Расчет влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом
Автор: Ленченко В.М., Логинов Ю.Ю.
Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии @technologies-sfu
Статья в выпуске: 3 т.2, 2009 года.
Бесплатный доступ
Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0≤х≤l системы расплав-растущий кристалл представлены в виде выражения , в котором а и b определены через скорости переноса ПА (конвективную - υс, дрейфовую - υd и термодиффузионную - υΘ) соответственно в расплаве - (аl, bl), в кристалле - (аs, bs), а также на границе раздела фаз - (аsl, bsl). Из условия квазистационарности процесса роста найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков u D и определен общий коэффициент распределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка l s C K = C. Полученное выражение для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка - υс, градиента температур (через υΘ) и силовых полей (через υd)) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.
Примесные атомы, расплав, кристалл, условия роста
Короткий адрес: https://sciup.org/146114498
IDR: 146114498 | УДК: 538.911;
Calculation of influence of growth conditions on distribution coefficient of impurity atoms between melt and a growing crystal
Streams of impurity atoms on each of sites 0≤х≤l of border between melt and a growing crystal are submitted as expression in which a and b are determined through convective υс, drift υd and thermal-diffusion υΘ speeds of carry of impurity atoms accordingly in a melt (аl, bl), in a crystal (аs, bs), and also on border of the unit of phases (аsl, bsl). From a condition of quasistationary process of growth the distribution coefficient of impurity atoms concentration on each of sites are found and the general distribution coefficient of impurity atoms between melt volume and a cooled part of a growing ingot K = C is determined. The received expression for K allows to analyze influence of modes of growth (speed of a crystal grows υс, a gradient of temperatures (through υΘ) and force fields (through υd)) on carry and accumulation of impurity atoms in a growing crystal.
