Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 4 т.17, 2014 года.
Бесплатный доступ
В работе описывается опытный вариант однокристального преобразователя свет-частота, представляющего собой мезапланарную фоторезисторную структуру на основе высокоомного арсенида галлия с N-образной вольт-амперной характеристикой. Показаны функциональность и перспективность применения предложенного фотоэлектрического преобразователя для оптоэлектроники. Приведены основные характеристики, проанализированы преимущества и недостатки предложенного преобразователя перед имеющимися аналогами.
Похожие статьи в разделе Электротехника
Короткий адрес: https://sciup.org/140255888
IDS: 140255888
Functional single-chip light-to-frequency converter based on high-resistivity n-GaAs
The prototype of single-chip light-to-frequency converter is described. This converter is a mesa-planar photoresistor structure based on high-resistivity gallium arsenide with an N-shaped current-voltage characteristic. The converter functionality and utility for optoelectronics are showed. The main characteristics are indicated. The advantages and limitations of the proposed converter under the present analogs are analyzed.
Список литературы Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs
- Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника: проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. 2-е изд. М.: Высшая школа, 1987. 416 с.
- Щука А.А. Функциональная электроника М.: МИРЭА, 1998. 259 с.
- Глинченко А.С. Цифровая обработка сигналов. Ч. 1. Красноярск: Изд-во КГТУ, 2001. 199 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 416 с.
- Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе/Б.С. Муравский //Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2000. № 10. URL: http://jre.cplire.ru
- Арсенид галлиевые ФПУ УФ-диапазона для многоспектральных оптоэлектронных систем/В.Н. Легкий //Прикладная физика. 2011. № 2. С. 112-115.
- Дворянкин В.Ф., Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs//ЖТФ. 2004. Т. 74. № 6. С. 126-128.
- Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Многочастотная генерация в параллельных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия//Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ»: сборник трудов конференции. СПб.: СПбГЭТУ, 2013. URL: http://mwelectronics.ru/2013/
- Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия//Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ»: сборник трудов конференции, Т. 1. СПб.: ГЭТУ, 2012. С. 49-53.
