Методика проведения оперативного анализа электрических и временных параметров цифровых КМОП элементов и СБИС на их основе
Автор: Дьяконов Владимир Михайлович, Семученков Николай Васильевич, Тараканов Владимир Сергеевич, Фролов Дмитрий Петрович, Коршунов Андрей Владимирович
Журнал: Известия Самарского научного центра Российской академии наук @izvestiya-ssc
Рубрика: Конверсионные, НАНО- и инновационные технологии
Статья в выпуске: 1-2 т.14, 2012 года.
Бесплатный доступ
В статье приведена методика оперативного расчета электрических и временных параметров цифровых схем, спроектированных на основе КМОП транзисторов. Рассматриваемая методика основана на замещении функционально-различных логических элементов (ЛЭ) их макромоделями. Макромодель («эквивалентный инвертор») характеризуется определенным набором параметров, значения которых определяются относительно замещаемого ЛЭ. Исходными данными при расчёте являются не физические параметры транзисторов, на основе которых спроектирован ЛЭ, а задержка инвертора в цепи каскадно-соединенных инверторов с идентичными топологическими параметрами и емкостные параметры транзисторов. Предлагаемая методика существенно упрощает процедуру оперативного определения параметров цифровых КМОП схем.
Кмоп сбис, логический элемент, моделирование, электрические параметры, макромодель, инвертор, цифровой элемент
Короткий адрес: https://sciup.org/148200658
IDR: 148200658
Список литературы Методика проведения оперативного анализа электрических и временных параметров цифровых КМОП элементов и СБИС на их основе
- Кеоун, Дж. OrCAD Pspice. Анализ электрических цепей. -М.: ДМК Пресс. СПб.: Питер, 2008. 640 c.
- Денисенко, В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро-и наноэлектронике. -М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. 408 c.
- Keating, M. Low Power Methodology Manual. For System-on-Chip Design/M. Keating, D. Flynn, R. Aitken et al. -NY.: Springer, 2007. 304 p.
- Pedram, M. Power Aware Design Methodologies/M. Pedram, J. Rabaey. -Kluwer Academic Publishers, 2002. 521 p.
- Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника. -СПб.: БВХ-Петербург, 2004. C. 528.
- Rabaey, J.M. Low Power Design Methodologies/J.M. Rabaey, M. Pedram. Springer, 2002. 544 p.
- Korec, J. Low Voltage Power MOSFETs. Design, Performance and Applications//Springer Briefs in Applied Sciences and Technology. -NY.: Springer, vol. 7, 2011. 73 p.
- Moalemi, V. Subthreshold Pass Transistor Logic for Ultra-Low Power Operation. IEEE Computer Society Annual Symposium/V. Moalemi, A. Afzali-Kusha. -ISVLSI.'07. VLSI.2007. P. 490-491.
