Расчётная оценка термодеформаций трёхслойной полупроводниковой структуры

Приведена математическая модель термодеформационных полей, образующихся в трехслойных полупроводниковых структурах прямоугольной формы, при воздействии на внешний слой кристалла локально распределенной поверхностной тепловой нагрузки, которая возникает в результате неустойчивости однородного распределения тока и приводит к пробою полупроводниковой структуры. Найден алгоритм численного решения, представлены результаты расчетов и их сравнение с результатами эксперимента.