Структура пленок Si/A1 20 3 H пути улучшения их качества
Автор: Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю.
Журнал: Инженерные технологии и системы @vestnik-mrsu
Рубрика: Структура и свойства кристаллических и аморфных веществ
Статья в выпуске: 3, 2007 года.
Бесплатный доступ
Короткий адрес: https://sciup.org/14718895
IDR: 14718895
Список литературы Структура пленок Si/A1 20 3 H пути улучшения их качества
- Горелик С. С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков/С. С. Горелик, М. Я. Дашев-ский//М.: Металлургия, 1988. С. 574.
- Денисов С. А. Выращивание монокристаллических субмикронных слоев кремния на сапфире методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии/С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков, Д. А. Павлов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Шиляев//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. № 11. С. 32 -39.
- Chang С. С. Silicon-on-Sapphire Epitaxy by Vacuum Sublimation: LEED-Auger Studies and Electronic Properties of the Films/С. C. Chang//J. Vac. Sci. Technol. 1971. Vol. 8. P. 500.
- Makoto I. Growth and properties of Si films on sapphire with predeposited amorphous Si layers./Ishida Makoto, Yasuda Yukio, Ohyama Hidenori, Wakamatsu Hidetoshi //J Appl. Phys. 1986. Vol. 59, № 12. P. 4073 -4078.
- Richmond E. D. Molecular beam epitaxy versus chemical vapor deposition of silicon on sapphire/E. D. Richmond, M. E. Twigg, S. Qadri, J. B. Pellegrino, M. T. Duffey//Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56, № 25. P. 2551 -2553.
- Richmond E. D. MBE-grown silicon on sapphire/E. D. Richmond//Thin Solid Film. 1990. № 192. P. 287 -294.
- Tanemasa A. Epitaxial growth of Si films on CaF2 Si structures with thin Si layers predeposited at room temperature/Asano Tanemasa, Ishiwara Hiroshi//J. Appl. Phys. 1984. Vol. 55, № 10. P. 3566 -3570.
Статья
