Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Автор: Ташмухамедова Д., Абдиев Х., Камолов А.
Журнал: Экономика и социум @ekonomika-socium
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 8 (99), 2022 года.
Бесплатный доступ
В основу данной программы положены следующие вузовские дисциплины: "Кристаллография","Методы исследования состава и структуры материалов электроннойтехники", "Физикаи химия полупроводников",“Квантовая иоптическая электроника,"Технология материалов электронной техники", "Физико-химические основы технологии микроэлектроники", “Процессы микро- и нанотехнологии”. "Физические основы электронной техники", "Основы технологии производства изделий электронной техники", "Оборудование электронной промышленности", "Расчет и конструирование оборудования электронной промышленности", "Моделирование процессов и оборудования электронной промышленности".
Методы, физика, технология, химия, электронная эмиссия, нанотехнологии, полупроводник
Короткий адрес: https://sciup.org/140299198
IDR: 140299198
Текст научной статьи Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
В основу данной программы положены следующие вузовские дисциплины:
"Кристаллография", "Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники", "Физика и химия полупроводников", “Квантовая и оптическая электроника, "Технология материалов электронной техники", "Физико-химические основы технологии микроэлектроники", “Процессы микро- и нанотехнологии”. "Физические основы электронной техники", "Основы технологии производства изделий электронной техники", "Оборудование электронной промышленности","Расчет и конструирование оборудования электронной промышленности", "Моделирование процессов и оборудования электронной промышленности".
Физика процессов генерации плазмы в газовых разрядах: тлеющем, дуговом, высокочастотном (ВЧ) и сверхвысокочастотном (СВЧ). Разряды во внешнем магнитном поле, движение частиц в плазме. Взаимосвязь между рабочими, технологическими и конструктивными параметрами разрядных систем. Математические модели процессов и устройств, вольт-амперные характеристики разрядов.
Электронная эмиссия. Основы электронной теории твердого тела,термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная, вторично-электронная, фотоэлектронная эмиссия. Электронный поток, его формирование и транспортировка: интенсивные и неинтенсивные, релятивистские и нерелятивистские электронные потоки.
Физические основы приборов электронной техники
Свойства р-n перехода. Кинетические явления в полупроводниках. Электро- и теплопроводность полупроводников. Рассеяние носителей заряда. Эффект Холла. Магнетосопротивление. Диффузия носителей и примесей. Невыпрямляющие контакты. Работа выхода. Эмиссия электронов. Термо -ЭДС. Эффект Пельтье.
Физические основы работы основных типов полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, диодов Ганна.
Явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках, контакт металл-полупроводник и металл-диэлектрик - полупроводник (МДП), электроннодырочный переход, изотопные и анизотипные гетеропереходы; полупроводниковые диоды, биполярные транзисторы, тиристоры, МДП-транзисторы, полевые транзисторы суправляющим переходом.
Движение заряженных частиц в электрическом и магнитном полях; траектория движения частиц в комбинированных полях. Электровакуумные и газоразрядные приборы: приемно-усилительные лампы, приборы СВЧ, фотоумножители, лучевые приборы, электронно- оптические преобразователи, газоразрядные приборы.
Источники излучения. Физические основы работы лазеров. Газовые и твердотельные лазеры. Полупроводниковые светодиоды и лазеры.
Оптические волноводы. Принципы каналирования излучения. Волоконные, планарные и канальные волноводы. Основные компоненты систем оптической связи со спектральным уплотнением.
Методы исследования материалов и элементов электронной техники
Методы измерения электрических параметров полупроводников.
Измерение подвижности, удельного сопротивления, концентрации носителей, доноров и акцепторов. Способы измерения толщины эпитаксиальных слоев. Характеристики однородности электрических свойств слоев на площади и толщине. Методы определения профиля распределения легирующих примесей.
Методы исследования реальной структуры кристаллов,определения фазового состава, прецизионного измерения параметров решетки. Методы изучения объемных дефектов. Оптические методы металлографических исследований. Наблюдение объектов в поляризованном свете. Принципы двухлучевой и многолучевой интерферометрии и их применение. Выявлениедислокаций методом травления.
Химические методы анализа: экстракция, хроматография, полярография, потенциометрия. Объемный анализ. Гравиметрия. Спектральный анализ. Атомноадсорбционный анализ. Люминесцентный метод. Молекулярная спектроскопия. Электронный парамагнитный резонанс, ядерный парамагнитный резонанс. Метод радиоактивных индикаторов, Oже-спектроскопия, рентгено-флуоресцентный анализ, лазерная и вторично-ионная масс-спектроскопия.
Методы определения деформаций в структурах микроэлектроники.
Методы исследования наноструктур. Электронная микроскопия. Оптика ближнего поля. Туннельная и атомно-силовая микроскопия.
Технология и оборудование производства изделий электронной техники
-
1.1. Современные тенденции развития технологии СБИС и УБИС. Нанотехнология. Основные требования технологии к разрабатываемому технологическому оборудованию (ТО), направления развития ТО. Системный подход к выбору оптимальных технических решений методами моделирования и формально эвристического проектирования.
-
1.2. Особенности проектирования многомодульного (кластерного) оборудования. Системы контроля и управления процессами обработки в
технологическом оборудовании нанесения и травления материалов.
-
1.3. Проблемы комплексной автоматизации производства на современном уровне. Технико-экономический анализ технологического и производственного процесса. Общие принципы автоматизацииоборудования. Автоматические линии в производстве изделий электронной техники (ИЭТ). Методы определения оптимальных параметров линий и комплексов в производстве ИЭТ.
-
1.4. Методология проектирования технических систем. Основные компоненты и процедурная модель проектирования. Формализация основных процедур проектирования. Оптимальное проектирование технических систем. Методы оптимизации. Поисковые методы математического программирования. Общие методы многокритериальной оптимизации.
-
1.5. Обеспечение и поддержание в чистых помещениях среды с заданными параметрами. Проблема привносимой дефектности при производстве СБИС. Экологические аспекты субмикронной и нанотехнологии. Модели выхода годных СБИС. Принципы организации чистых производственных помещений.
-
1.6. Способы формирования электронных потоков различной интенсивности (электронные пушки и прожекторы), транспортировка электронного потока и способы ограничения его поперечных размеров. Системы регулирования параметров пучка. Управление электронными потоками. Электрические и магнитные способы управления плотностью и скоростью электронов. Квазистатические и динамические способы управления. Примеры использования в приборах вакуумной электроники и технологическом оборудовании.
Список литературы Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
- Глазов B.М., Павлова Л.М., Химическая термодинамика и фазовые равновесия, М., Химия, 1981 г.
- Ташмухамедова Д. А., Умирзаков Б. Е., Балтаев Э. У. Формирование наноразмерных силицидных фаз в эпитаксиальных пленках кремния и изучение их физико-химических свойств //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2003. - №. 8. - С. 101-104.
- Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д. А., Умирзаков Б. Е. Состав и электронные свойства наноразмерных фаз и нанопленок силицидов металлов, созданных методом ионной имплантации в сочетании с отжигом //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - №. 4. - С. 24-24.
- Раскин А.А., Картушина А.А., Баровский Н.В. Технология материалов электронной техники, М., МИЭТ, 1999.
- Афанасьев В.П., Ганенков Н.А., Пщелко Н.С. Материалы и компоненты функциональной электроники, СПбГЭТУ (ЛЭТИ), Санкт- Петербург, 1999.
- Абдиев Х., Умаров Б., Тоштемиров Д. Структура и принципы солнечных коллекторов //Наука и современное общество: актуальные вопросы, достижения и инновации. - 2021. - С. 9-13.