Статистический разброс показателей радиационной стойкости интегральных схем иностранного производства

Автор: Калашников Олег Арсеньевич, Артамонов Алексей Сергеевич, Бобровский Дмитрий Владимирович, Бойченко Дмитрий Владимирович, Кессаринский Леонид Николаевич, Некрасов Павел Владимирович, Уланова Анастасия Владиславовна

Журнал: Спецтехника и связь @st-s

Статья в выпуске: 4-5, 2011 года.

Бесплатный доступ

Представлен анализ разбросов значений доз отказа интегральных схем иностранного производства различных фирм-производителей. Установлено, что весьма распространены более чем двукратные разбросы доз отказа одной партии интегральных схем. Приведено распределение разбросов по фирмам - производителям интегральных схем.

Короткий адрес: https://sciup.org/14967055

IDR: 14967055

Список литературы Статистический разброс показателей радиационной стойкости интегральных схем иностранного производства

  • Калашников О.А., Некрасов П.В., Демидов А.А. Функциональный контроль микропроцессоров при проведении радиационных испытаний./Приборы и техника эксперимента, 2009. -№ 2. -С. 48 -52.
  • Калашников О.А., Некрасов П.В., Соколов М.Н. и др. Экспериментальные исследования радиационного поведения микросхем иностранного производства./Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем -Стойкость-2006». -М.: МИФИ, 2006. -С. 259 -260.
  • Бобровский Д.В., Калашников О.А. Исследование дозовых радиационных эффектов ПЛИС Xlinx./Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем -Стойкость-2007». -М.: МИФИ, 2007. -С. 203 -205.
  • Ершова Е.В., Калашников О.А. Обзор сравнительных результатов радиационных испытаний интегральных схем иностранного производства./Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем -Стойкость-2009». -М.: МИФИ, 2009. -С. 236 -239.
  • Калашников О.А. Анализ разбросов показателей радиационной стойкости интегральных схем иностранного производства./Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем -Стойкость-2009». -М.: МИФИ, 2009. -С. 23 -24.
Статья научная