Влияние литирования на проводимость анодного композита Si@O@Al
Журнал: Международный журнал гуманитарных и естественных наук @intjournal
Рубрика: Физико-математические науки
Статья в выпуске: 9-2 (108), 2025 года.
Бесплатный доступ
Приведены результаты исследования проводимости анодного композитного материала Si@O@Al:Lix, где x=0 ат.%; 5 ат.% и 9 ат.%. На основании данных циклической вольтамперометрии и электрохимической импеданс-спектроскопии тестовых структур Ti|Si@O@Al:Lix|Ti показано, что при x=0 Si@O@Al:Lix вырожденный дырочный полупроводник. Нелинейность вольтамперной характеристики тестовой структуры свидетельствует о варисторном характере проводимости в объеме композита. При x=5 ат.% и 9 ат.% композит - скомпенсированный вырожденный электронный полупроводник, в котором варисторный эффект отсутствует. Отсутствие варисторного эффекта при x>0 объясняется появлением ионного перколяционного кластера, который шунтирует диспергатор электронного перколяционного кластера.
Похожие статьи в разделе Электричество. Магнетизм. Электромагнетизм
Короткий адрес: https://sciup.org/170211311
IDS: 170211311 | DOI: 10.24412/2500-1000-2025-9-2-75-84
Effect of lithiation on the conductivity of the anodic composite Si@O@Al
The article presents the result of study on the anodic composite material Si@O@Al:Lix conductivity, where x=0 at.%; 5 at.% and 9 at.%. Based on the data of cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy of the test structures Ti|Si@O@Al:Lix|Ti, it is shown that at x=0 Si@O@Al:Lix is a degenerate hole semiconductor. The nonlinearity of the current-voltage characteristic of the test structure indicates the varistor nature of conductivity in the bulk of the composite. At x=5 at.% and 9 at.%, the composite is a compensated degenerate electron semiconductor, in which the varistor effect is absent. The absence of the varistor effect at x>0 is explained by the appearance of an ionic percolation cluster, which shunts the dispersant of the electron percolation cluster.
