Формирование вакансионных дефектов в двумерных структурах
Автор: Какорин И.А.
Журнал: Международный журнал гуманитарных и естественных наук @intjournal
Рубрика: Физико-математические науки
Статья в выпуске: 2-3 (89), 2024 года.
Бесплатный доступ
В работе описывается образование вакансионных дефектов в двумерных структурах, приведены факторы, которые влияют на этот процесс. Вакансионные дефекты могут изменять как геометрию и структуру слоя, так и его электронные состояния. Более подробно представлено образование вакансии на примере плоского бора, расчеты выполнены полуэмпирическим методом - MNDO.
Плоский бор, вакансия, метод mndo, графен, слой
Короткий адрес: https://sciup.org/170203373
IDR: 170203373 | DOI: 10.24412/2500-1000-2024-2-3-18-21
Список литературы Формирование вакансионных дефектов в двумерных структурах
- Давлетова, О.А. Структура и электронные характеристики пиролизованного полиакрилонитрила: специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Давлетова Олеся Александровна. - Волгоград, 2010. - 17 с. EDN: QGWWOT
- Панченко, А.Н. Двумерные материалы, их свойства и применение / А.Н. Панченко // Международный журнал гуманитарных и естественных наук. - 2023. - № 2-2(77). - С. 132-134. DOI: 10.24412/2500-1000-2023-2-2-132-134 EDN: BRWMSB
- Эволюционный поиск и расшифровка двумерной структуры нового материала - оксинитрида бора / З.И. Попов, К.А. Тихомирова, В.А. Демин [и др.] // Биохимическая физика: труды XXI ежегодной молодежной конференции с международным участием ИБХФ РАН-вузы, Москва, 15-16 ноября 2021 года. - Москва: Российский университет дружбы народов (РУДН), 2022. - С. 73-75. EDN: GGIKOE
- Мурзаханов, Ф.Ф. Вакансионные центры в карбиде кремния 4H-SiC и нитриде бора hBN: электронная структура и спиновая поляризация триплетных состояний: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мурзаханов Фадис Фанилович, 2023. - 124 с. EDN: LKYBWZ
- Boroznina, E.V. Boron monolayer X3-type. formation of the vacancy defect and pinhole / E.V. Boroznina, O.A. Davletova, I.V. Zaporotskova // Журнал нано- и электронной физики. - 2016. - Vol. 8, № 4. - P. 04054. DOI: 10.21272/jnep.8(4(2)).04054 EDN: WQQFCO
Статья научная
