Моделирование энергетического спектра плотности состояний в сильно легированных полупроводниках
Автор: Шарибаев Н.Ю., Тургунов М.
Журнал: Теория и практика современной науки @modern-j
Рубрика: Основной раздел
Статья в выпуске: 12 (42), 2018 года.
Бесплатный доступ
Сильные легирование с примесями глубокими уровнями расширяют зону проводимости и валентную зону. Это усиливает поглощение света ниже красной границе. Следовательно, возможное изменение ширины запрещенной зоны. В настоящей работе с помощью математической модели, температурной зависимости спектра плотности состояний, исследовано влияния легирования с высокой концентрацией на ширину запрещенной зоны полупроводника. Объяснено поглощения в интервале 0.6-0.9 эВ для кремния.
Плотность состояний, энергетические щели, легирование, примесь, запрещенная зона полупроводника, управления энергетическими зонами, ускозонный полупроводник
Короткий адрес: https://sciup.org/140272743
IDR: 140272743
Список литературы Моделирование энергетического спектра плотности состояний в сильно легированных полупроводниках
- M.K. Bakhadyrkhanov, A.Sh. Mavlyanov, U.Kh. Sodikov, M.K. Khakkulov, Silicon with Binary Elementary Cells as a Novel Class of Materials for Future Photoenergetics,Geliotekhnika, 2015, No. 4, pp. 28-32.
- Г.Гулямов, Н.Ю. Шарибаев. ФТП - Санкт Петербург, Т.45. №2. - С.178-182. (2011).
- Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 9 с. 13- 17. (2012).
- Н.Мотт, Э.Девис. "Электронные процессы в некристаллических веществах", М.Мир1982с.
