К выбору метода контроля распределения концентраций примесей при производстве силовых полупроводниковых приборов
Автор: Санников М.Д.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 6 (24), 2017 года.
Бесплатный доступ
Статья посвящена определению наиболее подходящего метода элементного анализа для контроля распределения концентраций легирующих примесей в силовых полупроводниковых пластинах. В статье описано проведение эксперимента по определению массы легирующих примесей в диффузионной композиции, анализ механизма диффузии примеси из тонкой плёнки в кремниевую пластину, расчёт массовых концентраций легирующих примесей в силовых полупроводниковых пластинах после процесса «глубокой диффузии». Сравнение и выбор на основе проведённой работы наиболее подходящего метода элементного анализа.
Диффузия, элементный анализ, силовые полупроводники, рентгеноспектральный анализ
Короткий адрес: https://sciup.org/140271983
IDR: 140271983
Список литературы К выбору метода контроля распределения концентраций примесей при производстве силовых полупроводниковых приборов
- НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ВЫСОКОЧИСТОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ Томильскайте В.А., Файбисович Е.С., Кузьмин Н.С., научный руководитель Салькова Е.А. Сибирский Федеральный Университет Институт Цветных Металлов и Материаловедения
