Разработка способа изготовления непланарных подложек для фотопреобразователей нового поколения
Автор: Кондратенко Тимофей Тимофеевич, Максимов Павел Валерьевич
Журнал: НБИ технологии @nbi-technologies
Рубрика: Технические инновации
Статья в выпуске: 5, 2011 года.
Бесплатный доступ
В работе выполнено исследование строения внешней боковой поверхности монокристаллов кремния после травления в газовой атмосфере H2+ 2 %об. HCl при высокой температуре. Установлено, что в результате травления на боковой поверхности кремниевых монокристаллических цилиндрических подложек, выращенных в направлении , формируется периодический рельеф, состоящий из ступеней глубиной 0,1-5 мкм, длиной до 50 мкм.
Монокристалл, высоко-температурное травление, кремний, поверхности монокристалла, газовая атмосфера
Короткий адрес: https://sciup.org/14968179
IDR: 14968179
Список литературы Разработка способа изготовления непланарных подложек для фотопреобразователей нового поколения
- Зи, С. Физика полупроводниковых приборов/С. Зи. -М.: Наука, 1982.
- Крапухин, В. В. Теоретические основы технологии полупроводников/В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. -М.: Высш. шк., 1996.
- Bublik, V. T. Single-Cristal X-Ray Diffraction Analysis of Nonplanar Autoepitaxial Silicon Layers/V. T. Bublik, L.V. Kozhitov, and T. T. Kondratenko//Inorganic Materials. -2009. -Vol. 45, № 14. -P. 1610-1613.
