Эффект насыщения при импульсном возбуждении квантового осциллятора
Автор: Астапенко В. А., Кротов Ю. А., Сахно С. В.
Журнал: Труды Московского физико-технического института @trudy-mipt
Рубрика: Физика
Статья в выпуске: 1 (53) т.14, 2022 года.
Бесплатный доступ
Аналитически и численно исследован эффект насыщения при возбуждении квантового гармонического осциллятора электромагнитным импульсом. Рассмотрена зависимость вероятности перехода между основным и вышележащими стационарными состояниями от длительности, несущей частоты и амплитуды поля в импульсе. Установлены характерные черты процесса возбуждения и их эволюция с изменением силы внешнего возмущения. Обсуждается различие эффекта насыщения для двухуровневой системы и квантового осциллятора.
Квантовый гармонический осциллятор, лазерные импульсы, фотовозбуждение, эффект насыщения
Короткий адрес: https://sciup.org/142234874
IDR: 142234874 | DOI: 10.53815/20726759_2022_14_1_58
Текст научной статьи Эффект насыщения при импульсном возбуждении квантового осциллятора
При взаимодействии интенсивного резонансного излучения с веществом возникают различного рода, нелинейные явления [1], среди которых важную роль играет эффект насыщения. Этот эффект, в частности, приводит к выравниванию населенностей в двухуровневой системе, что ограничивает коэффициент усиления излучения в лазерах [2].
Развитие технологии генерации лазерных импульсов в широкой области изменения длительности, несущих частот и амплитуд поля [3] делает актуальным детальное исследование особенностей их взаимодействия с различного рода мишенями как при умеренных, так и при высоких интенсивностях излучения.
Квантовый гармонический осциллятор (КО) является уникальной физической моделью, для которой существует аналитическое решение при произвольном возмущении.
В этой связи теоретическое рассмотрение возбуждения КО лазерными импульсами с различными параметрами, включая случай высоких значений амплитуды поля, представляется актуальным и интересным.
В данной работе исследуется зависимость вероятности возбуждения квантового осциллятора от длительности и несущей частоты электромагнитного импульса для различных значений амплитуды поля с целью выявления влияния интенсивности излучения на основные характеристики процесса.
2. Основные формулы
Эффект насыщения при взаимодействии интенсивного резонансного излучения с дипольно-разрешенным переходом рассматривался в классической работе Р. Карплуса и Дж. Швингера [4] для монохроматического поля. Было показано, что форма линии поглощения под влиянием излучения модифицируется и принимает вид (в наших обозначениях)
D(w) х
__________1/72__________
(ш — шо)2 + (1/72)2 + Q2
где шо — собственная частота возбуждаемого перехода, 72 — время поперечной (фазовой) релаксации, По — частота Раби, пропорциональная амплитуде действующего электрического поля.
При импульсном воздействии на двухуровневую систему в общем случае невозможно получить аналитическое решение для отклика на электромагнитное поле.
Выражение для вероятности возбуждения КО между стационарными состояниями m ^ n; [n > т] под действием заданного электрического тока было выведено в работе Дж. Швингера [5]:
m—п / I / 12
wnm = — (|J |2) exp (-|J2! /.. ' (|J|2)| ,
здесь J — фурье-образ безразмерного электрического тока, LTm-m — обобщенный полином Лагерра.
Рассмотрим возбуждение квантового осциллятора без затухания под действием электромагнитного импульса вида
Е (t) = E0f (1,шс,т ), (3)
здесь Ео, / (t,шс,т ) — амплитуда и временная зависимость электрического поля, шс и т — несущая частота и длительность импульса.
Гамильтониан возмущенного КО может быть представлен в виде [6]
Н = Но - ~По/ (^Шс,т ), (4)
где Но — невозмущенный гамильтониан КО.
Чтобы получить выражение для вероятности возбуждения КО лазерным импульсом, воспользуемся формулой (2) и соотношением [7]:
здесь
п п . _.
Жю = —г exp(-n), п!
п = QQlF (шо,шс,т )|2
— среднее число квантов осциллятора в результате возбуждения.
Пусть лазерный импульс имеет экспоненциальную огибающую (так называемый «двойной экспоненциальный импульс»):
/2exp(t,^c,T) = exp(-|t|/T) COs(Wct).
Тогда с помощью формулы (8) для среднего числа возбужденных в осцилляторе квантов имеем
_ 1 П2т2
П2ехр = 4 [1 + (wq - Шс)2т 2]2.
-
(Ю)
Выражение (10) получено в приближении вращающейся волны, которое применимо для мультицикловых импульсов ( шст >> 1), что здесь и предполагается.
В резонансном случае (шс = wq) из равенства (10) следует
п = П2т 2/4,
(И)
т.е. среднее число возбужденных квантов возрастает как квадрат длительности импульса. Можно показать, что такое же соотношение справедливо и для других огибающих импульса, а также для коротких импульсов т < |шс — wq | - 1.
3. Результаты и обсуждение
Рассмотрим сначала зависимость вероятности возбуждения от длительности импульса (т-зависимость — для краткости) для различных значений частоты Раби, которая является мерой силы возмущения КО электромагнитным полем.
Наряду с размерными параметрами, используем в дальнейшем безразмерные переменные, определенные равенствами
a = шот ; 5 = |шс — wq | /wq; £ = Qq/wq. (12)
Таким образом, a — безразмерная длительность импульса, 5 — безразмерная несущая частота и £ — безразмерная частота Раби.
На рис. 1 показана зависимость вероятности возбуждения КО между стационарными состояниями на переходе 0 ^ 1 для фиксированной несущей частоты импульса и различных безразмерных частот Раби.
Видно, что с увеличением параметра £ в т-зависимости вместо одного максимума появляются два. Для слабого возмущения, когда частота Раби удовлетворяет неравенству
Qq < 4Дй|шо — шс| = П2е,
возникает один максимум при длительности импульса
_ _ 1
ттах — |Ш Ш |.

Рис. 1. Вероятность возбуждения перехода 0 ^ 1 как функция безразмерной длительности импульса. для 5 = 0.03 и слслутоших значений безразмерной частоты Раби: сплошная линия — ф = 0.1. пунктирная линия — ф = 0.2, штриховая линия — ф = 0.3
Заметим, что этот максимум исчезает в случае резонансной несущей частоты импульса, когда ш с = шо-
Для более высоких частот Раби (сильное возмущение), когда.
Qo > Q2e = 4Дй|шо - шс|,
максимум в т-зависимости, положение которого определяется формулой (14), превращается в минимум, и при этом возникают два других максимума на длительностях импульса, равных
Tmax,1,2
Qo ± У^о — 16п|шс — Шо|2 4Дй|шс — шо|2
В пределе Qo ^ |шс — шо| из формулы (16) вытекают следующие приближенные соотношения:
-
2 Дп Qo
-
т1 ~ ; т2 ~
Qo 2 л/пІШс — шо|2
Таким образом, характерная частота Раби Qoe = 4V^l^o — шс | разделяет две области с различной качественной зависимостью вероятности возбуждения КО от длительности импульса. Эти две области отвечают слабому и сильному возмущению в случае низких и высоких частот Раби соответственно. В резонансе Q2e = 0 и имеет место только сильное возмущение, которому, однако, отвечает один максимум в т-зависимости, поскольку тогда Т2 ^ то, как это следует из второго равенства (17).
Рассмотрим теперь зависимость вероятности возбуждения КО от несущей частоты импульса. (спектр возбуждения).
Результаты соответствующего расчета представлены на рис. 2 для перехода 0 ^ 1, фиксированной длительности импульса и различных значений безразмерной частоты Раби ф

Рис. 2. Спектры возбуждения для а = 50 и следующих значений безразмерной частоты Раби: сплошная линия — £ = 0.035, пунктирна я линия — £ = 0.06, штриховая линия — £ = 0.1
Из приведенного рисунка видно, что для слабого возмущения (низкие частоты Раби), когда
Ио < 2^/т = И80°\ (18)
имеет место один спектральный максимум на несущей частоте шс = wq. Для высоких частот Раби
Ио > ^at
возникает эффект насыщения: центральный максимум превращается в минимум, и появляются два боковых максимума на несущих частотах импульса, определяемых равенством
|wc - Шо|таж
= я
Иот 2Дй
-
Таким образом, при импульсном возбуждении КО характерное значение частоты Раби, определяющей насыщение, дается вторым равенством в формуле (18):
И0ttt = 2Д^/т.
Эффект насыщения для фиксированной частоты Раби и различных значений длительности импульса демонстрируется графиками рис. 3.

Рис. 3. Спектры возбуждения для £ = 0.1 и следующих значений безразмерной длительности импульса: сплошная линия — а = 20, пунктирна я линия — а = 30, штриховая линия — а = 50
Видно, что с ростом длительности импульса вместо центрального максимума возникает «провал», и появляются два боковых максимума при выполнении неравенства (19).
Отметим, что из формулы (1) следует, что частота Раби насыщения для двухуровневой системы в монохроматическом поле равна
^ tIs = ^ . (22)
Сравнение формул (21) и (22) показывает, что в случае импульсного возбуждения квантового осциллятора без затухания роль времени фазовой релаксации играет длительность импульса: 72 ~ т. Это обстоятельство имеет простое физическое объяснение: когерентная связь возбуждающего монохроматического поля и двухуровневой системы определяется временем фазовой релаксации, в то время как в случае импульсного возбуждения осциллятора без затухания продолжительность этой связи определяется длительностью импульса.
Существенная разница в эффекте насыщения для двухуровневой системы и перехода между стационарными состояниями квантового осциллятора заключается в том, что если в первом случае с ростом амплитуды поля населенности уровней выравниваются, то во втором — населенность заданного стационарного уровня уменьшается в пределе сильного возмущения на резонансной частоте (рис. 2,3). Последнее обстоятельство объясняется тем, что с ростом частоты Раби при возбуждении квантового осциллятора в нем происходит перераспределение населенностей между уровнями. Это видно из выражения для среднего числа возбужденных квантов (10), которое неограниченно возрастает в пределе высоких частот Раби, т.е. для больших значений амплитуды электрического поля в импульсе.
4. Заключение
Таким образом, на основании проведенного исследования можно сделать вывод о наличии двух областей возбуждения КО, разделяющихся по амплитуде электрического поля (частоты Раби) в лазерном импульсе. Эти области — сильного и слабого возбуждения — отличаются количеством и положением экстремумов в зависимостях вероятности процесса от длительности и несущей частоты импульса.
Установлены границы данных областей и получены выражения для положения вышеуказанных экстремумов.
Возникновение рассмотренных особенностей связано с влиянием эффекта насыщения на процесс возбуждения КО. Показано, что данный эффект в рассмотренном случае существенно отличается от своего аналога при возбуждении двухуровневой системы монохроматическим электромагнитным полем. В частности, он проявляется также в зависимости вероятности возбуждения от длительности импульса.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (Соглашение № 22-22-00537).
Список литературы Эффект насыщения при импульсном возбуждении квантового осциллятора
- Клышко Д.Н. Фотоны и нелинейная оптика // Москва: Наука, 1980.
- Звелто О. Принципы лазеров // Санкт-Петербург: Лань, 2008.
- Chini M., Zhao K., Chang, Z. The generation, characterization and applications of broadband isolated attosecond pulses // Nat. Photonics. 2014. V. 8. P. 178-186.
- Karplus R., Schwinger J. A note on saturation in microwave spectroscopy // Phys. Rev. 1948. V. 73. P. 1020-1026.
- Schwinger J. The theory of quantized fields III // Phys. Rev. 1953. V. 91. P. 728-740.
- Hassan S.S., Alharbey R.A., Jarad T. [et al.]. Driven harmonic oscillator by train of chirped Gaussian pulses // Int. Journ. Appl. Math. 2020. V. 33. P. 59-73.
- Astapenko V.A., Sakhno E.V. Excitation of a quantum oscillator by short laser pulses // Appl. Phys. B. 2020. V. 126. P. 23.