Влияние гамма радиации на вольтамперную характеристику поверхностно-барьерных структур металл-полупроводник с микрорельефной границей раздела
Автор: Абдикамалов Б.А., Тагаев М.Б., Статов В.А., Бекбергенов С.Е.
Журнал: Экономика и социум @ekonomika-socium
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 6-1 (73), 2020 года.
Бесплатный доступ
Работа посвящена результатам исследования радиационных обработок барьеров Шоттки с микрорельефной границей раздела. Показано изменение электрофизических параметров, проявляющееся в эволюции вольтамперных характеристик с нарастанием дозы облучения. Анализ ВАХ с помощью эквивалентной схемы, учитывающей все составляющие токопрохождения и наличие сопротивления подложки, показывает большую устойчивость микрорельефных структур к радиационным обработкам
Барьер шоттки, арсенид галлия, микрорельефная граница, вольтамперная характеристика, гамма-излучение
Короткий адрес: https://sciup.org/140252446
IDR: 140252446
Список литературы Влияние гамма радиации на вольтамперную характеристику поверхностно-барьерных структур металл-полупроводник с микрорельефной границей раздела
- Dmitruk N.L., Mamykin S.V., Rengevych O.V. Formation, geometric and electronic properties of microrelief Au-GaAs interfaces //Applied Surface Science. 2000 V. 166, I. 1-4, p.97-102
- Dmitruk N.L., Korovin A.V., Borkovskaya O.Yu., Dmytruk A.M., Mamontova I.B., Mamykin S.V. Plasmonic photovoltaics: Self-organized metal nanowires on the solar cell surface/interface//Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. 2012 p.408-411
- Венгер Е.Ф., Дмитрук Н.Л., Яструбчак О.Б. Дифракционные решетки на поверхности полупроводников и их использование в поляритонной оптоэлектронике. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1997. - Вып.32. - С.116-138.
- Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г., Тхорик Ю.А., Шаховцов В.И. Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5. Препринт № 6. - Киев: ИФ УССР. - 1986. -68 с
- Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.А. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики. // ФТП. - 1989. - 23. - № 12. - С.2113-2117.
- Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.А. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки. Вольтамперные характеристики контакта. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 1989. - Вып.5. - С.50-55.
- Браиловский Е.Ю., Конозенко И.Д. О дефектах, вводимых в GaAs n-типа при облучении g-квантами 60Со. // ФТП. - 1968. - 2. - № 11. - С.1620-1622.
- Belyaev A.E., Breza J., Venger E.F., Veseli M., Illin I.Yu., Konakova R.V., Liday J., Lyapin V.G., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Tkhorik Yu.A. Radiation resistance of GasAs-based microwave Schottky-barrier devices. Kiev: Interpress Ltd. 1998. 127 p.
- Belyaev A.E., Venger E.F., Ermolovich I.B., Konakova R.V., Lytvyn P.M., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Svechnokov G.S., Soloviev E.A., Fedorenko L.I. Effect of micorwave and laser radiations on the parameters of semiconductor streuctures. Kiev: Intas. 2002. 191 p.
- Danilchenko B. Budnyk A., Shpinar L., Poplavskyy D., Zelensky S.E., Barnham K.W.J., Ekins-Daukes N.J. 1 MeV electron irradiation influence on GaAs solar cell performance// Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2008. V. 92, I. 11, p. 1336-1340
