Влияние электрического поля на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов при амплитудах относительной деформации 10 -5–10 -3 в области килогерц
Автор: Красников В.Л., Светашов А.А.
Журнал: Академический журнал Западной Сибири @ajws
Рубрика: Физика. Математика
Статья в выпуске: 2 (45) т.9, 2013 года.
Бесплатный доступ
Короткий адрес: https://sciup.org/140220940
IDR: 140220940
Список литературы Влияние электрического поля на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов при амплитудах относительной деформации 10 -5–10 -3 в области килогерц
- Тяпунина Н.А., Наими Е.К., Зиненкова Г.М. Действие ультразвука на кристаллы с дефектами. -М.: Изд-во МГУ, 1990. -218 с.
- Тяпунина Н.А., Белозёрова Э.П. Заряженные дислокации и свойства щёлочно-галоидных кристаллов//УФН. -1988. -Том 156, № 4. -С. 683-717.
- Rabier J., Pals M.P.//Phil. Mag. A. -1989. -Vol. 59, № 3. -P. 533-546.
- Meja C., Broder F., Mijangos R.//Phys. Stat. Sol. -1979. -Vol. 91, № 2. -P. 705-711.
- Белозёрова Э.П. Заряженные дислокации в ЩГК. -Кострома, 1985. -103 с. -Деп. в ВИНИТИ. -№ 2520-85 Деп.
- Физика электропластичности щёлочно-галоидных кристаллов. -Новосибирск: Наука, 1990. -120 с.
- Тяпунина Н.А., Коломийцев А.И. Влияние электрического поля на стартовые напряжения и длину пробега дислокаций в кристаллах NaCl//Кристаллография. -1972. -Том 17, № 6. -С. 258-262.
- Смирнов Б.И., Куличенко А.М. Влияние электрического поля на кривые напряжение -деформация//Известия РАН, сер. физ. -1994. -№ 10. -С. 197-200.
- Тютюнник А.В. Влияние электрического поля на состояние структурных дефектов, подвижность дислокаций и пластические свойства ионных кристаллов. -Автореферат дисс. на … к.ф-м.н. -Тамбов, 1997. -15 с.
- Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Нефёдов Е.В. О месте появления новых дислокаций при их электрополевой генерации//Кристаллография. -1990. -Том 35, № 1. -С. 237-241.
- Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Солдатова Л.Ю. Кинетика дефектообразования в ЩГК в сверхсильном электрическом поле//Известия вузов. Физика. -1997. -№ 4. -С. 3-6.
- Криштопов С.В., Куличенко А.Н. Упрочнение кристаллов KCl при воздействии внешнего электрического поля//ФТТ. -1990. -Том 32, № 8. -С. 2373-2376.
- Brantley W.S., Bauer C.L.//Phil. Mag. -1989. -№ 20. -P. 41-54.
- Белозёрова Э.П., Супрун И.Т. Влияние электрического поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щёлочно-галоидных кристаллов при малых амплитудах//Известия вузов. Физика. -1989. -№ 2. -С. 47-50.
- Светашов А.А., Красников В.Л. Влияние электрического и магнитного полей на дислокационную неупругость кристаллов KBr в области килогерц//Академический журнал Западной Сибири. -2012. -№ 5. -С. 50-56.
- Красников В.Л., Светашов А.А. Влияние электрического и магнитного полей на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов при амплитудах относительной деформации 10-7-10-5//Академический журнал Западной Сибири. -2013. -Том 9, № 1. -С. 62-67.
- Turner R.M., Whitworth R.W.//Phil. Mag. -1970. -Vol. 21, № 174. -P. 87-192.
- Suprun I.T. Determination of Dislocation Structure Parameters from Data on the Amplitude Dependence of Internal Friction//Phys. Stat. Sol. (a) -1990. -Vol. 120. -P. 363-369.
- Влияние сильных электрического и магнитного полей на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов в широкой области амплитуд относительной деформации//XXV ВНТК «Современные проблемы математики и естествознания». -Н. Новгород: Диалог, 2009. -С. 20-23.
- Красников В.Л., Белозёрова Э.П. Влияние магнитного поля на дислокационную структуру и внутреннее трение LiF в широкой области амплитуд относительной деформации//Академический журнал Западной Сибири. -2009. -№ 4. -С. 34-38.
Статья
