Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями

Дрондин А.В.; Латухина Н.В.; Лизункова Д.А.; Паранин В.Д.; Drondin A.V.; Latukhina N.V.; Lizunkova D.A.; Paranin V.D.

Научные статьи \ Прикладные науки. Медицина. Технология \ Инженерное дело. Техника в целом \ Общее машиностроение. Ядерная технология. Электротехника. Технология машиностроения \ Электротехника

Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями

Дрондин А.В. Латухина Н.В. Лизункова Д.А. Паранин В.Д.

Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp

Статья в выпуске: 4 т.20, 2017 года.

Бесплатный доступ

Исследованы спектральные зависимости коэффициента отражения и вольтамперные характеристики структур для ФЭП на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями из сульфида цинка и фторида диспрозия. Показано, что ФЭП на основе структур с двухслойным покрытием обладают наибольшей эффективностью преобразования, что подтверждает пассивирующие свойства фторида диспрозия на различных типах рабочей поверхности.

пористый кремний \ вольт-амперные характеристики \ коэффициент отражения \ многослойные системы \ фактор заполнения

Похожие статьи в разделе Электротехника

Фотоэлектрические свойства структур с микро- и нано-пористым кремнием

Латухина Н.В., Дереглазова Т.С., Ивков С.В., Волков А.В., Деева В.А.

Кремниевые фотопреобразователи для космической и авиационной отрасли

Яровой Геннадий Петрович, Латухина Наталья Виленовна, Рогожин Антон Сергеевич, Гуртов Александр Сергеевич, Ивков Сергей Валериевич, Миненко Сергей Иванович

Влияние гибридного покрытия из пористого кремния и квантовых точек WS2 и MoS2 на электрические характеристики фоточувствительных структур

Полуэктова Н.А., Шишкина Д.А., Григорьев Д.П.

Исследование оптических свойств фоточувствительных структур пониженной размерности на основе кремния

Полуэктова Н.А., Шишкина Д.А., Базанов А.Н., Перебалин Р.А., Шишкин И.А., Латухина Н.В.

Исследование электрических свойств фоточувствительных структур пониженной размерности на основе кремния с покрытиями из фторидов редкоземельных элементов

Полуэктова Н.А., Шишкина Д.А., Базанов А.Н., Перебалин Р.А., Шишкин И.А., Латухина Н.В., Рогожина Г.А.

Разработка пористых структур на кремнии

Сакун Е.А., Полюшкевич А.В., Харлашин П.А., Семенова О.В., Корец А.Я.

Короткий адрес: https://sciup.org/140256026

IDS: 140256026

Structures based on porous silicon with single and double-layer coatings photoelectric properties

The spectral dependences of the reflection coefficient and the current-voltage characteristics of structures for solar cells based on porous silicon with single- and double-layer coatings from zinc sulphide and dysprosium fluoride are investigated. It is shown that solar cells based on double-layered structures have the highest conversion efficiency, which confirms the passivating properties of dysprosium fluoride on different types of working surface.

Список литературы Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями

Efficient silicon solar cells for space and ground-based aircraft/N. Latukhina //Procedia Engineering. 2015. Vol. 104. № 31. P. 157-161.
Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов/Ю.А. Аношин //Журнал технической физики. 1994. Т. 64. № 10. С. 118-123.
Nanocrystalline silicon and silicon carbide optical properties/N. Latukhina //CEUR Workshop Proceedings. Proceedings of the International Conference Information Technology and Nanotechnology. Session Computer Optics and Nanophotonics. Samara, Russia. 24-27 April 2017. Vol. 1900. P. 84-89.
Особенности процесса воздействия лазерного излучения на тонкие пленки молибдена/А.В. Волков //Журнал технической физики. 2016. Т. 86. Вып. 4. С. 101-105.
Латухина Н.В., Лизункова Д.А. Электрофизические свойства структур с диэлектрическими пленками фторидов РЗЭ и слоем пористого кремния//Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017): материалы XIV Международной конференции. Санкт-Петербург, 29 мая -2 июня 2017. Т. 1. СПб.: РГПУ им. А.И. Герцена, 2017. С. 224-226.