Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями
Автор: Дрондин А.В., Латухина Н.В., Лизункова Д.А., Паранин В.Д.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 4 т.20, 2017 года.
Бесплатный доступ
Исследованы спектральные зависимости коэффициента отражения и вольтамперные характеристики структур для ФЭП на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями из сульфида цинка и фторида диспрозия. Показано, что ФЭП на основе структур с двухслойным покрытием обладают наибольшей эффективностью преобразования, что подтверждает пассивирующие свойства фторида диспрозия на различных типах рабочей поверхности.
Пористый кремний, вольт-амперные характеристики, коэффициент отражения, многослойные системы, фактор заполнения
Короткий адрес: https://sciup.org/140256026
IDR: 140256026
Список литературы Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния с одно- и двухслойными покрытиями
- Efficient silicon solar cells for space and ground-based aircraft/N. Latukhina //Procedia Engineering. 2015. Vol. 104. № 31. P. 157-161.
- Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов/Ю.А. Аношин //Журнал технической физики. 1994. Т. 64. № 10. С. 118-123.
- Nanocrystalline silicon and silicon carbide optical properties/N. Latukhina //CEUR Workshop Proceedings. Proceedings of the International Conference Information Technology and Nanotechnology. Session Computer Optics and Nanophotonics. Samara, Russia. 24-27 April 2017. Vol. 1900. P. 84-89.
- Особенности процесса воздействия лазерного излучения на тонкие пленки молибдена/А.В. Волков //Журнал технической физики. 2016. Т. 86. Вып. 4. С. 101-105.
- Латухина Н.В., Лизункова Д.А. Электрофизические свойства структур с диэлектрическими пленками фторидов РЗЭ и слоем пористого кремния//Физика диэлектриков (Диэлектрики-2017): материалы XIV Международной конференции. Санкт-Петербург, 29 мая -2 июня 2017. Т. 1. СПб.: РГПУ им. А.И. Герцена, 2017. С. 224-226.
