Физико-химические основы выращивания варизонного полупроводникового Si1-xGex твердого раствора из жидкой фазы
Автор: Раззаков Алижон Шоназарович, Матназаров Анвар Рустамович, Латипова Муборак Аманбаевна, Жапаков Азамат Икромбоевич
Журнал: Бюллетень науки и практики @bulletennauki
Рубрика: Химические науки
Статья в выпуске: 9 т.6, 2020 года.
Бесплатный доступ
Выращены монокристаллические пленки варизонного твердого раствора Si1-xGex (01-xGex, выращенных при различных технологических условиях, а также влияние кластерообразования в растворе, кристаллическая совершенность структуры пленок при росте. Приведены оптимальные технологические режимы роста, для получения кристаллических совершенных эпитаксиальных слоев и структур.
Эпитаксия, кристаллизация, раствор-расплав, твердый раствор, дислокация, подложка, седиментация, дисперсная фаза, дисперсионная среда, ультрамикрогетерогенная, кластер
Короткий адрес: https://sciup.org/14117869
IDR: 14117869 | DOI: 10.33619/2414-2948/58/01
Список литературы Физико-химические основы выращивания варизонного полупроводникового Si1-xGex твердого раствора из жидкой фазы
- Fadaly, E. M. T., Dijkstra, A., Suckert, J. R., Ziss, D., van Tilburg, M. A. J., Mao, C., … Bakkers, E. P. A. M. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys // Nature. 2020. V. 580. №7802. P. 205-209. DOI: 10.1038/s41586-020-2150-y
- Saidov A. S., Usmonov S. N., Amonov K. A., Niyazov S., Khudayberdiyeva A. I. Photothermovoltaic Effect in p-Si-n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Structure // Applied Solar Energy. 2019. V. 55. №5. P. 265-268. DOI: 10.3103/S0003701X19050116
- Сапаев Б., Саидов А. С. Исследование некоторых свойств структур Si-Si1-xGex (0≤ x≤ 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. №10. С. 1183-1188.
- Раззаков А. Ш., Курбанов Д. Ш. Зависимость дислокаций на твердом растворе Si1-xGex от температур роста на контактной фазе "твердое тело-жидкость" // РИАК-XII-2020. Республиканская конференция-2020. С. 275-277.
- Saidov A. S., Razzakov A. S., Risaeva V. A., Koschanov E. A. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1-x(ZnSe)x // Materials chemistry and physics. 2001. V. 68. №1-3. P. 1-6. DOI: 10.1016/S0254-0584(00)00230-3
- Боцелев С. П., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е. Кристаллизация эпитаксиальных слоев AlGaAs из ограниченного объема раствора-расплава // Неорганические материалы. 1977. Т. 13. №5. С. 769-772.
- Saidov A. S., Usmonov S. N., Kalanov M. U., Kurmantayev A. N., Bahtybayev A. N. Structural and some electrophysical properties of the solid solutions Si1-xSnx (0 ≤ X ≤ 0.04) // Physics of the Solid State. 2013. V. 55. №1. P. 45-53. DOI: 10.1134/S1063783413010290
- Saidov A. S. et al. Photothermovoltaic Effect in p-Si-n-(Si2)1-x-y (Ge2)x(ZnSe)y Structure // Applied Solar Energy. 2019. V. 55. №5. P. 265-268. DOI: 10.3103/S0003701X19050116
- Щукин Е. Д., Перцов А. В., Амелина Е. А. Коллоидная химия. М.: Высш. шк., 2004. 444 с.
