Расчет влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом

Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0≤х≤l системы расплав-растущий кристалл представлены в виде выражения , в котором а и b определены через скорости переноса ПА (конвективную - υс, дрейфовую - υd и термодиффузионную - υΘ) соответственно в расплаве - (аl, bl), в кристалле - (аs, bs), а также на границе раздела фаз - (аsl, bsl). Из условия квазистационарности процесса роста найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков u D и определен общий коэффициент распределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка l s C K = C. Полученное выражение для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка - υс, градиента температур (через υΘ) и силовых полей (через υd)) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.