Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов на основе диоксида кремния
Автор: Белянин Алексей Федорович, Багдасарян Александр Сергеевич, Багдасарян Сергей Александрович, Павлюкова Елена Раилевна
Статья в выпуске: S, 2020 года.
Бесплатный доступ
Исследовано влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов на основе опаловых матриц (упорядоченных упаковок шаровых частиц SiO2), в межшаровых пустотах которых были синтезированы различные вещества. Экспериментальная часть работы выполнена с образцами опаловых матриц с диаметром шаровых частиц SiO2 = 260 нм. Нанокомпозиты формировали многократным заполнением опаловых матриц растворами солей (оксидов) металлов и выдержкой образцов при температуре = 670...720 К, после чего проводился отжиг при 970...1470 К. Химические реакции и фазовые превращения веществ в пустотах опаловых матриц зависели от параметров отжига, а также химических свойств промежуточных соединений, их термической устойчивости и способности к взаимодействию с SiO2. Установлено формирование у нанокомпозитов кристаллических фаз: 1) SiO2; 2) SiO2 совместно с синтезируемыми в пустотах веществами; 3) только синтезируемых веществ; 4) SiO2 совместно с синтезируемыми в пустотах веществами и продуктами взаимодействия веществ с SiO2. Получены нанокомпозиты с заполнением межшаровых пустот опаловых матриц металлами, сегнето- и пьезоэлектриками, мультиферроидными и другими веществами.
Опаловые матрицы, нанокомпозиты, отжиг, фазовые превращения
Короткий адрес: https://sciup.org/148309590
IDR: 148309590 | DOI: 10.25586/RNU.V9187.20.05.P.013
Текст статьи Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов на основе диоксида кремния
Создание 3 D -решеток нанокристаллитов различных веществ позволяет формировать композитные структуры с характеристиками, недостижимыми для массивных материалов. Для формирования трехмерных нанокомпозитов (метаматериалов) перспективно введение разнообразных веществ в пустоты нанометрового диапазона пористых материалов. В качестве пористого материала с упорядоченной решеткой пустот распространение получили опаловые матрицы – правильная укладка одинаковых по диаметру (Δ d ≈ 4…6 %) шаровых частиц аморфного SiO2, диаметры которых в зависимости от условий формирования могут варьироваться от ≈ 200 до ≈ 700 нм [1–3]. Плотнейшая укладка шаровых частиц содержит упорядоченную систему сообщающихся пустот, занимающих ≈ 26 % объема матрицы.
Нанокомпозиты на основе опаловых матриц перспективны в электронной технике при создании твердотельных СВЧ-устройств [4–8], в частности, они могут использоваться как магнитные носители и магнитные датчики [9–13], применяться в сенсорах, источниках электромагнитных излучений [14]. Генерация акустических волн и направленного рентгеновского излучения при лазерном воздействии на опаловые матрицы может использоваться при разработке и изготовлении различных устройств для медицины, рентгенографии [15]. Опаловые матрицы применимы для культивирования на них клеток различных типов, в том числе стволовых, а также поддержки дифференцирования клеток в разных направлениях в соответствии с особенностями мест трансплантации [16–19]. Получение биоматериалов с требуемыми функциональными характеристиками заключается в моделировании свойств, определяющих совместимость минеральных (опаловых матриц) и клеточных материалов. Таким образом, опаловые матрицы могут быть пригодными для использования при создании биоискусственных трансплантатов органов и тканей.
Вещества вводят в пустоты пористой матрицы преимущественно их синтезом непосредственно в пустотах [20, 21]. Проблемой получения метаматериалов заданного состава и строения на основе опаловых матриц является химическая активность синтезируемых в нанопустотах веществ. Работа посвящена изучению влияния условий синтеза на кристаллизацию веществ в пустотах опаловых матриц.
Методика эксперимента
Опаловые матрицы получали из раствора следующего состава: 1 часть гидроксида аммония (NH3·H2O), 50 частей этанола и 1,6 частей тетраэфира ортокремниевой кислоты (Si(ОС2Н5)4). Нанокомпозиты формировали в два этапа. На первом этапе в пустотах опаловых матриц получали оксиды с применением многократного (до 25 циклов) заполнения образцов растворами солей (оксидов) и выдержки образцов при ≈ 670…720 К в течение ≈ 1 ч. Пустоты опаловых матриц заполняли растворами: 1) нитратов, хлоридов или фосфатов металлов в воде, водно-спиртовой смеси, водных растворах соляной (HCl), орто-фосфорной (H3PO4) или борной (H3BO3) кислот; 2) оксидов металлов в 10%-м растворе HCl. На втором этапе образцы отжигали при 970…1470 К в течение 4…24 ч на воздухе или в водороде (H2). Были получены нанокомпозиты с заполнением синтезируемыми веществами до 60 % объема межшаровых пустот.
Строение опаловых матриц и нанокомпозитов изучали на растровом (Carl Zeiss Supra 40-30-87) и просвечивающем (JEM 200С) электронных микроскопах. Состав нано-
Белянин А.Ф. и др. Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов...
композитов определяли с использованием рентгеновского дифрактометра XRD-6000 (Сu-Kα излучение) и лазерного спектрометра комбинационного рассеяния света LabRAM HR800 (линия 632,8 нм He-Ne лазера).
Результаты и их обсуждение
Строение опаловых матриц и нанокомпозитов. В работе использовали образцы опаловых матриц объемом 0,5…1 см3 с диаметром шаровых частиц SiO2 ≈260 нм (Δ d ≈ 4 %) (рис. 1, а , б ).

а
б
Рис. 1. Сканирующая ( а ) и просвечивающая ( б ) электронная микроскопия опаловых матриц
Упаковка шаровых частиц SiO2 образует решетку, имеющую тетраэдрические (Т1, Т2) и октаэдрические (Ок) пустоты (рис. 2, а , б ). На рисунке 2, в , г представлены объемные модели опаловых матриц и вещества, полностью заполнившего межшаровые пустоты. На рисунке 2, б , г на гранях тетраэдров и октаэдров приведены вогнутые линии сечений межшаровых пустот, а на рисунке 2, д представлена форма синтезированного материала, полностью заполнившего межшаровые пустоты.
Кристаллизация SiO2 при отжиге опаловых матриц. На рентгенограммах опаловых матриц, отожженных при температурах < 1470 К, дифракционных максимумов от SiO2 не обнаружили из-за малого < 1 нм размера кристаллитов (областей когерентного рассеяния). Рентгеновской дифрактометрией опаловых матриц, отожженных на воздухе при ≥ 1470 К, установлено образование фазы SiO2-кристобалит (пространственная группа P 41212), имеющей размер кристаллитов ≈ 20 нм.
Образование рентгеноаморфных фаз синтезируемых веществ и кристаллизация SiO2. В процессе отжига образцов опаловых матриц, пустоты которых заполнены аморфными веществами, при 970…1470 К происходила кристаллизация SiO2. На рисунке 3 представлены рентгенограммы нанокомпозитов при формировании одной кристаллической фазы SiO2: SiO2-кристобалит ( P 41212) (рис. 3, кривая 1 ) или SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ) (рис. 3, кривая 2 ). При высоких температурах возникает локальное давление в местах контакта шаровых частиц аморфного SiO2, при котором SiO2 последовательно превращается в SiO2-коэсит ( C 2/ c ), а затем в SiO2-стишовит ( P 42/ mnm ).

в г д
Рис. 2. Два ( 1 , 2 ) уровня шаровых частиц SiO2 ( а ); геометрическое представление полинговских октаэдра и тетраэдра ( б ); объемные фрагменты (вырез по плоскостям {111}): в – опаловой матрицы; г – нанокомпозита; д – вещества, заполнившего пустоты
Кристаллические фазы SiO2-коэсит, SiO2-китит ( P 4121) и SiO2-стишовит, образующиеся при высоких давлениях и температурах, были получены только в парах с другими кристаллитами SiO2: SiO2-коэсит и SiO2-стишовит с SiO2-кварц ( P 3221); SiO2-китит с SiO2-кристобалит ( P 41212) и SiO2-кварц ( P 3221).

Рис. 3. Рентгеновские дифрактограммы опаловых матриц, пустоты которых заполнены аморфными оксидами Y ( 1 ) и Pb ( 2 )
Белянин А.Ф. и др. Влияние условий получения н а состав и строение нанокомпозитов...
Ниже приведены примеры кристаллизации в нанокомпозитах двух фаз SiO без образования кристаллических фаз синтезируемых в пустотах веществ.
-
1. При заполнении пустот раствором солей Fe(NO3)2 и Bi(NO3)3 в H2O и отжига (1170 К, 24 ч) образуются кристаллиты – SiO2-китит ( P 43212) и SiO2-кристобалит ( P 41212).
-
2. Cu(NO3)2 и Co(NO3)2 в H2O (1170 К, 4 ч) – SiO2-кварц ( P 3221) и SiO2 ( I 2/a).
-
3. Pr(NO3)3 и Mn(NO3)2 в HCl (1220 К, 4 ч) – SiO2-кристобалит ( P 41212) и SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ).
-
4. Gd(NO3)3 и TiCl3 в HCl (1170 К, 4 ч) – SiO2-кварц ( P 3221) и SiO2 ( I 212121).
-
5. In O и MnO в HCl (1070 К и 1170 К, 4 ч) – SiO -кварц ( P 3 21) и SiO -стишовит ( P 42/ mnm );
-
6) LiNO3 в H3BO3 (970 К, 4 ч) – SiO2-кристобалит ( P 41212) и SiO2-стишовит ( P 42/ mnm ); SiO2 ( I 4 ̄ 2 d ).
На рисунке 4 представлены рентгенограммы, показывающие образование 2-3-х фаз SiO . В различных сочетаниях происходила кристаллизация фаз: SiO -кристобалит ( P 41212) (рис. 4, кривые 1 , 2 , 7 ); SiO2-кварц ( P 3121) (рис. 4, кривые 2 , 3 , 4 , 5 ); SiO2 ( I 2/ a ) (рис. 4, кривая 3 ); SiO2 ( I 212121) (рис. 4, кривая 4 ); SiO2 ( I 4 ̄ 2 d ) (рис. 4, кривая 7 ); SiO2-китит ( P 43212) (рис. 4, кривая 1 ); SiO2-стишовит ( P 42/ mnm ) (рис. 4, кривые 5 , 7 ); SiO2-кварц ( P 3221) (рис. 4, кривая 6 ). Кристаллизация фаз SiO2 при одинаковом составе аморфных оксидов зависела от температуры отжига (рис. 4, кривые 1 , 2 ).
Образование при отжиге кристаллических фаз только синтезируемых веществ. Ниже приведены примеры образования в нанокомпозитах кристаллических фаз только синтезируемых веществ.
-
1. При заполнении раствором солей Yb(NO3)3 и TiCl3 в HCl (1170 К, 4 ч) в пустотах опаловых матриц образуется кристаллическая фаза Yb2Ti2O7 ( Fd 3 m ).
-
2. Tb(NO3)3 и TiCl3 в HCl (1170 К, 4 ч) – Tb2Ti2O7 ( Fd 3 m ).
-
3. Ba(NO3)2 и TiCl3 в HCl (1120 К, 4 ч) – BaTiO3-перовскит ( P 4 mm ).
На рис. 5, кривая 1 , представлена рентгенограмма нанокомпозита, показывающая образование при отжиге образца только кристаллической фазы Bi2Ti2O7 ( Fd 3 m ). При других параметрах отжига совместно с Bi2Ti2O7 образуется фаза TiO2-рутил ( P 42/ mnm ). Также в пустотах были получены кристаллические фазы: LaMn2O5 ( Pbam ) (рис. 5, кривая 2 ); TiO2-рутил ( P 42/ mnm ); (рис. 5, кривая 3 ); FeO ( Fm 3 m ) (рис. 5, кривая 4 ); BaTiO3-перовскит ( P 4 mm ) (рис. 5, кривая 5 ); Ni3Fe ( Pm 3 m ) (отжиге в H2 при 1000 К) (рис. 5, кривая 6 ).
Образование при отжиге кристаллитов синтезируемых веществ одновременно с рекристаллизацией SiO2. Ниже приведены примеры образования при отжиге образцов кристаллических фаз синтезируемых в пустотах веществ совместно с кристаллизацией SiO2.
-
1. При заполнении раствором солей LiNO3 и Ni(NO3)2 в H3PO4 и отжига (1070 К, 4 ч) в пустотах опаловых матриц образуются кристаллические фазы P2O5 ( Fdd 2); SiO2-кристобалит ( P 41212); SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ).
-
2. LiNO3 в H3BO3 (1170 К, 4 ч) – Li4B2O5 ( Pb 21 a ); SiO2-кварц ( P 3121); SiO2-кристобалит ( P 41212).
-
3. Sr(NO3)2 и TiCl3 в HCl (1420 К, 4 ч) – TiO2-рутил ( P 42/ mnm ); SiO2-кристобалит ( P 41212).
-
4. Ni(NO3)2 и TiCl3 в HCl (1170 К, 12 ч) – NiTiO3 ( R 3 ̄ ); Ni2.44Ti0.77O4 ( Fd 3 ̄ m );
-
5. Zn(NO3)2 в H2O (1070 К, 4 ч) – Zn2SiO4 ( R 3 ̄ ); SiO2-кварц ( P 6222); SiO2-кристобалит ( P 41212).
-
6. LiNO3 и Co(NO3)2 в H3PO4 (1270 К, 4 ч) – LiCoPO4 ( Pnma ); SiO2-кристобалит ( P 41212); SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ).
-
7. Pr(NO3)3 и TiCl3 в HCl (1220 К, 4 ч) – Pr2Ti2O7 ( P 21); SiO2-кристобалит ( P 41212); SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ).

Рис. 4. Рентгеновские дифрактограммы опаловых матриц, пустоты которых заполнены аморфными оксидами: Bi и Fe (1170 К, 24 ч ( 1 ); 1270 К, 4 ч ( 2 )); Co и Cu (1170 К, 4 ч) ( 3 ); Gd и Ti (1170 К, 4 ч) ( 4 ); In и Mn (1170 К, 4 ч) ( 5 ); Ba (1170 К, 4 ч) ( 6 ); Li и B (970 К, 4 ч) ( 7 )
NiO ( Fm 3 ̄ m ); SiO2 ( Pc ). . .
Белянин А.Ф. и др. Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов...
8) Er(NO3)3 и TiCl3 в HCl (1220 К, 4 ч) – Er2TiO5 (гексагональная сингония);
SiO2 ( I 2/ a ).

Рис. 5. Рентгеновские дифрактограммы опаловых матриц, пустоты которых заполнены кристаллитами: Bi2Ti2O7 ( 1 ); LaMn2O5 ( 2 ); TiO ( 3 ); FeO ( 4 ); BaTiO3 ( 5 ); Ni3Fe ( 6 )
Совместно с синтезируемыми в пустотах опаловых матриц кристаллитами соединений заданного состава образуется одна (рис. 6, а ) или две (рис. 6, б ) фазы SiO2. Установлено образование кристаллитов диоксидов кремния: SiO2-кристобалит ( P 41212); SiO2-кварц ( P 3221); SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ); SiO2 ( Pc ); SiO2-тридимит (орторомбическая сингония); SiO2-кварц ( P 6222); SiO2 ( P 41212), SiO2-коэсит ( C 2/ c ); SiO2-стишовит ( P 42/ mnm ) и др. По рентгенограмме опаловой матрицы, пустоты которой содержали соединения на основе Ni и Ti, обнаружены кристаллиты: NiTiO3 ( R 3); Ni2TiO4 ( Fd 3 m ); NiO ( Fm 3 ̄ m ) и SiO2 ( Pc ) (рис. 6, а , кривая 1 ). На рентгеновской дифрактометрии опаловых матриц, пустоты которых содержали соединения на основе Li, Co и P, обнаружены кристаллиты: Co3(PO4)2 ( P 21/ b ); SiO2-коэсит ( C 2/ c ) (рис. 6, а , кривая 2 ). При заполнении пустот соединениями на основе Dy, Er и Ti обнаружены кристаллиты Dy2Ti2O7 ( Fd 3 m ) и SiO2-кристобалит ( P 41212) (рис. 6, а , кривая 3 ); Er2TiO5 (гексагональная сингония); Ti0.72O2-анатаз ( I 41/ amd ) и SiO2 ( I 2/ a ) (рис. 6, а , кривая 4 ); TiO2-рутил ( P 42/ mnm ) и SiO2-кварц ( P 3221) (рис. 6, а , кривая 5 ).
При заполнении пустот опаловых матриц соединениями на основе Er и Ti обнаружены кристаллиты:Er2Ti2O7(Fd3̄m);SiO2-кварц(P3221)иSiO2-коэсит(C2/c)(рис.6, б,кривая 1), а при заполнении оксидами на основе Zn – кристалллиты: ZnO (P63mc); SiO2-кварц (P6222) и SiO2*-кристобалит (P41212) (рис. 6, б, кривая 2). Рентгеновская дифрактомет- рия опаловых матриц, пустоты которых содержат соединения на основе Ni и Ti (отжиг при 1070 К), позволила установить кристаллиты: InMnO3 (P21/n); SiO2-кварц (P3221) и SiO2*-стишовит (P42/mnm) (рис. 6, б, кривая 3). При заполнении соединениями на основе Co и P установлены кристаллиты LiCoPO4 (Pnma); SiO2-кристобалит (P41212) и SiO2*-тридимит (P63/mmc) (рис. 6, б, кривая 4). Рентгенофазовый анализ образца опаловой матрицы с синтезированными в пустотах кристаллитами Pr2Ti2O7 (P21) показал образование SiO2-кристобалит (P41212) и SiO2*-тридимит (P63/mmc) (рис. 6, б, кривая 5). Анализ нанокомпозитов с титанатами других (помимо Pr) редкоземельных металлов позволил установить кристаллиты: Gd2Ti2O7; Tb2Ti2O7; Dy2Ti2O7; Yb2Ti2O7 (все – Fd3m); Er2TiO5 (гексагональная сингония); а также TiO2-рутил (P42/mnm) и Ti0.72O2-анатаз (I41/amd). В нанокомпозитах, содержащих указанные титанаты редкоземельных металлов, образовывались кристаллиты SiO2-кристобалит (P41212); SiO2-тридимит (P63/mmc) и SiO2 (I2/a).

а
Белянин А.Ф. и др. Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов...

б
Рис. 6. Рентгеновские дифрактограммы опаловых матриц, пустоты которых содержат кристаллиты: а – оксидов Ni и Ti ( 1 ); Co3(PO4)2 ( 2 ); Dy2Ti2O7 ( 3 ); Er2TiO5 и Ti072O2 ( 4 ); TiO2-рутил ( 5 );
б – Er2Ti2O7 ( 1 ); ZnO ( 2 ); InMnO3 ( 3 ); LiCoPO4 ( 4 ); Pr2Ti2O7. ( 5 )
Рентгенофазовый анализ образцов опаловых матриц, содержащих в пустотах титанаты свинца, показал образование кристаллитов PbTiO3 ( P 4 mm ); SiO2-кристобалит ( P 41212); SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ) и SiO2 ( I 2/ a ). Для нанокомпозита на основе опаловой матрицы и PbTiO3 по спектрам комбинационного рассеяния света показан фазовый переход PbTiO3 от тетрагональной ( P 4 mm ) в кубическую сингонию ( Pm 3 m ) при нагреве образца до температуры 820 К (рис. 7, а ). Во всем температурном интервале на спектрах комбинационного рассеяния света присутствуют полосы от кристаллитов SiO2. Значения сдвига комбинационного рассеяния света (Δν) и уширения полос на спектрах композитных материалов зависят от размера кристаллитов, синтезированных в пустотах веществ.
Спектры комбинационного рассеяния света образцов опаловых матриц, содержащих в пустотах кристаллиты TbMn2O5, представлены на рисунке 7, б . В отличие от измеренных при температуре Т ≈ 290 К на спектрах комбинационного рассеяния света, измеренных при температурах 570 и 820 К, наблюдали перемещение полос, как в сторону увеличения, так и уменьшения значений Δν, и проявление дополнительных полос. Подобные изменения спектров характерны для всех исследованных в настоящей работе манганитов редкоземельных металлов. Полосы при Δν 211…214 и 475…489 см–1 характерны для кристаллитов SiO2 (рис. 7, б ).

а

б
Рис. 7. Спектры комбинационного рассеяния света опаловых матриц, пустоты которых содержат: а – PbTiO3 ( Т = 290 ( 1 ) и 820 К ( 2 )); б – TbMn2O5 ( Т = 290 ( 1 ), 570 ( 2 ) и 820 К ( 3 ))
Белянин А.Ф. и др. Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов...
По рентгенограммам нанокомпозитов установлено наличие следующих кристаллических фаз манганитов редкоземельных металлов типа R MnO3: NdMnO3 ( Pbnm ); LaMnO3. ( R 3 ̄ c ); YMnO3 ( P 63 сm ) и R Mn2O5: ErMn2O5 ( Pbam ); GdMn2O5 ( Pbam ); LaMn2O5 ( Pbam ); NdMn2O5 ( Pbam ); TbMn2O5 ( Pbam ); YbMn2O5 ( Pbam ). При получении манганитов La в зависимости от условий синтеза формировались фазы LaMnO или LaMn O . В образцах манганитов редкоземельных металлов, синтезированных при температуре ≥ 1070 К, установлены следующие кристаллиты диоксида кремния: SiO2 ( P 3221); SiO2-кристобалит ( P 41212) и SiO2-коэсит ( C 2/ c ), а при синтезе титанатов редкоземельных металлов – SiO2-кристобалит ( P 41212); SiO2-тридимит ( P 63/ mmc ) и SiO2 ( I 2/ a ).
Взаимодействие синтезируемых веществ c SiO2. В ряде интервалов температур отжига в зависимости от концентраций заполняющих пустоты растворов синтезируемый материал взаимодействовал с SiO2 с образованием кремнийсодержащих соединений. Ниже приведены примеры взаимодействия синтезируемых веществ c SiO2.
-
1. При заполнении пустот опаловых матриц раствором солей LiNO3 и Ni(NO3)2 в H3PO4 и отжига (1170 К, 12 ч) образуются кристаллические фазы Si5(PO4)6O; ( R 3 с ); SiO2-тридимит (орторомбическая сингония); SiO2-кристобалит ( P 41212).
-
2. Ni(NO3)2 и V(NO3)2 в H2O (1170 К, 4 ч) – Ni2SiO4 ( Fd 3 ̄ m ); SiO2-кристобалит ( P 41212).
-
3. LiNO3 и Nd(NO3)3 в H2O (1170 К, 4 ч) – Li2Si2O5 ( Cсс 2); SiO2-кварц ( P 3221).
-
4. Bi(NO3)3 и Fe(NO3)2 в H2O (1150 К, 4 ч) – Bi4(SiO4)3 ( R 3 ̄ c ); SiO2 ( P 41212).
-
5. Fe(NO3)2 в H2O (1170 К в Ar, 4 ч) – FeSi ( P 213); Fe2Si ( P 3 ̄ m ); Fe2(SiO4) ( Pbnm ); SiO2-кристобалит ( P 41212).
-
6. Bi(NO3)3 и Fe(NO3)2 в H2O (1070 К, 4 ч) – Bi4(SiO4)3 ( R 3 ̄ c); Fe2O3 ( R 3 ̄ c ); SiO2 ( P 41212).
При синтезе соединений на основе титанатов Li – Zn формировалась фаза Li2(Si2O5) ( Ccc 2); оксида Zn – Zn2SiO4-вилемит ( R 3); соединений на основе Fe – Fe2(SiO4) ( Pbnm ) и Fe2Si ( P 3 m ). При синтезе оксидов Yb и Mn формировалась фаза (Mn2O3)3MnSiO3 ( I 4 ̄ c 2); оксидов Co и Mn – Co2SiO4 ( Pbnm ); оксидов Mn и Y – Y2SiO5 ( P 21/ c ); оксидов Nd и Mn – Nd4Mn(SiO4)3O ( P 63/ m ); оксидов Zn и Mn – MnSiO3 ( P 21/ c ); оксида Dy – Dy2Si2O7 ( Pbam ); оксидов Li и Ni – Si5(PO4)6O ( R 3 ̄ с ); оксидов Ni и V – Ni2SiO4 ( Fd 3 ̄ m ); оксидов Li и Nd – Li2Si2O5 ( Cсс 2); оксидов Bi и Fe – Bi4(SiO4)3 ( R 3 ̄ c ); оксидов Fe – FeSi ( P 213); Fe2Si ( P 3 ̄ m ); Fe2(SiO4) ( Pbnm ). Помимо манганитов редкоземельных металлов происходило образование соединений, содержащих Mn и Si: Mn . Mn6O8(SiO4) ( I 41/ acd ); Nd4Mn(SiO4)3O ( P 63/ m ).
При взаимодействии синтезируемых веществ с SiO2 параллельно могут формироваться кристаллические фазы SiO2. Таким образом, образование кремнийсодержащих соединений происходит как без формирования, так и с формированием кристаллических фаз SiO2 (рис. 8). При синтезе соединений на основе оксидов Pb и Mn в результате взаимодействия с SiO2 формировались фазы Pb3Mn2Si2O9 ( C 2221); SiO2-кристобалит ( P 41212) (рис. 8, кривая 1 ); оксидов Sr – Sr3Si3O9 ( С2 ); SiO2-кварц ( P 3221) (рис. 8, кривая 2 ); оксидов Y и Fe – Y2Si2O7 ( C 2/ m ); SiO2-кварц ( P 3221) (рис. 8, кривая 3 ).

Рис. 8. Рентгеновские дифрактограммы нанокомпозитов на основе опаловых матриц, содержащих в пустотах кристаллиты Pb3Mn2Si2O9 ( 1 ); Sr3Si3O9 ( 2 ); Y2Si2O7 ( 3 )
Начало взаимодействия с SiO2 соединений, содержащих Ba, Sr или Zn, имело место в области 1120…1170 К, тогда как для оксидов Ti и лантаноидов подобное взаимодействие не наблюдалось до 1470 К. При температурах ≥ 1270 К происходило взаимодействие с SiO2 синтезируемых в пустотах веществ, содержащих Pb. Форма включений синтезированных веществ зависела от условий синтеза и в основном представляла равноосные частицы (рис. 9, а , б ).
При температурах отжига < 970 К оксиды Zn с SiO2 не взаимодействовали (рис. 9, а ). Взаимодействие оксидов Zn с SiO2 приводило к значительному деформированию шаровых частиц SiO2 (рис. 9, в ). Аналогичная картина наблюдалась при синтезе соединений на основе Zn совместно с другими металлами. При введение соединений, содержащих Sr, например, смеси отксидов La, Sr и Mn, при температурах отжига > 1070 К происходило их взаимодействие с SiO2 и изменение формы шаровых частиц. Была установлена слабая деформация шаровых частиц SiO2 при взаимодействии с оксидами Ba. Взаимодействие с SiO2 для таких минерализаторов, как Ba, Sr, Pb, Zn, начиналось при 1070…1120 К, тогда как для титана, лантаноидов, иттрия и некоторых других – не наблюдалось вплоть до 1470 К. Было показано, что температура начала кристаллизации рентгеноаморфного SiO2 лежит в диапазоне 1120…1220 К, заметно снижаясь при попадании в пустоты указанных минерализаторов. По указанной причине для устойчивой кристаллизации в пустотах опаловых матриц выбранных материалов наиболее эффективной является область 1170…1220 К.
Часто кремнийсодержащие фазы кристаллизуются без формирования кристаллических фаз SiO2, например, кристаллические фазы силикатов на основе редкоземельных и переходных металлов и различных соединений заданного состава. Ниже приведены примеры указанных взаимодействий.
Белянин А.Ф. и др. Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов...


в
Рис. 9. Просвечивающая электронная микроскопия нанокомпозитов на основе опаловых матриц, содержащих в пустотах оксиды металлов: а – Mn, Co, Zn и Fe (отжиг при 970 К;
-
1 – шаровые частицы SiO2, 2 – синтезированные в пустотах кристаллиты); б – La и Mn (1270 К);
в – Zn с образованием Zn2Si3O5 (1370 К)
-
1. При заполнении раствором Yb(NO3)3 и Mn(NO3)2 в H2O и отжига (1270 К, 4 ч) в пустотах опаловых матриц образуются (Mn2O3)3MnSiO3 ( I 4 ̄ c 2); Mn2O3 ( I a3 ̄ ).
-
2. Co(NO3)2 и Mn(NO3)2 в H2O (1170 К, 4 ч) – Co2SiO4 ( Pbnm ).
-
3. Zn(NO3)2 и Mn(NO3)3 в H2O (1170 К, 4 ч) – Zn2SiO4-вилемит ( R 3 ̄ ).
-
4. Mn(NO3)2 и YCl3 в H2O (1070 К, 4 ч) – Y2SiO5 ( P 21/ c ); YMnO3 ( P 63/ mmc ); Mn2O3 ( Ia 3 ̄ ).
-
5. Nd(NO3)3 и Mn(NO3)2 в H2O (1170 К, 4 ч) – Nd4Mn(SiO4)3O ( P 63/ m ).
-
6. Zn(NO3)2 и Mn(NO3)2 в H2O (1170 К, 12 ч) – ZnMn2O4 ( I 41/amd); MnSiO3 ( P 21/ c ).
-
7. Dy(NO3)3 и TiCl3 в HCl (1170 К, 4 ч) – Dy2Ti2O7 ( Fd 3 ̄ m ); Dy2Si2O7 ( Pbam ).
Помимо указанных выше, в пустотах формировались кристаллиты Li2Si2O5 ( Cсс 2); Sr3Si3O9 ( С 2); Y2Si2O7 ( C 2/ m ); Pb3Mn2Si2O9 ( C 2221); Si5(PO4)6O ( R 3 ̄ с ); Mn . Mn6O8(SiO4) ( I 41/ acd ); Ni2SiO4 ( Fd 3 ̄ m ); Li2(Si2O5) ( Ccc 2); Bi4(SiO4)3 ( R 3 ̄ c ); FeSi ( P 213); Fe2Si ( P 3 ̄ m ) и др.
26 Специальный выпуск
Заключение
Функциональные свойства и эффективность применения опаловых матриц и нанокомпозитов на их основе зависят от состава и строения введенных в нанопустоты веществ. Понимание особенностей кристаллизации веществ в структурных пустотах опаловых матриц позволит производить ранее неизвестные композитные метаматериалы с трудно достижимыми или невозможными в существующих материалах свойствами.
Публикуется с разрешения «Журнала радиоэлектроники»
Список литературы Влияние условий получения на состав и строение нанокомпозитов на основе диоксида кремния
- Nishijima Y., Ueno K., Juodkazis S., Mizeikis V, Misawa H., Tanimura T., Maeda K. Inverse silica opal photonic crystals for optical sensing applications. Optics express, 2007, vol. 15, no. 20, pp. 12979-12988.
- Miguez H., Blanco A., Lopez C., Meseguer F., Yates H.M., Pemble M.E., Lopez-Tejeira F., Garcia-Vidal F.J., Sanchez-Dehesa J. Face centered cubic photonic bandgap materials based on opal-semiconductor composites. J. of lightwave technology, 1999, vol. 17, no. 11, pp. 1975-1981.
- Tuyen L.D., Wu C.Y., Anh T.K., Minh L.Q., Kan H.-C., Hsu C.C. Fabrication and optical characterization of SiO2 opal and SU-8 inverse opal photonic crystals. J. of experimental nanoscience, 2012, vol. 7, no. 2, pp. 198-204.
- Armstronga E., O'Dwyer C. Artificial opal photonic crystals and inverse opal structures - fundamentals and applications from optics to energy storage. J. of materials chemistry C, 2015, vol. 3, pp. 6109-6143.
- Sarychev A.K., Shalaev V.M. Electrodynamics of metamaterials. World Scientific and Imperial College Press, 2007, 200 p.