Взаимное влияние компонент в композите (KH2PO4)1-х / (Pb0.95Ge0.05Te)х
Автор: Меределина Татьяна Александровна
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 6-1 т.16, 2014 года.
Бесплатный доступ
Исследованы диэлектрические свойства композитов (КН 2PO 4) 1- х /(Pb 0.95Ge 0.05Te) х. Показано, что с увеличением доли Pb 0.95Ge 0.05Te диэлектрическая проницаемость значительно возрастает и сильно зависит от частоты, фазовый переход ( T c = 123 K) размывается и на температурном ходе ґ( T ) появляется гистерезис. Определен вклад дополнительного механизма поляризации, связанного с накоплением свободных носителей на границах доменных стенок и компонент.
Композит, фазовый переход, диэлектрическая проницаемость, поляризация
Короткий адрес: https://sciup.org/148203495
IDR: 148203495
Список литературы Взаимное влияние компонент в композите (KH2PO4)1-х / (Pb0.95Ge0.05Te)х
- Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлекрические кристаллы . М.: Мир, 1965. 555 с.
- Лайнс M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с.
- Busch G., Scherrer P. A New Seignette-electric Substance//Naturwiss. 1935. V.23. Р. 737 -738.
- Особенности диэлектрических аномалии в Pb1?xGexTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода/С.В. Барышников, А.С. Барышников, А.Ф. Баранов, В.В. Маслов.//ФТТ. 2008. Т.50. ¹7, С. 1270-1273.
- Photostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor/V.V. Maslov, S.V. Baryshnikov, Ya.V. Copelevich//Ferroelectrics. 1982. V.45. P. 51-56.
- Виноградов А.П. Электродинамика композитных материалов. М.: Эдиториал УССР, 2001. 208 с.
- Ferroelectric polarization-leakage current relation in high quality epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films/L. Pintilie, I. Vrejoiu, D. Hesse, G. LeRhun, M. Alexe//Physical Review B. 2007. V.75. P. 104103 -104108.
- Меределина Т. А., Барышников С. В. Влияние свободных носителей на электрические свойства кристаллов KNbO3//Известия Самарского научного центра РАН. 2013. Т. 15. № 4. С. 72-74.
