Исследование электрических свойств фоточувствительных структур пониженной размерности на основе кремния с покрытиями из фторидов редкоземельных элементов
Автор: Полуэктова Н.А., Шишкина Д.А., Базанов А.Н., Перебалин Р.А., Шишкин И.А., Латухина Н.В., Рогожина Г.А.
Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp
Статья в выпуске: 4 т.25, 2022 года.
Бесплатный доступ
В данной работе рассмотрено влияние пористого кремния и пленок фторида диспрозия на вольт-амперные характеристики фоточувствительных структур пониженной размерности на основе кремния. Описаны процессы создания и исследования полученных фоточувствительных структур. Приведены вольт-амперные характеристики структур до и после нанесения покрытия. В исследовании обнаружено положительное влияние пористого кремния и покрытия фторида диспрозия на вольт-амперные характеристики структур как с пористым кремнием, так и без него. Получены значения оптимальной толщины покрытия фторида диспрозия для пористых фоточувствительных структур. Показано, что покрытия фторида диспрозия оказывают не всегда положительное влияние на такие параметры фоточувствительных структур, как ток короткого замыкания и напряжение холостого хода, поскольку это связано с неравномерностью нанесения пленки на поверхность структуры.
Фоточувствительные структуры, пористый кремний, фторид диспрозия
Короткий адрес: https://sciup.org/140296737
IDR: 140296737 | DOI: 10.18469/1810-3189.2022.25.4.67-73
Список литературы Исследование электрических свойств фоточувствительных структур пониженной размерности на основе кремния с покрытиями из фторидов редкоземельных элементов
- Shishkina D.A., Poluektova N.A., Shishkin I.A. Photovoltaic characteristics of structures with porous silicon obtained by various technological plans // Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2086, no. 1. Р. 012102.
- Shishkina D.A., Poluektova N.A., Shishkin I.A. Photovoltaic characteristics of structures with porous silicon obta. Journal of Physics: Conference Series, 2021, vol. 2086, no. 1, p. 012102.
- Эксплуатационные характеристики фотоэлектрических преобразователей на базе пористого кремния, участвующих в летном эксперименте на МКА "Аист-2д" / А.С. Гуртов [и др.] // XIV Королевские чтения: международная молодежная научная конференция, посвященная 110-летию со дня рождения академика С.П. Королева, 75-летию КуАИ-СГАУ-СамГУ-Самарского университета и 60-летию со дня запуска первого искусственного. Самара, 2017. С. 503.
- Gurtov A.S. et al. Operational characteristics of photoelectric converters based on porous silicon, participating in the flight experiment on the SSC "Aist-2d". XIV Korolevskie chteniya: mezhdunarodnaya molodezhnaya nauchnaya konferentsiya, posvyashchennaya 110-letiyu so dnya rozhdeniya akademika S.P. Koroleva, 75-letiyu KuAI-SGAU-SamGU-Samarskogo universiteta i 60-letiyu so dnya zapuska pervogo iskusstvennogo, Samara, 2017, p. 503. (In Russ.).
- Рожков В.А., Петров А.И., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из фторидов лантана, самария и диспрозия для кремниевых фотоэлектрических приборов // Известия вузов. Физика. 1994. № 4. С. 7-10.
- Rozhkov V.A., Petrov A.I., Shalimova M.B. Antireflection coatings from lanthanum, samarium and dysprosium fluorides for silicon photovoltaic devices. Izvestiya vuzov. Fizika, 1994, no. 4, pp. 7-10. (In Russ.).
- Shishkin I.A., Lizunkova D.A., Latukhina N.V. The process of pore formation on a textured silicon substrate during electrochemical etching: 3D model // Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 1745, no. 1. P. 012004.
- Shishkin I.A., Lizunkova D.A., Latukhina N.V. The process of pore formation on a textured silicon substrate during electrochemical etching: 3D model. Journal of Physics: Conference Series, 2021, vol. 1745, no. 1, p. 012004.
- Шалимова М.Б. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ: специальность 01.04.10 "Физика полупроводников": автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. Самара, 1997. 19 с.
- Shalimova M.B. The Effect of Conductivity Switching with Memory and Photoelectric Phenomena in Layered Structures Based on Film Rare Earth Fluorides: Specialty 01.04.10 "Physics of Semiconductors": avtoref. dis. … kand. fiz.-mat. nauk. Samara, 1997, 19 p. (In Russ.).
