Модель проводимости тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния

Целью статьи является анализ, прогноз и оптимизация тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния. Представлена модель, учитывающая зернистость, поверхность зерен и их границы. Детально рассмотрен механизм проводимости и обмен между электронами и дырками. Полевые эффекты учитываются через влияние скорости носителей заряда, ударную ионизацию и межзонный тоннельный эффект. Результаты моделирования и экспериментальные данные хорошо согласуются. Моделирование позволяет глубже понимать основные механизмы управления работой тонкопленочного транзистора.