Вариации методов моделирования электронных и спектральных свойств в кристаллической структуре йода

На примере кристаллической структуры йода произведен подбор оптимальных базисных наборов, позволяющих в условиях периодических расчетов воспроизводить межъядерные расстояния, распределение электронной плотности и спектральные свойства йодсодержащих молекулярных кристаллов. Сопоставлены преимущества двух подходов к учету эффектов релятивизма: эффективные остовные псевдопотенциалы и базисный набор гауссового типа, конструируемый на основе методологии Дугласа-Кролла-Гесса. Показано, что последний позволяет корректно воспроизвести не только экспериментально наблюдаемые геометрические параметры кристалла йода и характеристические колебания в спектрах комбинационного рассеяния, но и накопление электронной плотности в области внешней валентной оболочки атома йода, что наглядно иллюстрирует функция лапласиана электронной плотности.