Кинетические особенности формирования гетероструктур в-SiС / Si методом эндотаксии
Автор: Чепурнов Виктор Иванович
Журнал: Инженерные технологии и системы @vestnik-mrsu
Рубрика: Физика
Статья в выпуске: 1-2, 2014 года.
Бесплатный доступ
В статье исследуется твердофазный процесс эндотаксии карбида кремния, который сопровождается химическим превращением Si-фазы в SiC-фазу в среде водорода и его производных с углеродом при t 1 360-1 380 °С и нормальном давлении; излагаются факторы и природа трудностей управляемого легирования карбида кремния, сформированного на подложке кремния, и его особенности; предлагаются модели механизмов влияния типа проводимости подложки на гетерогенные процессы формирования монокристаллической пленки карбида кремния; определяется концентрационное распределение точечных дефектов в рамках фазовых границ по толщине гетероструктуры, а также роль факторов, от которых оно зависит.
Точечный дефект, гетероструктура, карбид кремния на кремнии, гетероэндотаксия, легирующая примесь
Короткий адрес: https://sciup.org/14720066
IDR: 14720066
Список литературы Кинетические особенности формирования гетероструктур в-SiС / Si методом эндотаксии
- Casady, J. B. Status of silicon carbide (SiC) as a vide-bandgape semiconductor for high-temperature applications: a review/J. B. Casady, R. W. Jonson//Solide-State Elektronics -1996. -Vol. 39. -№ 10. -P. 1409-1422.
- Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния: Обзор/П. А. Иванов [и др.]//Физика и техника полупроводников. -2005. -Т. 39. -Вып. 8. -С. 897-912.
- Иванов, А. м. Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения/А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев//Журнал технической физики. -2012. -Т. 82. -Вып. 4. -С. 137-141.
- Палатник, Л. С. Ориентированная кристаллизация/Л. С. Палатник, И. И. Папиров. -Москва: Металлургия, 1964. -408 с.
- Mogab, C. J. Conversion of Si to epitaxial SiC by reaction with C2H2/C. J. Mogab, H. J. Leamy//Journal of Applied Physics. -1974. -Vol. 45. -№ 3. -P. 1075-1084.
- Kim, B. C. Heteroepitaxial 3C-SiC on Si with Various Carbonization Process Conditions/B. C. Kim, J. Coy//Journal of Electronic Materials. -2009. -Vol. 38. -№ 4. -P. 581-585.
- Орлов, Л. К. Морфология гетероэпитаксиальных пленок выращенных на Si(111) методом химической конверсии в вакууме из паров гексана/Л. К. Орлов, В. И. Вдовин//Физика твердого тела. -2007. -Т. 49. -Вып. 4. -С. 596-601.
- Кукушкин, С. А. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент/С. А. Кукушкин, А. Б. Осипов//Физика твердого тела. -2008. -Т. 50. -Вып. 7. -С. 1188-1195.
- Кайданов, В. И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа А2В6/В. И. Кайданов, С. А. Немов, Ю. И. Равич//Физика и техника полупроводников. -1994. -Т. 28. -Вып. 3. -С. 369-393.
- Лебедев, А. А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния: Обзор/А. А. Лебедев//Физика и техника полупроводников. -1999. -Т. 33. -Вып. 2. -С. 129-155.
- Медведев, Н. И. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si-и C-позициях замещения/Н. И. Медведев, Н. И. Юрьева, А. Л. Ивановский//Физика и техника полупроводников. -2003. -Т. 37. -Вып. 11. -С. 1281-1284.
- Зубрилов, А. С. Электрические свойства гетеропереходов 3^SiC/Si/А. С. Зубрилов//Физика и техника полупроводников. -1994. -Т. 28. -Вып. 10. -С. 1742-1748.
- Чепурнов, В. И. Анализ точечного дефектообразовния в гомогенной фазе SiC формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC -Si/В. И. Чепурнов//Вестник Самар. гос. техн. ун-та (Естественнонаучная серия). -2006. -№ 9 (49). -С. 72-91.
- Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гетероструктуре SiC -Si/В. И. Чепурнов [и др.]//Вестник Самар. гос. техн. ун-та (Естественнонаучная серия). -2008. -№ 6 (65). -С. 352-366.
- Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков/В. И. Чепурнов [и др.]//Вестник Самар. гос. техн. ун-та (Серия «Физико-математические науки»). -2009. -№2 (19). -С. 99-106.
- Модель явлений переноса в системе (Si -C -H) при гетероэндотаксии структур SiC -Si/В. И. Чепурнов [и др.]//Вестник Самар. гос. техн. ун-та (Естественнонаучная серия). -2008. -№ 6 (65). -С. 367-378.
- Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов: учебник для вузов/В. В. Крапухин [и др.]. -Москва: Металлургия, 1982. -С. 228.
- Ковтуненко, П. В. Физическая химия твердого тела: Кристаллы с дефектами/П. В. Ковтуненко. -Москва: Высшая школа, 1993. -352 с.
- Мильвидский, М. Г. Структурные дефекты в монокристаллических полупроводниках/М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский. -Москва: Металлургия, 1984. -255 с.
- Колобов, Н. А. Диффузия и окисление полупроводников/Н. А. Колобов, М. М. Самохвалов. -Москва: Металлургия, 1975. -С. 178.
- Verner, P. Carbon diffusion in silicon./P. Verner//Applied Physics Letters. -1998. -Vol. 73. -№ 17. -P. 2465-2467.
- Карбид кремния/Под ред. Г. Хениш, Р. Рой. -Москва: Мир, 1972. -С. 43.
- Полинг, Л. Общая химия/Л. М. Полинг. -Москва: Мир, 1974. -846 с.
Статья научная
