Контроль изменений температуры поверхности полупроводниковых материалов в вакууме методом эллипсометрии
Автор: Асалханов Ю.И., Абарыков В.Н., Санеев Э.Л., Дарибазарон Э.Ч.
Журнал: Научное приборостроение @nauchnoe-priborostroenie
Рубрика: Оригинальные статьи
Статья в выпуске: 3 т.14, 2004 года.
Бесплатный доступ
Зарегистрированы температурные зависимости эллипсометрических параметров оптически полированных образцов полупроводниковых материалов на различных стадиях очистки от адсорбированных газов и следов окисла. Очистка проводилась высокотемпературным отжигом в условиях сверхвысокого вакуума. Установленная прямая пропорциональная зависимость эллипсометрического параметра Ψ от температуры для монокристаллов Si(111) свидетельствует об эффективности эллипсометрического метода в нетрадиционном его использовании - для бесконтактной регистрации изменений температуры полупроводниковых материалов в условиях вакуума. Проведено обсуждение полученных результатов.
Короткий адрес: https://sciup.org/14264346
IDR: 14264346
Список литературы Контроль изменений температуры поверхности полупроводниковых материалов в вакууме методом эллипсометрии
- Ржанов А.В. и др. Основы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1979. 365 с.
- Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 583 с.
- Archer R.J.//Opt. Soc. Amer. 1962. V. 52. P. 970.
- Bartell L.S., Betts J.F. A Radiotracer Study of an Optical Method for Measuring Adsorption//J. Phys. Chem. 1960. V. 64. P. 1075-1076.
- Способ определения времени установления равновесного состояния адсорбированного слоя молекул на поверхности полупроводниковых материалов: А. с. 1749782 РФ/Асалханов Ю.И., Домбровский И.И., Дарибазарон Э.Ч./Опубл. 1992. БИ. № 27.
- Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ., 1950. 304 с.
- Roberts E.F.I., Ross D. Anomalous Optical Constants of Thin Films//Surf. Sci. 1976. V. 56. P. 425-439.
- Асалханов Ю.И., Иванов К.Н., Ширапова Д.Ц.//ПТЭ. 1991. № 1. С. 167.
- Устройство для позиционирования образца в вакууме: А. с. 146661 СССР/Асалханов Ю.И., Дондоков Д.Д., Пронькинов И.Т./Опубл. 1988. БИ. № 24. С. 4.
- Асалханов Ю.И., Санеев Э.Л. Изменение работы выхода и прозрачности потенциального барьера монокристаллов W(100) и GaAs(110) при удалении естественного окисла с поверхности//ФХОМ. 2002. № 3. С. 66-72.
- Асалханов Ю. И., Санеев Э.Л. Поведение эллипсометрических параметров монокристаллов Si(111) при удалении адсорбата с их поверхности//Опт. и спектр. 2003. Т. 95. № 3. С. 424-428.
- Асалханов Ю.И. Исследование адсорбции газов на поверхности Мо(100) эллипсометрическим методом. Дисс.... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. Л.: ЛГУ, 1975. 127 с.
