Исследованиегетероперехода Cu / Cu4RbCl3I2 при высоких потенциалах
Автор: Остапенко Г.И., Соломин Б.А.
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Общая физика и электроника
Статья в выпуске: 1 т.5, 2003 года.
Бесплатный доступ
Исследования проведены потенциостатическим методом. Показано, что на гетеропереходе при потенциалах. > 8.10 mV протекает электрохимическая реакция осаждения-растворения меди взависимости от знака потенциала.. В интервале 10 mV 120 mV скорость реакции лимитируется переносом заряда при плотности тока обмена 2,7 мА/см2 и анодном коэффициенте переноса около 0,45.
Короткий адрес: https://sciup.org/148197731
IDR: 148197731
Статья научная
