Влияние электрического и магнитного полей на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов при амплитудах относительной деформации 10 -7-10 -5

Исследования амплитудной зависимости внутреннего трения (ВТ) δ(ε0) и дефекта модуля Юнга (ДМЮ) ΔΜ    дают ценную информацию о дефектах струк- м (Ео)

туры реальных кристаллов и взаимодействии этих дефектов между собой. Изменения в состоянии дефектов вызывают перестройку микроструктуры, а, следовательно, и свойств реальных твёрдых тел, в том числе и щёлочно-галоидных кристаллов (ЩГК). Данные о влиянии различных факторов на поведение реальных твёрдых тел необходимо учитывать при их практическом использовании. Электрическое (ЭП) и магнитное (МП) поля оказывают существенное влияние на дислокационную неупругость (ВТ и ДМЮ) ЩГК, подвергаемых ультразвуковому (УЗ) действию. Эффекты, связанные с воздействием МП на дислокационную не-упругость ЩГК, зависят как от амплитуды УЗ действия, так и от индукции МП. Анализ этих эффектов при различных амплитудах относительной деформации ε 0 расширяет представления о механизмах влияния МП на структуру и механические свойства реальных твёрдых тел. Вопросы о возможных механизмах этого влияния обсуждаются в работах [1-3]. С другой стороны, характер влияния ЭП на дислокационную неупру-гость ЩГК зависит как от напряжённости ЭП E , так и от типа присутствующих в реальном кристалле дефектов [4, 5]. Так, в работе [5] в опытах с облучёнными рентгеновскими лучами кристаллами LiF установлено, что влияние ЭП сводится не только к его непосредственному воздействию на заряженные дислокации, но и на состояние введённых при облучении дефектов. Данные о природе присутствующих в кристаллах дефектах, на которые воздействует МП, и о механизмах этого воздействия можно получить, сравнивая амплитудные зависимости ВТ 5 ( е ₀) и ДМЮ ^^М ( _е ) при

М 0

испытаниях в ЭП и МП. Такие исследования в ЩГК были проведены в основном в области амплитуд относительной деформации ε0 10-5-10-3 [6, 7]. Испытания в более широкой области, включая и амплитуды 10-7-106, были выполнены лишь на кристаллах KBr [8]. Исследование в работе [8] для всего диапазона ε0 10-7-10-4 проводилось на одном и том же образце. Эти эксперименты позволили получить представление и о тех структурных дефектах, которые ответственны за амплитудные зависимости δ(ε0) и ΔΜ    в области ма

м 1

лых амплитуд относительной деформации 10^-7-10^-5. Представляет интерес продолжить начатые в работе [8] исследования по влиянию МП и ЭП на дислокационную неупругость ЩГК в области малых амплитуд ε ₀. Полученные результаты позволят выявить механизмы воздействия МП на дефекты структуры ЩГК при малых амплитудах ε ₀ и дадут представление о природе самих этих дефектов.

Техника эксперимента и исследованные образцы.

В данной работе проведены исследования амплитудной зависимости ВТ и ДМЮ при амплитудах ε 0 10⁷–10^-5 на кристаллах LiF(Mg²⁺, Ca²⁺), двух типах кристаллов NaCl, различающихся качественным составом двухвалентных примесей: NaCl_I(Ca²⁺) и NaCl_II(Mg²⁺, Ca²⁺) и кристаллах KCl(Ca²⁺). Статические пределы текучести исследованных кристаллов составляли соответственно 7,2 МПа, 4,2 МПа, 2,5 МПа и 0,9 МПа, исходная плотность дислокаций не превышала 10⁹ м^-2. Максимальное значение напряжённости используемого в работе ЭП составляло 1 ⋅ 10⁶ В/м. Индукция МП B изменялась в пределах 0,08–0,3 Тл. Сравнивались результаты амплитудных зависимостей 5 ( е ₀) и ^Ам (_е^ ) двух образцов с зеркальными сколами, один из которых испытывался в ЭП или МП, другой, контрольный – в отсутствие этих полей. Исследования зависимостей

ΔΜ

о ( е ₀) и --- (еа ) дополнены данными вольтамперных

М 0

характеристик V _р( V ), позволяющих глубже понять изменения в дислокационной структуре образца на различных этапах УЗ воздействия на кристалл [9]. Измерения ВТ проводились в стационарном режиме в кило-герцевом диапазоне частот с использованием метода Никанорова – Кардашева [10].

Амплитудные зависимости внутреннего трения контрольных образцов

На рис. 1 представлена амплитудная зависимость ВТ образца NaCl I , испытанного на частоте 73 кГц в области амплитуд относительной деформации ε 0 10^-6– 10^-4 в отсутствие ЭП и МП. Зависимость δ ( ε 0 ), так же как и в экспериментах с KBr [8], является немонотонной, на кривой обнаруживаются два пика, после прохождения второго, «большого» пика ВТ δ ( ε 0 ) снова возрастает. Это возрастание обусловлено, как показывает метод повторного травления, процессами размножения дислокаций в кристалле под действием УЗ.

Анализ пиков, представленных на рис. 1, показывает, что они имеют гистерезисную природу, т.е. обусловлены отрывом дислокаций от закрепляющих центров. Наличие двух пиков ВТ свидетельствует о том, что в NaCl I , так же как и в KBr [8], присутствуют два типа закрепляющих дислокацию центров.

δ, 10-4

л'

ε 0 , 10^-4

Рис. 1. Амплитудная зависимость внутреннего трения образца NaCl_I в области амплитуд относительной деформации ε ₀ 10 ^-6 –10 ^-4 на частоте 73 кГц.

Используя метод Супруна – Роджерса [11], по данным для возрастающих ветвей этих пиков рассчитывали параметры дислокационной структуры: расстояние между «сильными» точками закрепления на дислокации L_N ; число «слабых» центров на отрезке L_N , N ₀; максимальную силу связи F m и энергию связи U закрепляющего центра с дислокацией. Результаты расчёта приведены в таблице 1. Здесь же указаны значения угловых коэффициентов Γ для начальных участков возрастающих ветвей этих пиков, обработанных в спрямляющих координатах Гранато – Люкке [12].

Таблица 1

в этой области амплитуд, как уже отмечалось, являются ионы двухвалентных примесей. Основной эффект влияния ЭП E ~10⁵ В/м состоит в его непосредственном действии на заряженные краевые дислокации без изменения энергии связи стопора с дислокацией [13, 14]. С другой стороны, слабое МП с индукцией B 0,1–0,3 Тл изменяет состояние стопора, ослабляя его связь с дислокацией [15, 16].

В данной работе на разных ЩГК проведены исследования влияния ЭП и МП на амплитудные зависимости ВТ и ДМЮ в области первого, «малого» пика ВТ (рис. 1).

Влияние электрического поля. На рис. 2 представлены амплитудные зависимости ВТ образцов NaCl_II(Mg²⁺, Ca²⁺) в области амплитуд ε ₀, отвечающих первому пику ВТ, при испытаниях в ЭП E =6,7 ⋅ 10⁵ В/м (кривая 1) и контрольного образца (кривая 2). Видно, что при испытаниях в ЭП амплитуда ε m , отвечающая точке максимума кривой δ ( ε 0 ), сдвинута в область меньших значений. Обращает на себя внимание и тот факт, что амплитудно-независимые значения ВТ со стороны малых ε 0 при испытаниях в ЭП и без него близки между собой. Аналогичный эффект был обнаружен и в экспериментах с KBr [8]. В таблице 2 представлены параметры дислокационной структуры NaCl II , рассчитанные по возрастающим ветвям пиков ВТ рис. 2, при испытаниях в ЭП и без него.

δ, 10-5

12 1

Параметры	I пик	II пик
Γ, 10-5	4,79	27,2
LN ; 10-7 м	4,89	10,2
N 0	7	9
F m , 10-10 Н	0,28	1,92
U , эВ	0,07	0,48

Из сравнения данных, представленных в таблице 1, видно, что энергия связи дефекта, закрепляющего дислокацию, для области первого пика на порядок ниже, чем для второго. Аналогичные результаты были получены в экспериментах с KBr (0,03 эВ и 0,23 эВ соответственно) [8]. Значения энергии связи для области второго пика отвечают взаимодействию дислокации с ионами двухвалентной примеси, входящими в кристалл по типу замещения [13]. Для выяснения природы закрепляющего центра в области первого, «малого» пика необходимо рассмотреть результаты влияния ЭП и МП на амплитудные зависимости 5 ( е 0 ) и ^^М ( _е )

М ⁰ и сравнить энергии связи его с дислокацией при испытаниях в этих полях.

Влияние электрического и магнитного полей на амплитудные зависимости внутреннего трения и дефекта модуля Юнга при малых амплитудах относительной деформации 10-7–10-5

Амплитудные зависимости ВТ δ ( ε 0 ) в области второго, «большого» пика (рис. 1) для разных ЩГК при испытаниях в ЭП E ~10⁵ В/м и в МП B 0,1–0,3 Тл рассмотрены в работах [13-16]. Стопорами, отрыв от которых обуславливает амплитудную зависимость ВТ

0            2            4            6            8            10        ε₀, 10 -6

Рис. 2. Амплитудные зависимости внутреннего трения образцов NaCl_II при испытаниях в электрическом поле с напряжённостью E =6,7 ⋅ 10 ⁵ В/м (кривая 1) и E =0 (кривая 2) на частоте 40 кГц.

Таблица 2

Параметры	E =0	E =6,7⋅105 В/м
Γ, 10-6	4	4,9
LN ; 10- м	8,7	9
N 0	6	4
F m , 10-11 Н	1,73	1,69
U , эВ	0,043	0,042

Из сравнения данных, приведенных в табл. 2 видно, что энергии связи U закрепляющего центра с дислокацией при испытаниях в ЭП и без него имеют близкие значения, т.е. основная роль ЭП с напряжённостью E ~10⁵ В/м состоит в непосредственном воздействии на заряженные краевые дислокации [13]. Обращает на себя внимание и тот факт, что расстояние между

«сильными» точками закрепления L_N при испытаниях в ЭП и без него близки по значению. Величина L N в таблице 2 отвечает расстоянию между ионами двухвалентных примесей, входящими в кристалл по типу замещения [8]. Из сравнения первого пика на рис. 1 и пика кривой 2 рис. 2 видно, что амплитуда ε _m , отвечающая точке максимума кривой δ ( ε ₀), для NaCl_II(Mg²⁺, Ca²⁺) (рис. 2) имеет меньшие, чем для NaCl I (Ca²⁺), значения. Аналогичный эффект для области второго, «большого» пика в экспериментах с LiF II (Ba²⁺) и LiF_I(Mg²⁺) был обнаружен в работе [17]. Энергия связи закрепляющего центра с дислокацией в области «малого» пика, как видно из данных таблиц 1 и 2, зависит от качественного состава двухвалентных примесей. Для NaCl_I(Ca²⁺) она оказалась выше, чем для NaCl_II(Mg²⁺, Ca²⁺). Аналогичные пики в области малых амплитуд ε ₀ и их сдвиг в ЭП в область меньших ε ₀ обнаружены также и в экспериментах с LiF и KCl. Пример пика, обнаруженного в экспериментах с LiF(Mg²⁺, Ca²⁺) на частоте 40 кГц при испытаниях в ЭП E =6 ⋅ 10⁵ В/м в области амплитуд ε ₀ 10^-6–10^-5, представлен на рис. 3.

3 δ, 10^-4

2,5

1,5

Наряду с амплитудной зависимостью δ ( ε ₀) исследовалась и амплитудная зависимость ДМЮ ^^М ( _е )

М ⁰

того же образца. Данные ДМЮ позволяют рассчитать средние смещения u колеблющихся дислокационных сегментов при различных амплитудах ε 0 [8], а также среднее расстояние L_c между «слабыми» точками закрепления дислокации, расположенными на отрезке L_N [17]. Соответствующий расчёт показывает, что среднее смещение дислокационного сегмента u для NaCl_I при амплитуде ε ₀=4,8 ⋅ 10^-6 на частоте 73 кГц составило 18,5 А при E =0 и 50 А при E =1 - 10 6 В/м. Длина сегмента L_c до включения поля оказалась равной 1,9 ⋅ 10^-7 м, после включения поля – 6,7 ⋅ 10^-7 м. Как уже отмечалось, краевые дислокации в ЩГК заряжены и окружены компенсирующим зарядом, образующим облако Дебая – Хюккеля [13]. Расчёт радиусов этих облаков с использованием формул, приведенных в работе [13], даёт значения 104 А для LiF, 93 А для NaCl I и 89 А для KCl. Следовательно, при амплитудах, отвечающих «малому» пику ВТ, дислокации в ЭП E ~10⁶ В/м под действием УЗ колеблются внутри окружающих их зарядовых облаков, не выходя за их пределы. Аналогичный эффект был обнаружен и в экспериментах с KBr [8].

Влияние магнитного поля. На рис. 4 представлены амплитудные зависимости ВТ образцов NaClI на частоте 40 кГц при испытаниях в МП B=0,2 Тл (кривая 1) и контрольного образца (кривая 2) в области малых амплитуд ε0.

3,1

δ, 10 ^-4

• ⁰ 0         0,5         1          1,5         2         2,5         3      ε, 10 -5

Рис. 3. Амплитудная зависимость внутреннего трения образца LiF(Mg ²⁺ , Ca ²⁺ ) при испытаниях в электрическом поле с напряжённостью E =6 ⋅ 10 ⁵ В/м.

Энергия связи закрепляющего центра с дислокацией, рассчитанная по данным этого пика, составила 0,11 эВ. Аналогичный пик в опытах с LiF того же примесного состава на частоте 40 кГц был обнаружен ранее в работе [4] при испытаниях в ЭП E =8,7 ⋅ 10⁵ В/м. Амплитуда ε m этого пика оказалась сдвинутой в область меньших, по сравнению с пиком рис. 3, значений, энергия же связи (0,10 эВ) соответствовала данным рис. 3. Представляет интерес, как это было сделано с NaCl I (таблица 1), сравнить результаты, полученные для LiF по данным для «малого» (рис. 3) и «большого» пиков. Согласно работе [18], амплитуда ε _m для точки максимума второго пика на частоте 40 кГц для исходного образца LiF составила ε m =2,5 ⋅ 10^-4, а энергия связи U =0,73 эВ. Следовательно, энергия связи стопоров с дислокацией для области второго пика в LiF в несколько раз превосходит соответствующую энергию для первого, «малого» пика. Это также находится в соответствии с данными работы [8]. Согласно[8], в экспериментах с KBr энергия связи закрепляющего центра с дислокацией для области «малого» пика при испытаниях в ЭП E =8,5 ⋅ 10⁵ В/м и без него составила 0,03 эВ.

2,9

2,7

2,5

2,3

2,1

1,9

ОО     О О О О

1,7

1,5

0                   5                  10                  15               ε₀,10 ^-6

Рис. 4. Амплитудные зависимости внутреннего трения образцов NaCl_I на частоте 40 кГц при испытаниях в магнитном поле B =0,2 Тл (кривая 1) и B =0 (кривая 2).

Видно, что при испытаниях в МП высота пика ВТ возрастает, а амплитуда ε _m смещается в область меньших значений. Видно также, что амплитуднонезависимое ВТ со стороны малых ε 0 в МП, в отличие от испытаний в ЭП (рис. 2) имеет большие значения, чем для контрольного образца. Расчёт энергии связи закрепляющего центра с дислокацией [11] по данным кривых рис. 4 показал, что U =0,07 эВ для контрольного образца и 0,04 эВ при испытаниях в МП. Аналогичный эффект смещения малого пика на кривой δ ( ε ₀) в область меньших амплитуд ε ₀ и возрастание величины амплитудно-независимого ВТ при испытаниях в МП B =0,15 Тл был обнаружен в экспериментах с LiF на частоте 80 кГц. Значения энергии связи составили

0,098 эВ для контрольного образца и 0,025 эВ при испытаниях в МП. При увеличении индукции МП амплитудная зависимость ВТ обнаруживается при меньших амплитудах ε0, а сами кривые идут круче, чем при B=0. На рис. 5 представлены возрастающие участки кривых δ(ε0) для NaClI на частоте 40 кГц при B=0,2 Тл (кривая 1) и B=0,3 Тл (кривая 2). Аналогичный эффект был обнаружен и для кривых ^М (s ). Используя данные

М 0

для ДМЮ, отвечающие амплитуде ε0=1,5⋅10-5, для LiF были рассчитаны средние смещения колеблющихся дислокационных сегментов u при различных значе- ниях индукции МП B (0,08–0,3 Тл). Установлено, что значения u возрастают с увеличением B, но имеют меньшие значения, чем радиус зарядового облака. Таким образом, при амплитудах ε0 10-7–10-5 как в МП, так и без него, дислокации под действием УЗ колеблются, не выходя за пределы зарядовых облаков. Особенности выхода колеблющихся краевых дислокаций за пределы зарядовых облаков рассмотрены в работе [4]. В экспериментах с LiF в МП B=0,5 Тл при ε0=5⋅10-6 значение Lc составило 7⋅10-7 м, т.е. оказалось соизмеримым с расстоянием между «сильными» точками закрепления, в роли которых выступают ионы двухвалентных примесей [8].

₆ δ, 10^-4

ответствующие значения ВТ выше, чем для кривой 2. Следовательно, эффект влияния МП оказывается выше, чем ЭП. В таблице 3 сравниваются параметры дислокационной структуры, рассчитанные по возрастающим ветвям пиков кривых 1 и 2 рис. 6.

Из сравнения данных, представленных в таблицах 2 и 3, видно, что значения энергии связи дислокации со стопором в NaClII при испытаниях в ЭП и без него практически одинаковы, в то время как при испытаниях в МП энергия связи оказывается ниже, чем в ЭП.

Аналогичные эффекты обнаружены и в экспериментах с KCl (рис. 7).

• 3,3 δ, 10^-4

2,8

2,3

1,8

1,3

0,8

0        2        4        6        8       10       12       14         -6

Рис.6. Амплитудные зависимости внутреннего трения образцов NaCl_II на частоте 80 кГц при испытаниях в магнитном поле B =0,2 Тл (кривая 1) и в электрическом поле E =7 ⋅ 10 ⁵ В/м (кривая 2).

₆ δ, 10^-5

0               2               4                6               8           ε 0 , 10^-6

Рис. 5. Начальные участки кривых амплитудной зависимости внутреннего трения образцов NaCl_I на частоте 40 кГц при B =0,2 Тл (кривая 1) и B =0,3 Тл (кривая 2).

Сравнение амплитудных зависимостей внутреннего трения и дефекта модуля Юнга при испытаниях в электрическом и магнитном полях.

Таблица 3

Параметры	B =0,2 Тл	E =7⋅105 В/м
Γ, 10-5	0,99	1,03
LN ; 10- м	7,8	9,0
N 0	6	4
F m , 10-11 Н	1,02	1,72
U , эВ	0,025	0,043

На рис. 6 сравниваются амплитудные зависимости ВТ для NaCl II на частоте 80 кГц при испытаниях в МП B =0,2 Тл (кривая 1) и в ЭП E =7 ⋅ 10⁵ В/м (кривая 2). Из сравнения кривых рис. 6 видно, что амплитуда ε m для кривой 1 сдвинута в область меньших значений, а со-

0         0,5          1          1,5          2         2,5          3      ε₀, 10^-6

Рис. 7. Амплитудные зависимости внутреннего трения образцов KCl на частоте 40 кГц при испытаниях в магнитном поле B =0,3 Тл (кривая 1) и в электрическом поле E =8,7 ⋅ 10 ⁵ В/м (кривая 2).

В таблице 4 сравниваются параметры дислокационной структуры KCl, отвечающие кривым 1 и 2 рис. 7.

Таблица 4

Параметры	B =0,3 Тл	E =8,7⋅105 В/м
Γ, 10-6	7,9	9,0
LN ; 10- м	7,4	9,1
N 0	7	5
F m , 10-11 Н	0,70	1,31
U , эВ	0,019	0,036

Эффект более значительного разупрочнения ЩГК при УЗ испытаниях в МП, по сравнению с соответствующими опытами в ЭП, обнаруживается и на ам- плитудных зависимостях ^М (е ). На рис. 8 представ-

М ⁰

лены соответствующие зависимости для образцов NaCl II на частоте 73 кГц при испытаниях в МП B =0,3 Тл (кривая 1) и в ЭП E =8,7 ⋅ 10⁵ В/м (кривая 2).

ΔΜ/Μ, 10-5

10               15

ε 0 , 10^-6

Рис 8. Амплитудные зависимости дефекта модуля Юнга образцов NaCl_II на частоте 73 кГц при испытаниях в магнитном поле B =0,3 Тл (кривая 1) и в ЭП E =8,7 ⋅ 10 ⁵ В/м (кривая 2).

Видно, что при испытаниях в МП ДМЮ имеет более высокие значения, чем в ЭП.

Существует пороговое поле, вызывающее магнитопластический эффект при малых амплитудах ε 0 . Так, для LiF на частоте 40 кГц при ε 0 =2 ⋅ 10^-6 индукция этого поля составила 0,7 Тл.

Более значительное возрастание пластичности образца при испытаниях в МП подтверждают и данные вольтамперных характеристик (ВАХ) V р ( V ). Здесь V – напряжение, подаваемое на обкладки пьезокварца, V _р – напряжение на дополнительном сопротивлении, подключаемом к кварцевому осциллятору. По изменению V р на различных этапах действия УЗ можно судить об изменении внутренних напряжений в образце [9]. На рис. 9 сравниваются начальные участки кривых V р ( V ) образцов LiF при испытаниях в МП B =0,3 Тл (кривая 1) и в ЭП E =8,7 ⋅ 10⁵ В/м (кривая 2).

V р , В

1,2

0,6

0,4

0,2

Рис. 9. Вольтамперные характеристики V _р( V ) образцов LiF на частоте 40 кГц при испытаниях в магнитном поле B =0,3 Тл (кривая 1) и в электрическом поле E =8,7 ⋅ 10 ⁵ В/м (кривая 2).

Видно, что в МП образец оказывается значительно более разупрочнённым, чем в ЭП. Используя методику, предложенную в работе [19], с помощью ВАХ рис. 9 можно определить стартовые напряжения τ ^st, которые необходимо преодолеть дислокационным сегментам при УЗ воздействии. Соответствующий расчёт показал, что значение τ ^st составило 2,1 МПа при испытаниях в ЭП и 1,5 МПа – в МП. Таким образом, «слабое» МП B ~0,1–0,3 Тл значительно сильнее разупрочняет образец, чем ЭП E ~10⁵–10⁶ В/м.

Основные выводы и заключение.

Исследование амплитудной зависимости внутреннего трения щёлочно-галоидных кристаллов в широкой области амплитуд относительной деформации показало наличие двух пиков гистерезисной природы, наблюдаемых в области амплитуд относительной деформации 10-7–10-5 и 10-5–10-4. Пик, отвечающий области амплитуд 10-5–10-4, обусловлен отрывом дислокаций от ионов двухвалентных примесей, входящих в кристалл по типу замещения. Основная цель работы состояла в выяснении природы закрепляющих центров, ответственных за возникновение пика в области амплитуд 10-7–10-5. С этой целью были проведены исследования амплитудной зависимости внутреннего трения и дефекта модуля Юнга в электрическом и магнитном полях. Эти исследования были дополнены расчётом параметров дислокационной структуры, включая энергию связи закрепляющего центра с дислокацией и среднее смещение колеблющегося дислокационного сегмента. Установлено, что электрическое поле с напряжённостью E~105 В/м не изменяет энергию связи закрепляющего центра с дислокацией, но вызывает смещение колеблющегося дислокационного сегмента, это облегчает его отрыв от закрепляющих центров. Смещение дислокационного сегмента в ЭП E~105 В/м в области амплитуд 10-7–10-5 не превосходило размеров зарядового облака, окружающего дислокацию. Процессы, обнаруживаемые в ЩГК при испытаниях в более высоких электрических полях с напряжённостью E~106–107 В/м, рассматриваются в работе [20]. Слабое магнитное поле с индукцией B~0,1–0,3 Тл также способствовало отрыву дислокаций от закрепляющих центров, но, в отличие от электрического поля, уменьшало энергию связи закрепляющего центра с дислокацией. Этот факт указывает на парамагнитную природу центров закрепления, ответственных за эффекты в области амплитуд ε0 10-7–10-5. Полученные в работе значения для энергии связи позволяют утверждать, что такими парамагнитными центрами являются катионные вакансии. По данным работы [21], энергия связи катионной вакансии с дислокацией значительно ниже, чем энергия связи иона двухвалентной примеси, входящей в кристалл по типу замещения. Влияние магнитного поля на амплитудные зависимости внутреннего трения и дефекта модуля Юнга в области малых амплитуд относительной деформации является частным случаем проявления магнитопластического эффекта. Физические процессы и общие закономерности, обуславливающие этот эффект, рассмотрены в работах [22, 23]. Теоретические представления о механизмах воздействия магнитного поля на внутреннее трение диамагнитных материалов, включая и щёлочно-галоидные кристаллы, с позиций магнитопластического эффекта обсуждаются в работе [24].

Таким образом, в работе установлено, что основными центрами закрепления, ответственными за амплитудные зависимости внутреннего трения и дефекта модуля Юнга в области амплитуд ε 0 10^-7–10^-5 являются катионные вакансии, энергия связи их с дислокацией на порядок ниже, чем ионов двухвалентных примесей.