Быстрое термическое окисление карбида кремния

Автор: Ивенин С.В., Крестьянсков Ф.Ю.

Статья в выпуске: 3 т.2, 2014 года.

Бесплатный доступ

В статье рассматриваются особенности процесса термического окисления карбида кремния, в частности, низкие темпы роста оксидной пленки на поверхности карбида кремния и обсуждаются способы быстрого окисления пластин карбида кремния

Карбид кремния, нетермическая активация, нитрирование плёнки, плёнки sio2, термическое окисление, фотонный нагрев

Короткий адрес: https://sciup.org/147248763

IDR: 147248763

Список литературы Быстрое термическое окисление карбида кремния

Основы технологии кремниевых интегральных схем: окисление, диффузия, эпитаксия / под ред. Р. Бургера и Р. Донована; пер. с англ. - М.: Из-во М.: Мир., 1969.
Baliga B. J. Silicon Carbide Power Devices. - World Scientific, 2005.
Silicon Carbide. Materials, Processing and Applications in Electronic Devices / Edited by Moumita Mukherjee, Published by InTech, 2011.
Constant A., Camara N., Godignon P., Berthou M., Camessel J., Decams J.-M. Rapid and efficient oxidation process of SiC by in-situ multiple RTP steps. Silicon Carbide and Related Materials - 2009, Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010) - pp. 817-820.
Рембеза С. И. Рябинина И.А., Тимохин Д.П. Термическое окисление SiC. Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии // VII Международная конференция. - Кисловодск - Ставрополь: СевКавГТУ, 2007. - С.212-216.
Das M. K. Recent advances in (0001) 4H-SiC MOS Devices Technology. Silicon Carbide and Related Materials - 2003, Materials Science Forum. - Vols 457-460 (2004).- pp. 1275-1280.

Статья научная