Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs
Автор: Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 4 т.17, 2014 года.
Бесплатный доступ
В работе описывается опытный вариант однокристального преобразователя свет-частота, представляющего собой мезапланарную фоторезисторную структуру на основе высокоомного арсенида галлия с N-образной вольт-амперной характеристикой. Показаны функциональность и перспективность применения предложенного фотоэлектрического преобразователя для оптоэлектроники. Приведены основные характеристики, проанализированы преимущества и недостатки предложенного преобразователя перед имеющимися аналогами.
Функциональная микроэлектроника, полуизолирующий арсенид галлия, рекомбинационная неустойчивость тока, фотоэлектрические преобразователи
Короткий адрес: https://sciup.org/140255888
IDR: 140255888
Список литературы Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs
- Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника: проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. 2-е изд. М.: Высшая школа, 1987. 416 с.
- Щука А.А. Функциональная электроника М.: МИРЭА, 1998. 259 с.
- Глинченко А.С. Цифровая обработка сигналов. Ч. 1. Красноярск: Изд-во КГТУ, 2001. 199 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 416 с.
- Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе/Б.С. Муравский //Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2000. № 10. URL: http://jre.cplire.ru
- Арсенид галлиевые ФПУ УФ-диапазона для многоспектральных оптоэлектронных систем/В.Н. Легкий //Прикладная физика. 2011. № 2. С. 112-115.
- Дворянкин В.Ф., Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs//ЖТФ. 2004. Т. 74. № 6. С. 126-128.
- Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Многочастотная генерация в параллельных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия//Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ»: сборник трудов конференции. СПб.: СПбГЭТУ, 2013. URL: http://mwelectronics.ru/2013/
- Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия//Всероссийская конференция «Микроэлектроника СВЧ»: сборник трудов конференции, Т. 1. СПб.: ГЭТУ, 2012. С. 49-53.
