Субволновая фокусировка с помощью бинарного микроаксикона с периодом 800 нм
Автор: Котляр Виктор Викторович, Стафеев Сергей Сергеевич, Котляр Маргарита Иннокентьевна, Морозов Андрей Андреевич, Сойфер Виктор Александрович, Офаолейн Лиам
Журнал: Компьютерная оптика @computer-optics
Рубрика: Дифракционная оптика, оптические технологии
Статья в выпуске: 1 т.35, 2011 года.
Бесплатный доступ
С помощью сканирующего микроскопа ближнего поля NT-MDT c кантиливером с отверстием 100 нм на расстоянии 100 нм от поверхности микроаксикона с диаметром 13,6 мкм периодом 800 нм и глубиной 465 нм, изготовленного совместно ИСОИ РАН и Университетом Сэнт-Эндрюса (Шотландия) по технологии электронной литографии на резисте ZEP520A, измерено фокусное пятно линейно-поляризованного лазерного света с длиной волны 532 нм, которое имело диаметр по полуспаду интенсивности равный 320 нм, что составляет 0,61 от длины волны. Глубина фокусировки по полуспаду интенсивности была равна 3 мкм, причём экспериментальные точки осевой интенсивности в фокусном отрезке с хорошей точностью (с.к.о. 13%) наложились на расчётную кривую осевой интенсивности, а приближённая оценка и строгое моделирование дают диаметр фокусного пятна по полуспаду интенсивности равный 0,54 от длины волны. Интенсивность в максимуме на оптической оси в 7 раз больше, чем интенсивность освещающего пучка.
Бинарный микроаксикон, сканирующий оптический микроскоп ближнего поля, fdtd-метод, субволновая фокусировка лазерного света
Короткий адрес: https://sciup.org/14058988
IDR: 14058988