Исследование влияния температурных деформаций на барический коэффициент сопротивления тонких поликристаллических пленок SmS

В работе приведены результаты исследования температурной зависимости барического коэффициента электросопротивления (БКС) барорезистора на основе тонкой пленки моносульфида самария (SmS) на стеклянной (SiO 2) подложке в диапазоне 77–350 К. На температурной зависимости модуля БКС наблюдается особенность в виде острого максимума. Наличие максимума объясняется активацией электронов проводимости с донорного уровня, энергия которого зависит от температурных деформаций, возникающих вследствие различия температурных коэффициентов линейного расширения пленки и подложки. Произведен расчет энергии активации этого донорного уровня. На основании результатов работы определена приемлемая для технического применения низкотемпературная граница эксплуатации тензо- и барорезисторов на основе пленок SmS, равная ~ 150 К.