Исследование прототипа элемента ReRAM на основе нестехиометрических анодных оксидных пленок ниобия
Автор: Куроптев Вадим Андреевич, Путролайнен Вадим Вячеславович, Стефанович Генрих Болеславович
Журнал: Ученые записки Петрозаводского государственного университета @uchzap-petrsu
Рубрика: Физико-математические науки
Статья в выпуске: 8 (129) т.1, 2012 года.
Бесплатный доступ
Статья посвящена результатам разработки и экспериментального исследования прототипа элемента ReRAM (resistive random access memory) на основе биполярного резистивного переключения в не-стехиометрических анодных оксидных пленках ниобия. Показана высокая практическая значимость и перспективность данного эффекта для разработки ReRAM.
Элементы reram, биполярное резистивное переключение, анодные оксиды ниобия
Короткий адрес: https://sciup.org/14750336
IDR: 14750336
Список литературы Исследование прототипа элемента ReRAM на основе нестехиометрических анодных оксидных пленок ниобия
- Лебедева Т. С., Шпилева П. В., Войтович И. Д. Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003. № 5. С. 42-45.
- Одынец Л. Л., Орлов В. М. Анодные оксидные пленки. Л.: Наука, 1990. 200 с.
- Пергамент А. Л., Ханин С. Д. Электронное переключение в тонких слоях оксидов переходных металлов//Известия РГПУ им. А. И. Герцена. 2007. Т. 7. № 26. С. 69-85.
- Раков А. В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Сов. радио, 1975. 175 с.
- Chen S.-C., Chang T.-C. et al. Bipolar resistive switching of chromium oxide for resistive random access memory//Solid-State Electronics. 2011. Vol. 62. Is. 1. P 40-43.
- Chen S., Wu J. Unipolar resistive switching behavior of BiFeO3 thin films prepared by chemical solution deposition//Thin Solid Films. 2010. Vol. 519. P. 499-504.
- Ho Do Y., Sik Kwak J. et al. Oxygen ion drifted bipolar resistive switching behaviors in TiO2-Al electrode interfaces//Thin Solid Films. 2010. Vol. 518. P 4408-4411.
- Ho Do Y., Sik Kwak J. et al. TiN electrode-induced bipolar resistive switching of TiO2 thin films//Current Applied Physics. 2010. Vol. 10. P. 71-74.
- Freitas R. F., Wilcke W. W. Storage-class memory: The next storage system technology//IBM J. Res. & Dev. 2008. Vol. 52. № 4-5. Р 439-447.
- Kundozerova T. V., Grishin A. M., Stefanovich G. B., Velichko A. A. Anodic Nb2O5 Nonvolatile RRAM//IEEE Transactions on electron devices. 2012. Vol. 59. №. 4. Р 1144-1148.
- Lee S. R., Kim H. M. et al. Role of oxygen vacancies formed between top electrodes and epitaxial NiO films in bipolar resistance switching//Current Applied Physics. 2012. Vol. 12. Is. 2. P. 369-372.
- Lian W., Long S. et al. Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory//Chinese Sci. Bull. 2011. Vol. 56. № 4-5. P 461-464.
- Mähne H., Slesazeck S. et al. The influence of crystallinity on the resistive switching behavior of TiO2//Microelectronic Engineering. 2011. Vol. 88. P. 1148-1151.
- S a wa A. Resistive Switching in Transition Metal-Oxide//Materials Today. 2008. Vol. 11. Р 28-36.
- Shuai Y., Zhou S. et al. Nonvolatile bipolar resistive switching in Au/BiFeO3/Pt//J. Appl. Phys. 2011. Vol. 109. 124117.
Статья научная
