Анализ причин появления и влияния LER-эффекта на свойства фотонных интегральных схем
Автор: Кульпинов М.С., Лосев В.В., Балашов А.Г., Переверзев А.Л., Красюков А.Ю.
Журнал: Международный журнал гуманитарных и естественных наук @intjournal
Рубрика: Технические науки
Статья в выпуске: 11-2 (98), 2024 года.
Бесплатный доступ
В рамках этой работы был проведен анализ основных факторов, приводящих к возникновению LER-эффекта, а также изучены особенности передачи дефектов фоторезистивной маски на формируемые структуры и методы оценки шероховатостей краев маски и морфологии поверхностей наноструктур. Рассмотрены особенности влияния литографических процессов и технологий переноса изображений на топологические характеристики фотонных интегральных схем (ФИС), что влияет на качество получаемых структур. Дополнительно проанализированы причины изменений морфологии и предложены ключевые подходы к контролю и снижению LER-эффекта: улучшение процесса фотолитографии, выбор специальных материалов и методик их нанесения для создания антиотражающих покрытий и жестких масок, а также внедрение дополнительных технологий, таких как плазменная обработка, и других методов модификации поверхности формируемых слоев.
Неровности края линии фоторезиста, ler-эффект, фотонные интегральные схемы
Короткий адрес: https://sciup.org/170208311
IDR: 170208311 | DOI: 10.24412/2500-1000-2024-11-2-233-236
Список литературы Анализ причин появления и влияния LER-эффекта на свойства фотонных интегральных схем
- Nanofabrication: Principles, Capabilities and Limits // Zheng Cui, Springer, 2017. - 343 p. ISBN: 0-387-75577-2
- Minimization of line edge roughness and critical dimension error in electron-beam lithography, Xinyu Zhao, Soo-Young Lee, Jin Choi, Sang-Hee Lee, In-Kyun Shin, and Chan-Uk Jeon, 2014. - Р. 14.
- Microchip fabrication: A practical guide to semiconductor processing // Zant P.V., 6th ed. - 2014. - Р. 45.
- Waldrop, M.M. The chips are down for Moore's law. - 2016. - 147 p.
- Church J. et al. Fundamental characterization of stochastic variation for improved single-expose extreme ultraviolet patterning at aggressive pitch // Micro/Nanolithography, MEMS, MOEMS. - 2020. - Vol. 19, № 3.
- Yoon M.Y., Yeom H.J., Kim J.H., et al. Plasma etching of the trench pattern with high aspect ratio mask under ion tilting // Applied Surface Science, 2022. EDN: EFQCOW
- Lee G.H., Hwang S., Yu J., et al. Architecture and process integration overview of NAND flash technologies // Applied Sciences, 2021.
- Chung Y.A., Lung C.Y., Chiu Y.C., et al. Study of Plasma Arcing Mechanism in High Aspect Ratio Slit Trench Etching // 30th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC). IEEE, 2019.
- Mack C.A.Comparing edge detection algorithms: their impact on unbiased roughness measurement precision and accuracy // Proc. SPIE 11325, Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXXIV, 113250P, March 2020.
- Kang I., Kim T., Hur S., Ban C., Park J., Oh H. Line width roughness variation and printing failures caused by stochastic effect at extremeultraviolet exposure // Proc. SPIE 11609, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography XII, 116091K, 22 February 2021.
