A model for the conduction in polycrystalline silicon thin film transistors
Автор: Kandouci Malika, Mottet S., Kandouci C.
Журнал: Техническая акустика @ejta
Статья в выпуске: т.5, 2005 года.
Бесплатный доступ
The aim of this paper is the analysis, prediction and optimisation of polysilicon thin film transistors (TFTs) in both « on » and « off » states. We have established a physical model which accounts for the grain, the grain surface and grain boundaries. The conduction mechanisms and the exchange between electron and hole populations are explicitly considered. Field effects are included through the influence of carrier velocity saturation, impact ionisation and interband tunnel effect. A fair agreement between experimental characteristics and simulated results is obtained, and the simulations allow a good insight into the main mechanisms controlling the TFT operation modes. Keywords: Polysilicon, dangling bonds, band tail states, TFT, simulation, generation-recombination, impact ionisation, interband tunnel effect
Короткий адрес: https://sciup.org/14316237
IDR: 14316237
Модель проводимости тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния
Целью статьи является анализ, прогноз и оптимизация тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния. Представлена модель, учитывающая зернистость, поверхность зерен и их границы. Детально рассмотрен механизм проводимости и обмен между электронами и дырками. Полевые эффекты учитываются через влияние скорости носителей заряда, ударную ионизацию и межзонный тоннельный эффект. Результаты моделирования и экспериментальные данные хорошо согласуются. Моделирование позволяет глубже понимать основные механизмы управления работой тонкопленочного транзистора.
