Анализ способов снижения LER-эффекта при создании фотонных интегральных схем
Автор: Кульпинов М.С., Лосев В.В., Балашов А.Г., Переверзев А.Л., Красюков А.Ю.
Журнал: Международный журнал гуманитарных и естественных наук @intjournal
Рубрика: Технические науки
Статья в выпуске: 11-2 (98), 2024 года.
Бесплатный доступ
В работе проведен анализ способов и экспериментальных технологий по уменьшению неровностей фоторезистивной маски, воздействующие на характеристики ФИС, связанные с оптимизацией процесса фотолитографии, использование специализированных материалов и технологий их нанесения при формировании слоев антиотражающих покрытий и жесткой маски, применение дополнительных технологий и способов обработки поверхности формируемых слоев.
Неровности края линии фоторезиста, ler-эффект, фотонные интегральные схемы
Короткий адрес: https://sciup.org/170208874
IDR: 170208874 | DOI: 10.24412/2500-1000-2024-11-2-229-232
Список литературы Анализ способов снижения LER-эффекта при создании фотонных интегральных схем
- Патент Российской Федерации RU 2 827 959 C1.
- Nanofabrication: Principles, Capabilities and Limits, Zheng Cui, Springer, 2017, 343 р.
- Kim I, Park S, Jeong C, Shim M, Simulator acceleration and inverse design of fin field-effect transistors using machine learning. Scientific Reports. 2022.
- Chen H. et al. "Line Edge Roughness Modeling for Continuous Time-space Resist Simulations", 2024 2nd International Symposium of Electronics Design Automation (ISEDA), Xi'an, China, 2024.
- Kao M.Y., Kam H., Hu C. Deep-Learning-Assisted Physics-Driven MOSFET Current-Voltage Modeling. IEEE Electron Device Letters. 2022.
