Фотоэлектрические свойства структур с микро- и нано-пористым кремнием
Автор: Латухина Н.В., Дереглазова Т.С., Ивков С.В., Волков А.В., Деева В.А.
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Физика и электроника
Статья в выпуске: 3-1 т.11, 2009 года.
Бесплатный доступ
В работе исследовались фотоэлектрические свойства структур с поверхностным чувствительным слоем пористого кремния различного типа. Определены спектральные характеристики коэффициента отражения в диапазоне длин волн 400ч927 нм и тока короткого замыкания в диапазоне длин волн 400ч1100нм. Показано, что спектральный диапазон чувствительности расширяется по сравнению с монокристаллическим кремнием в коротковолновую область.
Пористый кремний, текстурированная поверхность, глубокое анодное травление, спектральная зависимость, фоточувствительность, коэффициент отражения, ток короткого замыкания
Короткий адрес: https://sciup.org/148198628
IDR: 148198628
Список литературы Фотоэлектрические свойства структур с микро- и нано-пористым кремнием
- Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics//Surf. Sci. Rep. 2000/V. 38. -P. 1 -126.
- Латухина Н.В., Нечаева Н.А., Храмков В.А, Волков А.В., Агафонов А.Н. Структуры с макропористым кремнием для фотопреобразователей на кремниевой подложке//Тонкие пленки в оптике и наноэлектронике. Сборник докладов. 18 межд. симпозиума. Харьков. 2006/Т.2. -С. 207 -211
- Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний -кремний//ФТП. 1997./Т. 31. -С. 159 -161.
- Блынский В.И., Малышев В.А. Кремниевые фотодиоды с пассивирующей пленкой из пористого кремния.//Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды восьмой межд. научно-техн. конференции. Таганрог. 2002./Ч.2. -С. 53 -55.
