Реактивное ионное травление поверхности синтетического алмаза
Автор: Голованов Антон Владимирович, Бормашов Виталий Сергеевич, Волков Александр Павлович, Тарелкин Сергей Александрович, Буга Сергей Геннадьевич, Бланк Владимир Давыдович
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Нанотехнология и нанометрия
Статья в выпуске: 1 (17) т.5, 2013 года.
Бесплатный доступ
Осуществлено реактивное ионное травление синтетической поликристаллической алмазной плёнки и синтетических монокристаллов алмаза в плазмах на основе Ar, O2, их смесей и SF6. В плазмах на основе смеси Ar/O2 и на основе SF6 достигнуты соответственно скорости травления 6 нм/мин и 70 нм/мин и селективности к алюминию 10 и 4. Травление в плазме на основе Ar/O2 привело к выравниванию поверхности как поликристаллической алмазной плёнки, так и монокристаллического алмаза. Травление плазмой на основе SF6 привела к увеличению шероховатости поверхности монокристалла алмаза и перепылению алюминиевой маски.
Реактивное ионное травление, синтетический монокристалл алмаза, поликристаллическая алмазная плёнка, постмеханическая полировка, атомно-силовая микроскопия, электронная микроскопия
Короткий адрес: https://sciup.org/142185893
IDR: 142185893
Список литературы Реактивное ионное травление поверхности синтетического алмаза
- Karlsson M., Nikolajeff F. Diamond micro-optics: microlenses and antireflection structured surfaces for the infrared spectral region//Opt. Express. -2003. -V. 11. -P. 502-507.
- N.ohammer B., David C., Rothuizen H. [et al.]. Deep reactive ion etching of silicon and diamond for the fabrication of planar refractive hard X-ray lenses//Microelectronic Engineering. -2003. -V. 67-68. -P. 453-460.
- Shvyd'ko Y., Stoupin S., Blank V., Terentyev S. Near 100% Bragg reflectivity of X-rays//Nat. Photon. -2011. -V. 5. -P. 539-542.
- Brezenau M., Butler T., Rupesinghe N. [et al.]. Single Crystal Diamond M-i-P Diodes for Power Electronics//IET Circ. Dev. Sys. -2007. -V. 1, N 5. -P. 380-386.
- Sandhu G.S., Chu W.K. Reactive ion etching of diamond//Appl. Phys. Lett. -1989. -V. 55, N 5. -P. 437-438.
- Kiyohara S., Mori K., Miyamoto I., Taniguchi J. Oxygen ion beam assisted etching of single crystal diamond chips using reactive oxygen gas//J. Mater. Sci. Mater. Electron. -2001. -V. 12. -P. 477-481.
- Lee C.L., Gu E., Dawson M.D. [et al.]. Etching and micro-optics fabrication in diamond using chlorine-based inductively-coupled plasma//Diam. & Relat. Mat. -2008. -V. 17, N 7-10. -P. 1292-1296.
- Roth R.J. Industrial Plasma Engineering. V. 1. Principles. -Bristol: Institute of Physics Publishing, 1995.
- Leech P.W., Reeves G.K., Holland A. Reactive ion etching of diamond in CF4, O2, O2 and Ar-based mixtures//J. Mat. Sci. -2001. -V. 36, N 14. -P. 3453-3459.
- Lim Y.D., Lee S.H., Yoo W.J. [et al.]. Roles of А and O Radicals and Positive Ions in a SF6/O2 Plasma in Forming Deep Via Structures//J. Kor. Phys. Soc. -2009. -V. 54, N 5. -P. 1774-1778.
- Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой. Вып. 2/под ред. Р. Бериш. -М.: Мир, 1986.
- Гегузин Л.Е., Овчаренко Н.И. Поверхностная энергия и процессы на поверхности твердых тел//УФН. -1962. -Т. LXXVI, вып. 2. -С. 283-328.
- Barnard A.S., Russo S.P., Snook I.K. Surface structure of cubic diamond nanowires//Surf. Sci. -2003. -V. 538. -P. 204-210.
- Skokov S., Carmer C. S., Weiner B., Frenklach M. Reconstruction of (100) diamond surfaces using molecular dynamics with combined quantum and empirical forces//Phys. Rev. B. -1994. -V. 49, N 8. -P. 5662-5671.
