Управление формой полупроводниковых кристаллов при выращивании по способу Чохральского
Автор: Саханский С.П.
Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии @technologies-sfu
Статья в выпуске: 1 т.7, 2014 года.
Бесплатный доступ
Предложена модель формирования температуры и скорости вытягивания полупроводниковых кристаллов при выращивании по способу Чохральского, которая позволяет управлять формой кристаллов, обеспечивая плоский фронт кристаллизации и получение качественной готовой продукции.
Модель, выращивание, полупроводниковые кристаллы
Короткий адрес: https://sciup.org/146114818
IDR: 146114818
Статья научная
