Лауэ-дифракция рентгеновских пучков в многослойной структуре
Автор: Казаков Д.В., Пунегов В.И.
Журнал: Известия Коми научного центра УрО РАН @izvestia-komisc
Статья в выпуске: 5 (57), 2022 года.
Бесплатный доступ
Разработана теория Лауэ-дифракции рентгеновских микропучков в мультислоях (МС). Получено решение для вычисления рентгеновских карт в обратном пространстве. Показан маятниковый эффект (Pendellösung effect) для совершенного и несовершенного МС. Выполнено численное моделирование Лауэ-дифракции в мультислое Mo/Si с граничными условиями в случае геометрической оптики и приближения Френеля. Показано, что при работе с рентгеновскими микропучками необходимо учитывать эффекты дифракции рентгеновских волн на краях щелей и коллиматоров исследовательской установки.
Лауэ-дифракция, рентгеновские пучки, маятниковый эффект, многослойные структуры
Короткий адрес: https://sciup.org/149141294
IDR: 149141294 | УДК: 539.231 | DOI: 10.19110/1994-5655-2022-5-89-93
Laue diffraction of X-ray beams in a multilayer structure
The Laue diffraction theory of X-ray microbeams in multilayers (MLs) has been developed. The solution for calculating Xray reciprocal space maps has been obtained. The pendulum (Pendellösung) effect for perfect and imperfect MLs has been demonstrated. The numerical simulation of Laue diffraction in Mo/Si multilayers with boundary conditions in the case of geometrical optics and the Fresnel approximation has been carried out. For X-ray microbeams, the scattering at the edges of collimators and slits of the diffractometer should be taken into account.
Текст научной статьи Лауэ-дифракция рентгеновских пучков в многослойной структуре
Многослойные структуры (МС) применяются в установках синхротронного излучения для транспортировки рентгеновских пучков, фокусирования излучения, при экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUVL) и в астрономии. Преимущественно МС выполняют функции отражателей скользящего рентгеновского излучения. Для фокусировки жестких рентгеновских лучей предложено создать многослойные Лауэ линзы [1]. Теоретические основы рентгеновской дифракции такими линзами описаны в [2]. Изготовление многослойных Лауэ линз представляет собой сложную задачу, и первым шагом в этом направлении является изучение Лауэ-дифракции в МС с постоянным периодом [3]. Поэтому в данной работе рассмотрена теория Лауэ-дифракции рентгеновских микропучков в МС с использованием формализма для пространственно-ограниченных рентгеновских полей [4, 5].
1. Динамическая Лауэ-дифракция ограниченных рентгеновских пучков в мультислое
Рассмотрим динамическую Лауэ-дифракцию рентгеновских лучей в секционированном мультислое с постоянным периодом d (рис. 1). Введем декартову систему координат: ось z направим вдоль облучаемой поверхности МС, а ось x — нормально к ней. На пути распространения исходной плоской волны на расстоянии LS1 от поверхности МС расположен пространственный ограничитель S1 (коллиматор, щель), который выделяет микропучок шириной w 1, падающий на поверхность МС под углом 6 = 6B + ш, где ш — малый угол отклонения. Амплитуду излучения на входной поверхности обозначим через E(in); амплитуду проходящей и дифракционной волн на выходной поверхности МС обозначим Eо и E 1 соответственно. Дифракционная интенсивность регистрируется позиционно-чувствительным детектором (PSD), расположенным на расстоянии LPSD от выходной поверхности МС.
Уравнения дифракции рентгеновских лучей в пространственно-периодических структурах [4, 5], с учетом граничных условий Лауэ-дифракции, дают решение для амплитуды дифракционного микропучка в обратном пространстве
E, , ( q - .q - ^expl L ’ F, , ( q - ,q , )
E 1 ( q . ) = i a 1 f exp' i^L - ) F 1 ( Q x .q , ).
2 П
∞
Lxξ т—-
z sin( L^ ) £/ 2
K in ( к )d к
F - =7
-∞
sin( LT ) ^/ 2
/X /X
K in ( к ) У еж ( к
— qz )d к,
где ^ = — V Z 2 + 4 fa 1 a - 1 , Z = q x — ( q z — 2 к ) tan 9 b , a 0 = пх о / ( X cos 9 b ) , a 1 = Cnx 1 / ( X cos 9 b ) , a - 1 = a i , 9 b — угол Брэгга, X — длина волны рентгеновского излучения в вакууме, C — поляризационный фактор, f — фактор затухания, зависящий от дефектов в МС.
Рисунок 1. Схема Лауэ-дифракции в мультислое глубины L x и толщины L z : w i , 2 — поперечная ширина падающего и выходящего пучков; L Zin ) , ( ex ) — проекции на ось z (направлена вдоль входной грани) поперечной ширины пучка для падающего излучения и для вышедшего из мультислоя соответственно; L s 1 — расстояние от щели S 1 до входной грани мультислоя ( x = 0 ); L PSD — расстояние от выходной грани ( x = L x ) до позиционно-чувствительного детектора PSD.
Figure 1. Laue diffraction scheme in a multilayer structure with L x depth and L z thickness: w 1 , 2 — cross-section width of incident and output beams; L Zin ) , ( ex ) — cross-section projections of incident and the output beams onto the z axis (directed along the input face), respectively; L S 1 — a distance from a S 1 slit to the multilayer’s input face ( x = 0 ); L PSD — a distance between the output face ( x = L x ) and the position-sensitive detector PSD.
Если период МС, как на рис. 1, образован бислоем вида d = d t + d b , то Фурье коэффициенты рентгеновской поляризуемости х о , 1 в направлении прохождения и дифракции равны
X t d t + X b d b
X о = -----3----- ,
d
χt - χb πdt х 1 = sin(
Здесь χ t,b и d t,b — Фурье коэффициенты поляризуемостей и толщины верхнего (t) и нижнего (b) слоев.
Распределение интенсивности рентгеновских волн в обратном пространстве при трехосевой схеме регистрации зависит от угловых положений образца ω и анализатора ε [6, 7]. В симметричной геометрии Лауэ эти углы связаны с проекциями отклонения вектора дифракции от вектора обратной решетки в горизонтальном и вертикальном направлениях соотношениями qx = k sin 9b (2ш — г) и qz = —k cos 9b г .Множитель Kin (к) в интеграле (1) выражает граничные условия дифракционной задачи на входной поверхности МС и имеет вид sin( к L (in))
K n ( к ) = P ( к,L s 1 ) -^к , (2)
где L zn ) = w 1 / cos 9 b — ширина области на входной поверхности МС, засвечиваемая падающим микропучком; P ( к,L s 1 ) — пропагатор поля рентгеновской волны в Фурье пространстве [8], который в приближении Френеля равен 2
P ( к,L s 1) = exp (—iX L S 1 к ) .
4 п cos 2 9b /
Второй множитель
. sin ( ^zL e ) )
K ex ( к — q z ) = P ( к — q z , L psd )--- V K - q z ------ (3)
2“ является коэффициентом пропускания дифракционной волны в Фурье пространстве. Он зависит от ширины отраженного рентгеновского пучка LZex) и выражается через пропагатор lpsd (к — qz)2
P ( к — q z ,L psd ) = exp —iX ,
4п cos2 9b описывающий распространение рентгеновского излучения от выходной поверхности МС до PSD. Важно отметить, что в приближении геометрической оптики пропагаторы P(к,Ls 1) и P(к — qz,Lpsd) равны единице.
Окончательное выражение для дифракционной интенсивности в обратном пространстве, регистрируемой PSD при рассеянии ограниченного фронта рентгеновской волны в МС, запишется как
1 1 ( q x ,q z ) = IE 1 ( q x ,q z ) | 2 • (4)
Решения (1) с учетом (4) являются основными соотношениями для расчета карт рассеяния в обратном пространстве (RSM).
-
2. Численное моделирование
Выполним численное моделирование углового распределения интенсивности рассеяния рентгеновских лучей от МС M o/S i . Структурные параметры МС и характеристики падающего синхротронного излучения соответствуют параметрам и условиям работы [3]. Длина волны падающего синхротронного излучения X = 0 • 1305 нм, период МС d = d Mo + d Si = 7 нм, d Mo = d Si = 3 • 5 нм, угол Брэгга 9 b = 2 • 25 мкрад. Оптические константы компонент МС получены с помощью онлайн сервиса рентгеновского сервера [9].
Динамическая Лауэ-дифракция рентгеновских лучей в МС сопровождается маятниковым эффектом (Pendellösung effect), когда интенсивность рентгеновского пучка проходящей волны перекачивается в дифракционный и далее, с увеличением глубины, наоборот, интенсивность дифрагированной волны передается в направление проходящего. При выполнении точного условия Брэгга выражения интенсивности для проходящей и дифракционной рентгеновских волн в МС равны
1 0 ( x ) = e ^ 0 x (cos 2 ( fa 1 x) + sinh 2 ( fa \ x )) ,
11 (x) = e ^0 x (sin2 (falx) + sinh2 (failx)) , ar = Cπχr1 ai = Cπχi1m
1 λ cos θ B , 1 λ cos θ B ,
где µ 0 = 2 Im( a 0 ) — линейный коэффициент поглощения, l Pen — период маятниковых осцилляций, который в симметричной геометрии Лауэ равен l Pen = λ | cos θ B | /C/|χ 1 | . При малых углах Брэгга cos θ B ≈ 1 , период маятниковых осцилляций обратно пропорционален Фурье коэффициенту рентгеновской поляризуемости χ 1 . Для рассматриваемого МС Mo/Si и длины волны рентгеновского пучка λ = 0 . 1305 нм период маятниковых колебаний равен l P MoSi = 38 . 2 мкм.
На рис. 2 представлены распределения интенсивности проходящей и дифракционной волн по глубине, иллюстрирующие маятниковый эффект при соблюдении точного условия Брэгга: пунктирными линиями показаны результаты в совершенном МС с фактором затухания f = 1 , а сплошными линиями — в дефектном с f = 0 . 8 . Толщина МС составляет L x = 2 l Pen = 76 . 4 мкм, что соответствует двум полным периодам маятниковых осцилляций. Рис. 2 (a) показывает, что при распространении рентгеновского пучка в МС интенсивность проходящей волны перекачивается в дифракционную. На глубине x = 19 . 1 мкм, отвечающей половине маятникового периода, проходящая волна переходит полностью (с поправкой на фотоэлектрическое поглощение) в дифракционную, которая достигает здесь локального максимума. С дальнейшим ростом x происходит обратный процесс. Рис. 2 (b) демонстрирует влияние дефектов. И него следует, что наличие дефектов в МС ведет к увеличению периода маятниковых осцилляций и смещению взаимного положения максимумов и минимумов интенсивностей I 0 ( x ) и I 1 ( x ) . Эти изменения объясняются тем, что дефекты в МС снижают отражательную способность периодической структуры. Аналогичное влияние дефектов на маятниковые осцилляции наблюдается в случае динамической Лауэ-дифракции в кристалле [10].
Зная глубину залегания максимумов и минимумов дифракционной интенсивности в МС Mo/Si , приступим к численному моделированию RSM. Расчеты выполним для МС с секционной толщиной L x = argmax( I 1 ( x )) = l P MoSi / 2 = 19 . 2 мкм L x , при которой интенсивность дифракционной волны достигает максимума, и с толщиной L x = argmin( I 1 ( x )) = l P MoSi = 38 . 2 мкм, отвечающей минимуму (рис. 2).
Результаты моделирования в рамках геометрической оптики для МС с L x = l P MoSi / 2 приведены на рис. 3 (a), для МС с L x = l P MoSi — на рис. 3 (b). Сравнивая между собой полученные карты, можно заметить, что для МС с секционной глубиной, равной полному периоду маятниковых осцилляций, возникает расщепление главного дифракци-
(b)
Рисунок 2. Маятниковый эффект (Pendelösung effect) в совершенном (a) и несовершенном (b) мультислое Mo/Si : кривые 1 0 j , 1 1 j — проходящая и дифракционная интенсивности в несовершенном мультислое c фактором затухания f = 0 . 8 ; кривые 1 0 , 1 1 — проходящая и дифракционная интенсивости в совершенном мультислое c фактором затухания f = 1 .
Figure 2. Pendelösung effect within perfect (a) and imperfect (b) Mo/Si multilayers: curves 1 0 j , 1 1 j — transmission and diffraction intensities in an imperfect multilayer with damping factor f = 0 . 8 ; curves I о , 1 1 — transmission and diffraction intensities in a perfect multilayer with damping factor f = 1 .
онного пика рис. 3 (b). Данное расщепление объясняется тем фактом, что в точных условиях Брэгга q x = q z = 0 на глубине x = L x = l P MoSi основная часть дифракционной интенсивности перекачивается в проходящий пучок, из-за чего на RSM вблизи точки q x = q z = 0 возникает провал, но поскольку I 1 ( l P MoSi ) не достигает нуля, то и значения интенсивности в окрестности данной точки не нулевые. Однако если угол падения будет отклоняться от точного условия Брэгга, то будет меняться характер распределения маятниковых осцилляций по глубине МС, в частности сократятся амплитуда и длина периода. В результате таких изменений интенсивность дифракционной волны в точке x = l P MoSi не будет соответствовать положению минимума, что повлечет рост регистрируемой интенсивности. При определенных значениях угла ω может сложиться ситуация, при которой там, где при точном соблюдении условия Брэгга наблюдался минимум, расположится локальный максимум.
(a)
(a)
(b)
Рисунок 3. Карты рассеяния в обратном пространстве дифракционной интенсивности синхротронного излучения с энергией 9.5 кэВ от мультислоя M o/Si с граничными условиями в приближении геометрической оптики: (a) — L x = l MoSi / 2 ; (b) — L x = l MoSi .
Figure 3. Calculated RSMs of diffraction intensity from a Mo/Si multilayer with a synchrotron radiation energy of 9.5 keV in the case of the boundary conditions in the geometrical optics approximation: (a) — L x = l MoSi / 2 ; (b) — L x = l MoSi .
(b)
Рисунок 4. Карты рассеяния в обратном пространстве дифракционной интенсивности синхротронного излучения с энергией 9.5 кэВ от мультислоя Mo/Si с граничными условиями в приближении Френеля: (a) — L x = l MoSi / 2 ; (b) — L x = l MoSi ; L s 1 =30 мм и LP = 40 мм. Figure 4. Calculated RSMs of diffraction intensity from a Mo/Si multilayer with a synchrotron radiation energy of 9.5 keV in the case of Fresnel boundary conditions: (a) — L x = l MoSi / 2 ;(b) — L x = l MoSi ; L s 1 = 30 mm, L pdd = 40 mm.
Аналогичные расчеты выполним для пространственноограниченной рентгеновской волны с граничными условиями в приближении Френеля. Расстояние от щели до поверхности МС равно L S 1 = 30 мм, расстояние от выходной поверхности до PSD L P = 40 мм, ширина падающего пучка w 1 ^ L z = 14 мкм (см. рис. 1). Результаты моделирования представлены на рис. 4. Сравнивая полученные RSM с картами, представленными на рис. 3, легко заметить, что угловые распределения интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в случае геометрической оптики и в приближении Френеля сильно отличаются. Тем не менее характерное расщепление центрального пика МС толщиной L x = l M oSi сохранилось.
Заключение
Таким образом, мы теоретически исследовали Лауэ-ди-фракцию рентгеновских микропучков в секционированных мультислоях. Как в геометрии Брэгга [4], так и для случая Лауэ-дифракции микропучков при выполнении расчетов RSM всегда необходимо правильно выбирать граничные условия в приближении Френеля. Важно, что решение (1) справедливо только для мультислоев с постоянным пери- одом. При исследовании апериодических многослойных структур необходимо численно интегрировать уравнения рентгеновской дифракции [2].
Список литературы Лауэ-дифракция рентгеновских пучков в многослойной структуре
- Maser, J. Multilayer Laue lenses as high-resolution X-ray optics / J. Maser, G.B. Stephenson, S. Vogt, Y. Wenbing, A. Macrander [et al.] // Proceedings of SPIE. - 2004. - Vol. 5539. - P. 185-194.
- Пунегов, В.И. Влияние рассогласования толщин слоев на фокусировку рентгеновских лучей многослойными Лауэ линзами / В.И. Пунегов // Письма в ЖЭТФ. - 2020. - T. 111. - № 7. - С. 448-454.
- Kang, H.C. High-efficiency diffractive x-ray optics from sectioned multilayers / H.C. Kang, G.B. Stephenson, C. Liu, R. Conley, A.T. Macrander [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 86. - P. 151109 (1-3).
- Punegov, V.I. X-ray microbeam diffraction in a crystal / V.I. Punegov, A.V. Karpov // Acta Crystallogr. A. - 2021. - Vol. 77. - P. 117-125.
- Punegov, V.I. Applications of dynamical theory of X-ray diffraction by perfect crystals to reciprocal space map ping / V.I. Punegov, K.M. Pavlov, A.V. Karpov, N.N. Faleev // J. Appl. Crystallogr. - 2017. - Vol. 50. - P. 1256-1266.
- Пунегов, В.И. Высокоразрешающая рентгеновская дифракция в кристаллических структурах с квантовыми точками / V.I. Punegov // УФН. - 2015. - Т. 185. - № 5. - С. 449-478.
- Iida, A. Separate measurements of dynamical and kinematical X-ray diffractions from silicon crystals with a triple crystal diffractometer / A. Iida, K. Kohra, A.V. Karpov, N.N. Faleev // Physica Status Solidi (A). - 1979. - Vol. 51. - P. 533-542.
- Kohn, V.G. Theory of imaging a perfect crystal under the conditions of X-ray spherical wave dynamical diffraction / V.G. Kohn, I. Snigireva, A. Snigirev, N.N. Faleev // Physica Status Solidi (B). - 2000. - Vol. 222. - P. 407-423.
- Stepanov, S. Fitting dynamical X-ray diffraction data over the World Wide Web / S. Stepanov, R. Forrest // J. Appl. Crystallogr. - 2008. - Vol. 41. - P. 958-962.
- Пунегов, В.И. Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской Лауэ-дифракции в тонком кристалле / В.И. Пунегов, К.М. Павлов // Письма в ЖТФ. - 1992. - Т. 18. - № 12. - С. 60-64.