малошумящего усилителя на основе pHEMT арсенид-галлиевой технологии собственного производства для применения в составе бортовых навигационных приёмников сигналов глобальных навигационных спутниковых систем космических аппаратов всех типов орбит для их автономного координатно-временного обеспечения.
Полупроводники, наногетероструктуры, арсенид-галлиевая технология, монолитные интегральные схемы, космический аппарат, автономная навигация, двухпозиционный коммутатор, малошумящий усилитель
Короткий адрес: https://sciup.org/146115056
IDR: 146115056 | DOI: 10.17516/1999-494X-2016-9-2-204-213
Список литературы Проектирование и испытания pHEMT GaAs МИС коммутируемого по входу мшу собственного производства для аппаратуры автономной радионавигации КА
- Дмитриев В.Д., Терешков В.В., Саяпин В.Ю. и др. Доклады ТУСУР, 2014, 3(33), 16-21
- HMC190AMS8/190AMS8E -GaAs MMIC SPDT Switch DC-3 Ghz . -Режимдоступа: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc190ams8.pdf, свободный(датаобращения: 10.06.2013).
- GaAs МИС двухпозиционного СВЧ коммутатора MP202 . -Режим доступа: http://www.micran.ru/productions/MIS/switches/MP202, свободный (дата обращения: 10.06.2013).
- HMC618LP3/618LP3E -GaAs SMT pHEMT Low Noise Amplifier, 1.2 -2.2 GHz . -Режим доступа: http://www.radiant.su/other/hittite/pdf/hmc618lp3.pdf, свободный (дата обращения: 10.06.2013).
- GaAs МИС широкополосного усилителя 1-4 ГГц МР502 . -Режим доступа: http://www.micran.ru/productions/MIS/amplifi ers/MP502, свободный (дата обращения: 10.06.2013).
- Петрова Т.С., Ерёмина Е.Л., Игнатьев М.Г. идр. Монолитнаяинтегральнаясхемадвухпозиционного СВЧ-коммутатора на GaAs. Известия Томского политехнического университета, 2006, 309(8), 172-175
- Баров А.А., Гюнтер В.Я., Игнатьев М.Г., Петрова Т.С. Управляющие монолитноинтегральные схемы СВЧ на базе GaAs ПТШ. 15-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2005). Материалы конференции (Севастополь, 12-16 сентября 2005 г.). Севастополь: Вебер, 2005, с.175-176
- Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Пер. с англ. под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988, 496 с
- Gutmann R.J., Fryklund D.J. Characterization of Linear and Nonlinear Properties of GaAs MESFET’s for Broad-Band Control Applications. Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1987, 35(5), 516-521
- Зыков Д.Д., Матвеев В.В., Нечаев К.А., Карабан В.М. Повышение качества продукции посредством использования причинно-следственной диаграммы в комплексе с информационной системой управления полупроводниковым производством. Доклады ТУСУР, 2013, 4(30), 173-176
- Jain N., Gutmann R.J. Modeling and Design of GaAs MESFET Control Devices for Broad-Band Applications. Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1990, 38(2), 109-117
- Мокеров В.Г., Бабак Л.И., Фёдоров Ю.В. и др. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии. Доклады ТУСУРа, 2010, 2(22), 105-117
- Арыков В.С., Баров А.А., Кондратенко А.В. GaAs pHEMT МИС малошумящего усилителя Х-диапазона Сб. трудов 21-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь: Вебер, 2011, 1, 159-160
- Текшев В.Б. Двухтранзисторный СВЧ-усилитель с минимальным коэффициентом шума и согласованным входом и выходом. Общие вопросы радиоэлектроники, 1990, 15, 16-23
- Куприц В.Ю., Шарыгин Г.С., Школьный В.Н. Повышение помехоустойчивости автономнойсистемынавигациикосмическихаппаратов. Доклады ТУСУР, 2014, 3(33), 22-26
