Фоторезистивный эффект в плёнках Pb1–xCdₓS, полученных осаждением в вакууме

Цель работы – получение тонких фоторезистивных плёнок сульфида свинца, допированного кадмием методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения в вакууме. Описаны методики твердофазного синтеза твердых растворов сульфида свинца-кадмия требуемого состава и спекания керамической мишени для dc-магнетронного распыления. Состав полученных мишеней соответствует гомогенному твердому раствору на основе галенита. Осаждение пленок Pb0,96Cd0,04S осуществлялось распылением керамической мишени магнетронным dc –распылением на подложки ситалла и кремния. Фазовый состав осажденных пленок соответствует составу распыляемой мишени. Полученные пленки обладают фоторезистивным эффектом. Определены отношения темнового сопротивления к световому, постоянные времени полученных фоторезистивных пленок. Пленки Pb0,96Cd0,04S на подложках кремния обладают большей чувствительностью по сравнению с пленками, осажденными на ситалл. Осаждение Pb0,88Cd0,12S и CdS осуществлялось электронно-лучевым испарением из графитового тигля. Плёнки Pb0,88Cd0,12S, осаждённые электронно-лучевым методом, фоторезистивного эффекта не проявили. Наилучшее отношение темнового сопротивления к световому и постоянную времени 25 мкс показали пленки Pb0,96Cd0,04S на подложке кремния.