Электронно-микроскопические исследования дефектообразования в легированных примесями монокристаллах CdTe, ZnS и ZnSe

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структурных дефектов в легированных и нелегированных полупроводниках CdTe, ZnS и ZnSe, выращенных из газовой фазы. Установлено, что при отжиге в легированных полупроводниках образуются примесные выделения на ростовых дислокациях и дефектах упаковки, при этом происходит перемещение дислокаций. Образование примесных выделений (преципитатов) на ростовых дефектах объясняется миграцией примесей и точечных дефектов на дислокации с формированием пересыщенного твердого раствора, который конденсируется в виде преципитатов, содержащих легирующую примесь. Содержание легирующей примеси в преципитатах подтверждается локальным электронно-зондовым микроанализом.