Влияние напряжённости электрического поля на дислокационную неупругость щелочно-галоидных кристаллов, подвергнутых рентгеновскому облучению
Автор: Красников В.Л., Светашов А.А.
Журнал: Академический журнал Западной Сибири @ajws
Рубрика: Физика. Математика
Статья в выпуске: 3 (46) т.9, 2013 года.
Бесплатный доступ
Короткий адрес: https://sciup.org/140220965
IDR: 140220965
Список литературы Влияние напряжённости электрического поля на дислокационную неупругость щелочно-галоидных кристаллов, подвергнутых рентгеновскому облучению
- Воробьёв А.А. Механические и тепловые свойства щёлочно-галоидных кристаллов. -М.: Высшая школа, 1968. -270 с.
- Molotskii M.I., Kris R.E., Fleurov V.//Phys. Rev. -1995. -Vol. B 51, № 18. -P. 12531-12535.
- Frankl D.R.//Phys. Rev. -1953. -Vol. 92, № 3 -C. 573-579.
- Красников В.Л., Светашов А.А. Влияние электрического поля на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов при амплитудах относительной деформации 10-5-10-3 в области килогерц//Академический журнал Западной Сибири. -2013. -Том 9, № 2 (45) -С. 60-65.
- Белозёрова Э.П., Красников В.Л., Грачёва А.А. Влияние предварительного рентгеновского облучения на дислокационную неупругость кристаллов LiF в широкой области амплитуд относительной деформации//Академический журнал Западной Сибири. -2011. -№ 6. -С. 3-7.
- Тяпунина Н.А., Белозёрова Э.П. Заряженные дислокации//Успехи физических наук. -1988. -Т. 156, вып. 4. -С. 683-717.
- Davidge R.W.//J. Phys. Chem. Solids. -1964. -Vol. 25. -P. 907.
- Головин Ю.И., Моргунов Р.В., Тютюнник А.В., Жуликов С.Е., Афонина Н.М. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl//Физика твёрдого тела. -1998. -Том 40, № 12. -С. 2184-2188.
- Куличенко А.Н., Криштопов С.В., Смирнов Б.И. Влияние напряжённости электрического поля на электропластический эффект в кристаллах KCl//Физика твёрдого тела. -1987. -Том 29, № 6. -С. 1826-1831.
- Криштопов С.В., Куличенко А.Н. Упрочнение кристаллов KCl при воздействии внешнего электрического поля//ФТТ. -1990. -Т. 32, № 8. -С. 2373-2376.
- Смирнов Б.И., Куличенко А.М. Влияние электрического поля на кривые напряжение -деформация//Известия РАН, сер. физ. -1994. -№ 10. -С. 197-200.
- Зуев Л.Б. Физика электропластичности щёлочно-галоидных кристаллов. -Новосибирск: Наука, 1990. -120 с.
- Волькенштейн Ф.Ф. Электроны и кристаллы. -М.: Наука, 1983.
- Белозёрова Э.П., Красников В.Л., Светашов А.А. Влияние электрического поля на внутреннее трение облучённых кристаллов LiF//Академический журнал Западной Сибири. -2012. -№ 2. -С. 40-44.
- Suprun I.T. Determination of Dislocation Structure Parameters from Data on the Amplitude Dependence of Internal Friction//Phys. Stat. Sol. (a). -1990. -Vol. 120. -P. 363-369.
- Soifer Y.M. Mechanism of Dislocation Pinning in g irradiated NaCl Crystals//Phys. Stat. Sol. (a). -1971. -Vol. 4, № 11. -P. 333-337.
Статья
