Влияние анионного замещения на магниторезистивные свойства халькогенидов марганца

Описаны материалы на основе твердых растворов GdxMn1-xS и GdxMn1-xSe с концентрацией x = 0,2, которые в перспективе могут использоваться в качестве сенсоров, датчиков, устройств записи-считывания информа- ции. Проведены исследования магниторезистивных свойств твердых растворов Gd0,2Mn0,8S и Gd0,2Mn0,8Se в нулевом и магнитном поле 13 кЭ в интервале температур 80-500 К. В сульфидах марганца GdxMn1-xS наблюдается смена знака магнитосопротивления с положительного на отрицательный и его максимум в области перехода в магнитоупорядоченное состояние. Найден минимум при Т = 325 К, в магнитном поле сопротивление также возрастает, а минимум в его температурной зависи- мости смещается в сторону высоких температур до Т = 380 К. Магнитосопротивление меняет знак с ростом температуры с положительного на отрицательный при Т = 320 К и исчезает при T = 475 К. В сульфидах марганца GdxMn1-xSe наблюдается отрицательное магнитосопротивление ниже комнатных температур и гистерезис вольт-амперных характеристик. В магнитном поле гистерезис уменьшается. Установлена смена знака магнитосопротивления с ростом температуры. Магнитосопротивление δ = (ρ(H) - - ρ(0)) / ρ(0) в GdxMn1-xSe с концентрацией замещения x = 0,2 меняет знак с ростом температуры при Т = 320 К. При этой температуре наблюдается широкий гистерезис вольт-амперной характеристики. Синтез новых халькогенидных соединений при катионном замещении марганца гадолинием в системах MnS и MnSe позволит выяснить влияние анионной системы в результате исследования его магниторезистивных свойств с концентрацией в области протекания ионов гадолиния по решетке x = 0,2. Экспериментальные данные объясняются в модели орбитального упорядочения и спин-орбитального взаи- модействия.