Измерение площади кристаллов, выращиваемых из жидкого расплава по способу Чохральского, на основе управления условиями замыкания контактного датчика уровня расплава
Автор: Саханский С.П.
Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии @technologies-sfu
Статья в выпуске: 7 т.8, 2015 года.
Бесплатный доступ
Для кристаллов, выращиваемых из жидкого расплава по способу Чохральского, разработана математическая модель контроля текущей площади кристалла на основе управления условиями замыкания контактного датчика уровня расплава в тигле, позволяющая вычислить сигнал управления как разность текущей и заданной площади выращиваемых кристаллов.
Тигель, датчик уровня, выращивание, кристаллы
Короткий адрес: https://sciup.org/146115010
IDR: 146115010 | DOI: 10.17516/1999-494X-2015-8-7-835-850
Статья научная
