Исследование влияния положения уровня Ферми на фотопроводимость монокристаллического кремния Si С
Автор: Усманов Ж.И.
Журнал: Экономика и социум @ekonomika-socium
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 3-2 (82), 2021 года.
Бесплатный доступ
Данная работа посвящена изучению спектральной зависимости фотопроводимости монокристаллического кремния Siс различной концентрацией бора и фосфора, легированного атомами марганца, от положения уровня Ферми. Исследование является продолжением изучения влияния многократно заряженных центров на время жизни носителей заряда в кремнии с многозарядными центрами, проведённым автором статьи.
Нанокластер, наноструктур, фотогенерации, термолизации, фоточувствительность, наноразмер
Короткий адрес: https://sciup.org/140258969
IDR: 140258969
Список литературы Исследование влияния положения уровня Ферми на фотопроводимость монокристаллического кремния Si С
- Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., and Zikrillaev N.F. Current-Voltage Behavior of Silicon Containing Nanoclusters of Manganese Atoms // Inorganic Materials, 2014, Vol. 50, No. 4, pp. 325-329.
- Илиев Х., Усманов Ж. Разработка перспективных солнечных элементов на основе полупроводниковых материалов. Эффективность применения инновационных технологий и техники в сельском и водном хозяйстве. 25-26 сентября 2020 года. 434 ст. 978-9943-6708-9-1. ISBN: 978-9943-6708-9-1
- Усмонов Ж.И. Комплексная автоматизация водоканалов - путь к ресурсосбережению. ISSN 2311-2158. The Way of Science.2019.№ 5 (63).Vol.II.
- Усманов Ж.И. Повышения эффективности кремниевых солнечных элементов на основе формирования кластеров атомов никеля. юность и знания - гарантия успеха -2018. 5-й Международной молодежной научной конференции (20 - 21 сентября 2018 года) 978-5-9907371-2-9. ISBN: 978-5-9907371-2-9
- Усманов Ж.И. Разработка фотоэлементов на основе кремния с нанокластерами атомов марганца. современные материалы, техника и технологии. ISSN 2411-9792. №5 (13) 2017 год.
- Бахадирханов М.К., Исамов С.Б, Усмонов Ж.И. Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с многозарядными нанокластерами. Оптическим и фотоэлектрическим явлени- ям в полупроводниковых микро- и нано- структурах. 2020 год.
- Ж.И.Усманов. Новые пути повышения эффективности солнечных элементов на основе кремния. Перспективы развития технологий обработки и оборудования в машиностроении. 239-242 ст. 2017 г
- Ж.И.Усмонов Изучение влияния многократно заряженных центров на время жизни носителей заряда в кремнии с многозарядными центрами. issn 2311-2158. The Way of Science. 2020. № 2 (72).
Статья научная
