Равновесное распределение дефектов в теллуриде кадмия до воздействия внешних факторов
Автор: Паклин Н.Н., Логинов Ю.Ю., Мозжерин А.В.
Журнал: Сибирский аэрокосмический журнал @vestnik-sibsau
Рубрика: Технологические процессы и материалы
Статья в выпуске: 2 т.23, 2022 года.
Бесплатный доступ
Надежность электронного оборудования, в том числе и в аэрокосмической отрасли, как в нормальных, так и в экстремальных условиях сопряжена с деградацией материалов ввиду формирования и развития дефектной сети. Теллурид кадмия - один из полупроводников, который активно используется при создании солнечных элементов и современных устройств микроэлектроники. В работе предложена модель распределения точечных дефектов в теллуриде кадмия до воздействия какого-либо ионизирующего излучения, что позволило рассчитать эффективную энергию тепловой активации пары Френкеля - 1,37 эВ. Исследования особенностей формирования и эволюции дефектов с применением методов моделирования в теллуриде кадмия, в перспективе позволит повысить качество его технологического использования, экономя финансовые ресурсы и повышая надежность изделий.
Теллурид кадмия, динамика структурных дефектов, энергия тепловой активации
Короткий адрес: https://sciup.org/148324584
IDR: 148324584 | DOI: 10.31772/2712-8970-2022-23-2-315-320
Список литературы Равновесное распределение дефектов в теллуриде кадмия до воздействия внешних факторов
- Yujiea L., Guolic M., Wanqi J. Point defects in CdTe // Journal of Crystal Growth. 2003. Vol. 256. P. 266-275.
- Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6. М.: Логос, 2003. 304 с.
- Loginov Y. Y., Mozzherin A. V., Paklin N. N. Particularities of the interstitial atoms and vacancies clusters formation in a thin cadmium telluride foil during in situ electron irradiation in a TEM // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2022. Vol. 1230. P. 012013. DOI: 10.1088/1757-899X/1230/1/012013
- Djafari-Rouhani M., Gue A., Idrissi-Saba H., Esteve D. Simulation a l'echelle atomique de la formation des boucles de dislocation sous irradiation // Journal de Physique I. 1994. Vol. 4 (3). P. 453-466.
- Loginov Yu. Yu., Mozzherin A. V., Bril'kov A. V. Dependence of the Critical Radius of Partial Dislocation Loops on the Stacking Fault Energy in Semiconductors // Physics of the Solid State. 2014. Vol. 56, No. 4. P. 720-722.
- Горичок И. В. Энтальпия образования дефектов Шоттки в полупроводниках // ФТТ. 2012. Т. 54, вып. 3. С. 1373-1376.
- Freysoldt C, Grabowski B, Hickel T, Neugebauer J, Kresse G, Janotti A, Van de Walle C. G. First-principles calculations for point defects in solids // Rev. Mod. Phys. 2014. Vol. 86, No. 1. P. 27-39.
- Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках. М.: Мир, 1979. С. 9-162.
- Вавилов В. С., Кив А. Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 c.
- Вавилов В. С., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. 192 c.
