Влияние литирования на проводимость анодного композита Si@O@Al

Приведены результаты исследования проводимости анодного композитного материала Si@O@Al:Lix, где x=0 ат.%; 5 ат.% и 9 ат.%. На основании данных циклической вольтамперометрии и электрохимической импеданс-спектроскопии тестовых структур Ti|Si@O@Al:Lix|Ti показано, что при x=0 Si@O@Al:Lix вырожденный дырочный полупроводник. Нелинейность вольтамперной характеристики тестовой структуры свидетельствует о варисторном характере проводимости в объеме композита. При x=5 ат.% и 9 ат.% композит - скомпенсированный вырожденный электронный полупроводник, в котором варисторный эффект отсутствует. Отсутствие варисторного эффекта при x>0 объясняется появлением ионного перколяционного кластера, который шунтирует диспергатор электронного перколяционного кластера.