Исследование свойств структур карбид кремния на кремнии и карбид кремния на изоляторе в условиях открытого космического пространства

Автор: Горелов Ю.Н., Щербак А.В., Курганская Л.В., Голубева Д.Ю.

Журнал: Физика волновых процессов и радиотехнические системы @journal-pwp

Статья в выпуске: 4 т.20, 2017 года.

Бесплатный доступ

Рассмотрены вопросы исследования стойкости полупроводниковых приборных структур к действию факторов открытого космического пространства. Показана необходимость комплексного исследования электрофизических параметров полупроводниковых слоев в течение космического полета. Предложены образцы приборных структур, позволяющие исследовать влияние факторов космического пространства на удельное сопротивление полупроводникового слоя, на свойства контактов металл - полупроводник, на состояние границы диэлектрик - полупроводник. Рассмотрены методы измерения удельного сопротивления, контактного сопротивления, коэффициента Холла, вольтамперных и вольт-фарадных характеристик образцов приборных структур. Предложены схемы измерения перечисленных параметров, адаптированные для работы в составе автоматических измерительных систем.

Еще

Карбид кремния, приборные структуры, электрофизические параметры, космический эксперимент

Короткий адрес: https://sciup.org/140256028

IDR: 140256028

Список литературы Исследование свойств структур карбид кремния на кремнии и карбид кремния на изоляторе в условиях открытого космического пространства

Лучинин В., Таиров Ю. Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету//Современная электроника. 2009. № 7.
Лучинин В., Таиров Ю. Карбид кремния -алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами//Наноиндустрия. 2010. № 1. С. 36-40.
Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния -настоящее и будущее силовой электроники//Компоненты и технологии. 2004. № 8.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC/А.А. Лебедев //Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 273-275.
Лебедев А., Сбруев С. SiC -электроника: прошлое, настоящее, будущее//Элементная база электроники: Электроника: наука, технология, бизнес. 2006. Вып. 5. С. 28-41.
Карбид кремния: технология, свойства, применение/О.А. Агеев . Харьков: ИСМА, 2010. 532 с.
Мокеров В.Г. Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. М.: Техносфера, 2010. 435 с.
Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра/Т.В. Бланк //Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025-1055.
Чувствительные элементы высокотемпературных датчиков давления. Материалы и технологии изготовления/П.Г. Михайлов //Известия Южного федерального университета. Серия «Технические науки». 2014. № 4(153). С. 204-213.
Вопросы создания высокотемпературных датчиков механических величин. Материалы, конструкции, технологии/П.Г. Михайлов //Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2013. № 4. С. 61-70.
Мокров Е.А., Баринов И.Н. Разработка высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления//Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2009. № 1.
Гуревич О.С., Буряченко А.Г., Ранченко Г.С. Перспективы развития датчиков давления для авиационных и общепромышленных ГТД//Авиационно-космическая техника и технология. 2007. № 10.
An overview of high temperature electronics and sensor development at NASA Glenn research center/G.W. Hunter //J. Turbomach. 2003. Vol. 125. № 4.
Katulka G.L. Micro-electromechanical systems and test results of SiC MEMS for high-g launch application//Proceedings of IEEE Sensors. USA, 2002.
Wright N.G., Horsfall A.B., Vassilevski K. Prospects for SiC electronics and sensors//Materials Today. 2008. Vol. 11. № 1-2.
SiC based pressure sensor for high-temperature environments/G. Wieczorek //IEEE Sensors 2007 Conference. 2007.
Рост слитков карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью (1010)/Д.Д. Авров //Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 12. С. 1483-1487.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC/А.А. Лебедев //Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 273-275.
Исследование начальных стадий роста нанокластеров карбида кремния на подложке кремния/Ю.В. Трушин //Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 15. С. 48-54.
Ильин В.А., Матузов А.В., Петров А.С. Исследование процесса получения гетероэпитаксиальных структур 3С-карбида кремния на подложках кремния//Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. № 4.
Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния)/А.А. Лебедев //Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 11. С. 1354-1359.
Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. 264 с.
Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников//Зарубежная радиоэлектроника. 1981. № 1. С. 3-50; № 2. С. 3-49.
Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization. New Jersey: John Wiley & Sons, 2006.
Chwang R., Smith B.J., Crowell C.R. Contact size effects on the van der Pauw method for resistivity and Hall coefficient measurement//Solid-State Electron. 1974. № 17. P. 1217-1227.
Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
Шалимова К.И. Физика полупроводников; 4-е изд. СПб.: Лань, 2010. 400 с.
Фреик Д.М., Ткачук Р.З. Способ емкостных исследований полупроводников с высокой диэлектрической проницаемостью//Приборы и техника эксперимента. 1986. № 3.
Базлов Н.В., Вывенко О.Ф., Тульев А.В. Универсальный емкостный спектрометр глубоких центров в полупроводниках и М.О.П. -структурах//Приборы и техника эксперимента. 1987. № 3.
Мейзда Ф. Электронные измерительные приборы и методы измерений: пер. с англ. М.: Мир, 1990. 538 с.
Спектор С.А. Электрические измерения физических величин. М.: Энергоатомиздат, 1987. 320 с.
Измерение электрических и неэлектрических величин: уч. пос. для вузов/под общ. ред. Евтихиева. М.: Энергоатомиздат, 1990. 352 с.
Парусов В.П., Репьев В.Н. Цифровой прибор на основе автогенераторного преобразователя для измерения емкости при больших потерях//Приборы и техника эксперимента. 1989. № 1.
Пузин И.Б., Шерварлы Г.К., Нечкин С.Б. Измерение малых емкостей полупроводниковых приборов с помощью компенсационно-измерительного 2Т-моста//Приборы и техника эксперимента. 1992. № 1.

Еще

Статья научная